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[期刊论文] 作者：杨邦朝,滕林,杜晓松,周鸿仁,
来源：电子元件与材料 年份：2004
为了锰铜传感器微型化,采用直流磁控溅射法制备适合高压力测量的锰铜薄膜,用X射线衍射和扫描电子显微镜技术分析了薄膜的结构和形貌,动态加载实验标定了锰铜薄膜的压阻系数....
[期刊论文] 作者：滕林,杨邦朝,杜晓松,周鸿仁,
来源：真空科学与技术学报 年份：2004
使用直流磁控溅射的方法在聚酰亚胺上制备镱薄膜,XRD分析薄膜的晶体结构,SEM表征薄膜的形貌,利用一级轻气炮进行了1.5 GPa～2.5 GPa的冲击加载压阻测试.研究结果表明,压阻系数...
[期刊论文] 作者：崔红玲,杨邦朝,杜晓松,滕林,周鸿仁,
来源：电子元件与材料 年份：2004
为了提高锰铜传感器的测压上限,须用薄膜工艺制备无机绝缘三氧化二铝薄膜来作为传感器的绝缘封装层.采用电子束蒸发法,对影响三氧化二铝薄膜的相关工艺如:蒸发原料的纯度、成...
[期刊论文] 作者：崔红玲,杨邦朝,杜小松,滕林,周鸿仁,
来源：电子元件与材料 年份：2004
以Al2O3薄膜为例,介绍了用电子束蒸发制备介质薄膜的工艺.研究了不同退火条件下Al2O3薄膜的电性能,优化出最佳的热处理条件为400℃、氧气气氛中,热处理3 h.并对制得的Al2O3薄...
[期刊论文] 作者：滕林,杨邦朝,杜晓松,周鸿仁,崔红玲,
来源：高压物理学报 年份：2004
利用直流磁控溅射薄膜工艺制备阵列式薄膜锰铜压阻计，以氧化铝作为基片和绝缘封装材料。在结构上，4个具有相同阻值的薄膜锰铜计在同一氧化铝基片上呈对称分布。51．72GPa压力下的......
[期刊论文] 作者：滕林,杨邦朝,杜晓松,周鸿仁,崔红玲,肖庆国,
来源：高压物理学报 年份：2004
采用真空蒸发工艺制备镱薄膜传感器，在小于1GPa压力范围内对未经任何处理和300℃真空热处理1h两组镱薄膜传感器进行准静态加载标定，后者的压阻系数明显高于前者，并且大于箔式镱......
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