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[期刊论文] 作者：崔军朋,段垚,王晓峰,曾一平,
来源：半导体学报 年份：2007
采用自行研制的CVD设备在m面蓝宝石衬底上成功生长了微米级的ZnO外延薄膜.采用X射线衍射(XRD)和双晶X射线摇摆曲线(DXRD)研究了所生长ZnO薄膜的结构特征.利用扫描电子显微镜(...
[期刊论文] 作者：曹国华,秦大山,曹俊松,曾一平,李晋闽,
来源：半导体学报 年份：2007
采用Mg掺杂有机受体材料3,4,9,10 perylenetetracarboxylic dianhydride(PTCDA)做为电子注入层,Ag做为阴极,制备了一种新型的有机发光二极管.同传统的Mg:Ag合金电极相比,PTCD...
[期刊论文] 作者：马龙,张杨,戴扬,杨富华,曾一平,王良臣,,
来源：半导体学报 年份：2007
在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长制备了不同势垒厚度的RTD材料样品，室温下测量的最高峰．谷电流比为18．39．通过模拟得到RTD直流特性与势垒厚度、势阱材料及厚度、隔......
[期刊论文] 作者：马龙,张杨,戴扬,杨富华,曾一平,王良臣,
来源：半导体学报 年份：2007
在半绝缘的50nm InP衬底上采用分子束外延的方法生长了RTD与HEMT的集成材料结构.RTD室温下峰谷电流比最高达到18.39,阻性截止频率大于20.05GHz.栅长为1μm的HEMT截止频率为19...
[期刊论文] 作者：杨春雷,王建农,葛惟锟,崔利杰,曾一平,
来源：物理 年份：2007
文章通过自旋光电流与Kerr效应的实验，介绍在自旋一轨道耦合的体系中，如何通过自旋注入来驱动电子的运动产生电流，又如何反过来通过电子的运动或电流在系统中产生自旋激化．实验结......
[会议论文] 作者：何金孝,段尭,崔军朋,曾一平,李晋闽,
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
本文首次在AlO衬底上引入ZnO-AlO固溶层,并在该衬底上用金属源化学气相外延法(MVPE)生长出了高质量的ZnO单晶厚膜(10微米)。介绍了一种在C面蓝宝石衬底上引入ZnO-Al203固溶层...
[会议论文] 作者：何金孝,段尭,崔军朋,曾一平,李晋闽,
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
本文首次在AlO衬底上引入ZnO-AlO固溶层,并在该衬底上用金属源化学气相外延法(MVPE)生长出了高质量的ZnO单晶厚膜(10微米)。介绍了一种在C面蓝宝石衬底上引入ZnO-Al203固溶层的方法。用双晶X射线衍射仪对样品进行了θ-2θ和rocking curve测量。与直接在C面蓝宝......
[期刊论文] 作者：崔军朋，段垚，王晓峰，曾一平，CuiJunpeng，DuanYao，WangXiaofeng，ZengYiping,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[会议论文] 作者：高海永,闫发旺,张扬,王军喜,曾一平,李晋闽,
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
利用干法刻蚀(感应耦合等离子刻蚀,ICP)对蓝宝石衬底进行了干法刻蚀,研究了特定图形蓝宝石衬底对生长GaN外延层晶体质量的影响。原子力显微镜观察表明无掩膜直接ICP刻蚀后的...
[期刊论文] 作者：马平,魏同波,段瑞飞,王军喜,李晋闽,曾一平,,
来源：半导体学报 年份：2007
采用氢化物气相外延(HVPE)方法,以蓝宝石作衬底,分别在MOCVD-GaN模板和蓝宝石衬底上直接外延生长GaN.模板上的GaN生长表面平整、光亮,但开裂严重.其(0002)的双晶衍射半高宽最...
[期刊论文] 作者：张杨,曾一平,马龙,王保强,朱战平,王良臣,杨富华,
来源：半导体学报 年份：2007
利用分子束外延技术研制出InP基IhAs/In0.53Ga0.47As/AlAs共振隧穿二极管,其中势垒为10个单分子AlAs,势阱由8个单分子层In0.53Ga0.47As阱和4个单分子层InAs子阱组成.室温下峰...
[会议论文] 作者：韩春林,高建峰,薛舫时,陈辰,张杨,曾一平,
来源：2007年全国微波毫米波会议 年份：2007
本文对AlAs/InGaAs/InAs共振遂穿二极管(RTD)不同厚度隔离层对器件I-V特性的影响进行了研究,研究发现器件的峰谷电流密度在负微分电阻区会随着隔离层材料厚度的增加而降低,同...
[会议论文] 作者：韩春林,张杨,曾一平,高建峰,薛舫时,陈辰,
来源：2007年全国微波毫米波会议 年份：2007
本文对AlAs/InGaAs/InAs共振遂穿二极管(RTD)不同厚度隔离层对器件I-V特性的影响进行了研究,研究发现器件的峰谷电流密度在负微分电阻区会随着隔离层材料厚度的增加而降低,同时,在一定隔离层厚度范围内峰谷电流比随着隔离层材料厚度的增加而增加。通过优化材料......
[期刊论文] 作者：高宏玲,王宝强,朱战平,李成基,段瑞飞,曾一平,
来源：半导体学报 年份：2007
研究了用分子束外延(MBE)方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340℃时,外延层表面粗糙度为1.79...
[期刊论文] 作者：刘喆,王晓亮,王军喜,胡国新,李建平,曾一平,李晋闽,
来源：半导体学报 年份：2007
针对Si衬底上生长GaN具有的特有形貌进行了研究,分析采用扫描电镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)等手段,研究了使用AlN作为缓冲层的GaN的生长模式、缺陷形成机...
[期刊论文] 作者：曹国华，秦大山，曹俊松，曾一平，李晋闽，CaoGuohua，QinDashan，CaoJunsong，ZengYiping，LiJinmin,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：戴扬,黄应龙,刘伟,马龙,杨富华,王良臣,曾一平,郑厚植,
来源：半导体学报 年份：2007
介绍了一种基于共振隧穿二极管（RTD）和高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片集成电路．采用分子束外延技术在GaAs底层上重叠生长了RTD和HEMT结构．RTD室温下的峰谷电流比为5．2：1，峰值电流密度......
[期刊论文] 作者：马平,段垚,魏同波,段瑞飞,王军喜,曾一平,李晋闽,
来源：半导体学报 年份：2007
根据流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度分布,以及反应室的温场分布.NH3浓度在衬底附近分布均匀,而GaCl浓度在衬底中心区域较大,周边较小.实验结果表明,外延层在...
[期刊论文] 作者：朱蓉辉,曾一平,卜俊鹏,惠峰,郑红军,赵冀,高永亮,
来源：半导体学报 年份：2007
通过激光散射扫描的宏观检测方法检测非掺杂LEC半绝缘GaAs晶片(100)晶向的抛光片颗粒度时,意外发现一种源自晶体的微缺陷,该微缺陷在晶体中有四个聚集团,这为认识研究此类缺...
[期刊论文] 作者：戴扬,黄应龙,刘伟,马龙,杨富华,王良臣,曾一平,郑厚植,,
来源：半导体学报 年份：2007
介绍了一种基于共振隧穿二极管(RTD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)的单片集成电路.采用分子束外延技术在GaAs底层上重叠生长了RTD和HEMT结构.RTD室温下的峰谷电流比为5.2∶1,峰...
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