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[期刊论文] 作者：A.Usui,武一宾,,
来源：半导体情报 年份：1982
通过双生长室工艺研究了与GaAs晶格匹配的InGaP和GaAsP的氢化物VPE。论证了InGaP/GaAs超晶格结构生长的突变而很平坦的界面。用已成熟的氧引入技术的抑制附加壁淀积可精确地...
[期刊论文] 作者：武一宾,张文俊,
来源：半导体情报 年份：1991
分析了在-196～660℃范围内温度及其变化速度对PBN坩埚和Al的机械性能的影响,进而分析了Al坩埚的热应力分布及变化。确定了Al坩埚的维持温度,指明了常用的升温和降温速度对Al坩...
[期刊论文] 作者：武一宾,李中南,,
来源：半导体情报 年份：1985
本文详细介绍了用 LEC 法生长 InP 单晶时,利用“热场杂质效应”生长出载流子浓度在1～30×10~(17)cm~(-3)范围内可控,位错密度为0～10~4cm~(-2)、直径≤40mm 的 InP 单晶。得到...
[会议论文] 作者：陈昊,商耀辉,武一宾,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
本文着重探讨了单δ平面掺杂AlGaAs/GaInAs/GaAs PHEMT材料的生长工艺及工艺优化....
[会议论文] 作者：武一宾,商耀辉,陈昊,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
本文主要从功率角度探讨了分子束外延AlInAs/GaInAs/InP HEMT结构材料生长,其典型数据为M～8400cm/V.S,2DEG≥4.5E12cm.给出了HEMT的结构参数及定温Hall-van der Pauw法测试结...
[会议论文] 作者：张文俊,崔立奇,武一宾,陈昊,阎发旺,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：张文俊,崔立奇,武一宾,陈昊,阎发旺,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：张文俊,崔立奇,武一宾,陈昊,阎发旺,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：武一宾,张文俊,张允清,柏亚青,崔立奇,李明杰,周章文,,
来源：半导体情报 年份：1991
分析了在-196～660℃范围内温度及其变化速度对PBN坩埚和Al的机械性能的影响,进而分析了Al坩埚的热应力分布及变化。确定了Al坩埚的维持温度,指明了常用的升温和降温速度对Al坩...
[期刊论文] 作者：周章文,张允清,柏亚青,李明杰,崔立奇,张文俊,武一宾,,
来源：半导体情报 年份：1991
采用MBE工艺,研究在AlGaAs中δ掺硅,并生长了单δ层和多δ层两种结构。用电化学C-V和SIMS测量离化硅浓度和硅原子浓度分布。SIMS测量结果表明升高硅源温度比延长硅注入时间对...
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