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[期刊论文] 作者：张磊,杨瑞霞,武一宾,商耀辉,高金环,,
来源：电子工艺技术 年份：2007
对GaAs基共振隧穿二极管（RTD）进行了研究，首先用分子束外延（MBE）方法进行AlAs／GaAs／InGaAs双势垒单势阱材料结构的生长。接着用常温光致荧光（PL）方法对结构材料进行了测试分析，其结果显......
[期刊论文] 作者：张磊,杨瑞霞,武一宾,商耀辉,高金环,,
来源：电子器件 年份：2007
用分子束外延技术（MBE）生长了GaAs基共振隧穿二极管（RTD）的材料结构,利用X射线双晶衍射（XRD）方法对材料进行了测试分析.结果表明,材料的双晶衍射峰半峰宽达到16.17″,GaAs层与In0.1......
[期刊论文] 作者：杨瑞霞,陈宏江,武一宾,杨克武,杨帆,
来源：电子器件 年份：2007
用α台阶仪和原子力显微镜(AFM)研究了不同体积比的柠檬酸(50%)/双氧水溶液对GaAs/AlxGa1-xAs系统的选择湿法腐蚀特性,对AlxGa1-xAs停止层的组分和腐蚀液体积比进行了优化.当...
[期刊论文] 作者：张磊,杨瑞霞,武一宾,商耀辉,高金环,,
来源：半导体学报 年份：2007
用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长制备了不同结构的AlAs/GaAs/InGaAs两垒一阱RTD单管.经过材料生长设计和工艺的改进,测得室温下器件的最高PVCR为2.4,峰值电流密度达...
[期刊论文] 作者：张磊,杨瑞霞,武一宾,商耀辉,高金环,NIU Chen-liang,,
来源：电子器件 年份：2007
用分子束外延技术(MBE)生长了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)的材料结构,利用X射线双晶衍射(XRD)方法对材料进行了测试分析.结果表明,材料的双晶衍射峰半峰宽达到16.17",GaAs层与...
[期刊论文] 作者：李若凡, 武一宾, 杨瑞霞, 马永强, 商耀辉, 牛晨亮,,
来源：半导体技术 年份：2007
电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法。用电化学C-V测试仪对外高内低、有较大浓度梯度的外延样品进行载流子浓度纵向分布测量时发现，内层低...
[期刊论文] 作者：高金环,杨瑞霞,武一宾,刘岳巍,商耀辉,杨克武,,
来源：半导体学报 年份：2007
报道了InP衬底AlAs／In0.53Ga0.47As／AlAs两垒一阱结构共振隧穿二极管（RTD）器件的研制．结构材料由分子束外延制备，衬底片为（001）半绝缘InP单晶片，器件制作选用台面结构．测得室温下的峰值......
[期刊论文] 作者：高金环,杨瑞霞,武一宾,贾科进,商耀辉,张磊,杨克武,,
来源：电子器件 年份：2007
报道了InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs结构共振隧穿二极管（RTD）的研制过程.衬底片选用（001）半绝缘InP单晶片,结构材料使用分子束外延（MBE）技术制备,并用PL谱对外延片进行测试,器...
[期刊论文] 作者：商耀辉,武一宾,卜夏正,牛晨亮,王建峰,李亚丽,张雄文,
来源：真空科学与技术学报 年份：2007
探讨了隧穿型量子效应薄膜材料制备技术,并应用分子束外延方法制备了典型结构外延材料GaAs基共振隧穿二极管,经过器件验证,得到了较好的结果.重点讨论了关键制备技术,包括束...
[期刊论文] 作者：马永强,武一宾,杨瑞霞,齐国虎,李若凡,商耀辉,陈昊,牛晨亮,,
来源：半导体技术 年份：2007
用x射线双晶衍射法（XRD）对4H-SiC衬底和在该衬底上外延生长的4H-SiC单晶样品（004）面进行测试，在所有样品的测试结果中发现，摇摆曲线主峰左侧160”附近均出现傍肩，并且主峰衍射强度也......
[期刊论文] 作者：商耀辉，武一宾，卜夏正，牛晨亮，王建峰，李亚丽，张雄文，Sh,
来源：真空科学与技术学报 年份：2007
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[期刊论文] 作者：马永强,武一宾,杨瑞霞,李若凡,商耀辉,牛晨亮,卜夏正,王建,
来源：半导体技术 年份：2007
X射线双晶衍射仪系统中受参考晶体分辨率等因素的影响，X射线的相干长度不超过1μm。X射线在异质外延晶体材料内衍射时，不超过相干长度范围内厚度外延层中的衍射波会产生相干叠......
[期刊论文] 作者：马永强,武一宾,杨瑞霞,李若凡,商耀辉,牛晨亮,卜夏正,王建峰,,
来源：半导体技术 年份：2007
X射线双晶衍射仪系统中受参考晶体分辨率等因素的影响,X射线的相干长度不超过1μm。X射线在异质外延晶体材料内衍射时,不超过相干长度范围内厚度外延层中的衍射波会产生相干...
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