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[期刊论文] 作者：陈立强,张海英,尹军舰,钱鹤,牛洁斌,
来源：半导体学报 年份：2005
报道了具有良好直流特性的晶格匹配InP基HEMT，器件的跨导为600mS／mm，阈值电压为-1．2V，最大电流密度为500mA／mm，截止频率为120GHz．...
[期刊论文] 作者：李冬梅,王旭波,潘峰,牛洁斌,刘明,
来源：压电与声光 年份：2005
为了增加高频声表面波器件用Al薄膜的功率承受力以及与基体的附着力,同时不增加薄膜在化学反应刻蚀中的难度,并精确地控制图形的尺寸,采用电子束蒸镀法研究了Zr过渡层和薄膜...
[期刊论文] 作者：陈立强,张海英,尹军舰,钱鹤,牛洁斌,
来源：半导体学报 年份：2005
报道了具有良好直流特性的晶格匹配 InP基 HEMT,器件的跨导为 600mS/mm,阈值电压为-1 2V,最大电流密度为500mA/mm,截止频率为120GHz.The lattice matching InP based HEMT...
[期刊论文] 作者：张海英,刘训春,尹军舰,陈立强,王润梅,牛洁斌,刘明,
来源：半导体学报 年份：2005
毫米波晶体管的制作技术是微波电路设计和制造的基础．从优化器件结构的角度，提出了一种锯齿型源漏的新型InP基HEMT器件．实验证明，采用这种结构可以减少光刻过程中临近效应的影响，......
[期刊论文] 作者：张海英,刘训春,尹军舰,陈立强,王润梅,牛洁斌,刘明,
来源：半导体学报 年份：2005
毫米波晶体管的制作技术是微波电路设计和制造的基础.从优化器件结构的角度,提出了一种锯齿型源漏的新型InP基HEMT器件.实验证明,采用这种结构可以减少光刻过程中临近效应的...
[会议论文] 作者：谢常青,牛洁斌,王德强,董立军,陈大鹏,伊福廷,张菊芳,
来源：北京同步辐射装置2005年学术年会暨学术委员会 年份：2005
经过三十多年的研发,接近式X射线光刻技术已经非常成熟,其具有分辨率高、焦深大、工艺宽容度大、产量高等诸多优点.对于X射线掩模吸收体材料,如果选择金,只能采用电镀工艺,而...
[会议论文] 作者：谢常青[1]牛洁斌[1]王德强[1]董立军[1]陈大鹏[1]伊福廷[2]张菊芳[2],
来源：北京同步辐射装置2005年学术年会暨学术委员会 年份：2005
经过三十多年的研发,接近式X射线光刻技术已经非常成熟,其具有分辨率高、焦深大、工艺宽容度大、产量高等诸多优点.对于X射线掩模吸收体材料,如果选择金,只能采用电镀工艺,而...
[会议论文] 作者：陈宝钦,张立辉,范东升,牛洁斌,刘明,薛丽君,李金儒,汤跃科,王德强,任黎明,龙世兵,陆晶,
来源：第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2005
电子束光刻技术是推动微电子和微细加工发展的关键技术,尤其在先进掩模制造和纳米加工领域中,起到不可替代的作用.为满足科研和生产的需要,我们中国科学院微电子研究所微细加...
[会议论文] 作者：陈宝钦;任黎明;胡勇;龙世兵;陆晶;杨清华;张立辉;牛洁斌;刘明;徐秋霞;薛丽君;李金儒;汤跃科;赵珉;刘珠明;王德强;,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术研究室拥有一个由美国GCA3600F图形发生器、GCA3696分步重复精缩机、日本JEOLJBX6AⅡ电子束曝光系统和JEOLJBX5000LS电子束光刻系...
[会议论文] 作者：陈宝钦,胡勇,龙世兵,陆晶,杨清华,张立辉,范东升,康晓辉,牛洁斌,刘明,薛丽君,李金儒,汤跃科,赵敏,刘珠明,王德强,任黎明,
来源：第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2005
中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术研究室拥有一个由美国GCA3600F图形发生器、GCA3696分步重复精缩机、日本JEOLJBX6AⅡ电子束曝光系统和JEOLJBX5000LS电子束光刻系统及美国应用材料公司捐赠的ETECMEBES4700SE-BeamPatternGeneratorSystem组成的微光刻......
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