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[学位论文] 作者：董立军,,
来源： 年份：2005
本文以中国古代造像为研究对象,以历代人像为主要线索,依据中国历代造像的历史文化背景,考察历代造像的基本状况。在此基础上,梳理中国历代造像的发展脉络,结合历史文献认识...
[学位论文] 作者：董立军,
来源：东北大学 年份：2005
抚顺是一个地质灾害频繁发生的城市，市区地质灾害具有灾种多、灾情重、面积广、经济损失严重的特点。目前，抚顺市区地质灾害已经成为城市经济发展、规划建设的瓶颈，严重束缚抚顺......
[会议论文] 作者：董立军,陈大鹏,
来源：第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2005
用原子力显微镜对不同淀积条件下制备的低应力LPCVD氮化硅薄膜的表面粗糙度进行了测量,发现了低应力LPCVD氮化硅薄膜的表面粗糙度可以在几个纳米到几个埃之间变化.同时发现在各种工艺条件中淀积压力对低应力LPCVD氮化硅薄膜的表面粗糙度影响最为显著.......
[期刊论文] 作者：董存杰,董立军,王恩德,
来源：地质与资源 年份：2005
海城市庙沟富铅锌银矿床位于虎皮峪倒转背斜北翼的高家峪组内,沿南北向断裂上侵的辉长岩体萃取了下伏大石桥组三段和成矿物质,在早期形成的顺层破碎带内形成了 1条矿体, 4条...
[期刊论文] 作者：刘渝珍,陈大鹏,王小波,董立军,
来源：半导体学报 年份：2005
在3.75eV的激光激发下，利用LPCVD在800-950℃不同温度下沉积富硅的SiNx薄膜中，在室温下观测到1～5个高强度可见荧光的发射．通过TEM，IR，XPS等的分析研究表明，文中所获样品为纳米硅镶嵌......
[期刊论文] 作者：董立军, 刘渝珍, 陈大鹏, 王小波,
来源：发光学报 年份：2005
室温下在3.45 eV的激光激发下,对950 ℃温度下淀积的LPCVD富硅的SiNx薄膜中,观测到5 个高强度的可见荧光的发射.其峰位位置分别为2.7, 2.69, 2.4, 2.3, 2.1 eV.通过TEM、IR、...
[期刊论文] 作者：王小波,刘渝珍,奎热西,董立军,陈大鹏,
来源：发光学报 年份：2005
低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx:H薄膜,在3.75 eV的激光激发下,室温下发射1～3个高强度的可见荧光.在相同的沉积温度下(900℃),选择不同的SiH2Cl2和NH3气体配比...
[会议论文] 作者：石莎莉,欧毅,董立军,陈大鹏,叶甜春,
来源：第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2005
牺牲层释放技术是制备薄膜器件的关键技术之一,牺牲层去除能释放表面硅工艺中的薄膜悬浮结构,或形成空腔.然而在释放过程中,多数情况下会出现粘连现象,导致结构失效.为解决该黏附问题,基于固态升华原理研制了一种牺牲层释放设备.结合牺牲层释放的特殊工艺要求,......
[期刊论文] 作者：廖勇明,董立军,韩敬东,陈大鹏,叶甜春,
来源：电子工业专用设备 年份：2005
用SiH2Cl2在3种温度下进行了多晶硅薄膜的沉积,根据膜厚计算出了沉积速率,用SEM、XRD和薄膜应力测试仪对薄膜进行测试分析.证明用SiH2Cl2在950℃时可以快速沉积用于MEMS的多...
[期刊论文] 作者：焦斌斌,陈大鹏,叶甜春,欧毅,董立军,杨清华,
来源：电子工业专用设备 年份：2005
随着扫描隧道显微镜(SPM)家族的成熟,悬臂梁微尖端MEMS器件的广泛应用前景也逐渐清晰.对悬臂梁微尖端MEMS器件的种类、微尖端制作方法以及现今的研究应用方向进行了论述,最后...
[期刊论文] 作者：何正淼,宋克柱,汤家骏,王超,朱耀强,董立军,
来源：数据采集与处理 年份：2005
针对水下地震信号的特点,设计研制了一个24位分辨率精度、120 dB动态范围的地震数据采集系统.通过采用基于Sigma-Delta技术的24位ADC芯片CS5372和配合使用的数字滤波芯片CS53...
[期刊论文] 作者：陈国俊,王瑞珩,任子云,李业山,董立军,孟小鹏,
来源：现代中西医结合杂志 年份：2005
前列腺肥大患者术后膀胱痉挛较为常见,频繁发作的膀胱痉挛不仅加重患者的痛苦,更可继发手术后出血加重,冲洗管路不通畅,甚至膀胱冲洗液和尿液沿尿管周围自尿道外口溢出,大大...
[会议论文] 作者：谢常青,牛洁斌,王德强,董立军,陈大鹏,伊福廷,张菊芳,
来源：北京同步辐射装置2005年学术年会暨学术委员会 年份：2005
经过三十多年的研发,接近式X射线光刻技术已经非常成熟,其具有分辨率高、焦深大、工艺宽容度大、产量高等诸多优点.对于X射线掩模吸收体材料,如果选择金,只能采用电镀工艺,而...
[会议论文] 作者：谢常青[1]牛洁斌[1]王德强[1]董立军[1]陈大鹏[1]伊福廷[2]张菊芳[2],
来源：北京同步辐射装置2005年学术年会暨学术委员会 年份：2005
经过三十多年的研发,接近式X射线光刻技术已经非常成熟,其具有分辨率高、焦深大、工艺宽容度大、产量高等诸多优点.对于X射线掩模吸收体材料,如果选择金,只能采用电镀工艺,而...
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