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[期刊论文] 作者：陈传荣,赵霞,蒋幼泉,
来源：微纳电子技术 年份：2004
就GaAs MMIC中器件通孔的应力分布、受力结构和应力来源展开讨论,得出了应力聚集于通孔边缘和圆形通孔具有最强受力能力的结论,并提出了降低应力的解决方案....
[期刊论文] 作者：彭龙新,李建平,蒋幼泉,魏同立,
来源：东南大学学报(自然科学版) 年份：2004
S波段单片低噪声放大器采用了0．5μm φ3英寸(76．2mm)砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺，由三级自偏电路构成，单电源(+5V)供电．对3英寸圆片上的放大器芯片进行直流测试后，随机抽取......
[期刊论文] 作者：彭龙新, 周正林, 蒋幼泉, 林金庭, 魏同立,
来源：稀有金属 年份：2004
报道了X波段0.5 μm GaAs PHEMT 全单片低噪声放大器芯片.该放大器芯片由四级级联放大电路构成.芯片面积为2.43×1.85 mm2.该放大器芯片在通带内测试结果为: 在工作条件V...
[期刊论文] 作者：洪倩,陈新宇,郝西萍,陈继义,蒋幼泉,李拂晓,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
论述多栅开关的结构和特点.开关设计中需要考虑的一个重要因素是提高开关功率处理能力的同时减小插损,多栅开关由于其特殊的结构,很好地解决了这一问题.采用多栅结构,设计的...
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