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[会议论文] 作者：袁明文,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
GaN器件已开始步入实用化阶段,具有优越性能的GaN器件的频率范围已从L波段覆盖到Ka波段,将为其在无线通信中的应用展示了极为广阔的前景....
[期刊论文] 作者：W.J.Devlin,袁明文,,
来源：半导体情报 年份：2004
一、引言无论在低噪声领域还是在大功率工作方面,都已确立了 GaAs MES FET 的地位,从而开展了许多可靠性的探讨。已报道了铝栅金属化系统的退化机理,并且提出了用耐熔金属系...
[期刊论文] 作者：J.Wholey,袁明文,,
来源：半导体情报 年份：2004
提出一种从根本上提高微波 GaAs FET 器件性能的新工艺技术。它包括结构新奇的栅电极,既能减少栅电阻又可制作自对准沟道。讨论了这种结构在理论上和实验上的优点,以及在制作...
[期刊论文] 作者：H.B.kim,袁明文,,
来源：半导体情报 年份：2004
一、引言离子注入后退火的控制气氛技术(CAT 或非密封)提供一种有用的方法,可以激活注入的离子和降低离子注入引起的晶格损伤。该方法的目的是提供适当的气氛,维持 GaAs表面...
[期刊论文] 作者：P.Mollar,袁明文,,
来源：半导体情报 年份：2004
近几年内,投影式掩模对准装置已成为实用的生产设备,并已确认,用于大规模集成电路,较之标准的接触式设备优越得多。本文将讨论在生产工艺中使用掩模对准装置时所出现的某些...
[期刊论文] 作者：Chiung T.Li,袁明文,,
来源：半导体情报 年份：2004
本文介绍了一个离子注入的、应用于K波段的0.5微米栅长GaAsMESEFT。采用硅注入形成沟道层和N~+接触层。该器件在18千兆赫下增益9.8分贝,其外推的最高振荡频率f_(max)约80千兆...
[期刊论文] 作者：袁明文,王邦林,
来源：科技创业家 年份：2004
本文阐述了用热继电器对电动机进行长期过载保护时,对热继电器动作特性的要求和实际应用热继电器过程中整定方法存在的误差,并通过比较3个生产厂家的热继电器制造标准,提出对...
[期刊论文] 作者：袁明文,王邦林,
来源：科技创业家 年份：2004
本文从变频器的主电路基本结构和变频器的基本工作原理出发,阐述了变频器上升时间、下降时间、V/f曲线和启动电压等四个关键运行参数的含义.通过分析这四个参数在不同设置情...
[期刊论文] 作者：Patrick H Wang,袁明文,,
来源：半导体情报 年份：2004
在1微米栅长的GaAs FET中观察到反常的雪崩效应和耿效应。讨论了它们引起微波电路的恶化以及这些效应形成的原因。还报导了消除这些不良效应的几种可行的解决办法。Anomalo...
[期刊论文] 作者：井田雅夫,袁明文,,
来源：半导体情报 年份：2004
由于砷化镓场效应晶体管是一种必不可少的微波有源器件,因此为了提高该器件的频率并降低噪声,有必要将其栅长缩短到1微米以下。迄今,实现亚微米栅长的方法既有传统的光刻技...
[期刊论文] 作者：井田雅夫,袁明文,,
来源：半导体情报 年份：2004
由于砷化镓肖特基栅场效应晶体管的输入输出阻抗比双极晶体管高,设计宽带放大器有一定的困难。本报告用如下的结构实现了宽带化。首先,利用有限长的50欧姆线路将设计在中心...
[期刊论文] 作者：加纳一郎,袁明文,,
来源：半导体情报 年份：2004
微细图形加工技术是获得集成电路高度集成化的基本条件,其中将图形对准光刻,即所谓的直线对准器作用很大。接触曝光方法由于图形的复印精度高而且设备价廉的原因,在历来的 I...
[期刊论文] 作者：E·James Crescenzi,袁明文,,
来源：半导体情报 年份：2004
业已证明单片的GaAs集成电路是混合电路组件中的普通分立器件的合算替换者。其主要的优点是尺寸小、增益高和响应较平坦。It has been demonstrated that monolithic GaAs...
[期刊论文] 作者：梅钵昭太郎, 袁明文,,
来源：半导体情报 年份：2004
砷化镓场效应晶体管自从1966年由 C.A.Mead 提出以来,正在深入地研究发展中,迄今,作为微波用的晶体管几乎已达到实用阶段。在这种微波用的 FET 中,如何缩短栅长的制作工...
[期刊论文] 作者：小川正毅,袁明文,,
来源：半导体情报 年份：2004
为了获得良好的砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(简称 GaAs SBFET),有必要在结构上缩短栅长 L 减少寄生损耗。目前,尤其在缩短栅长方面已做出极大努力,并正在研究接触曝光、投...
[期刊论文] 作者：须山胜彦,袁明文,,
来源：半导体情报 年份：2004
具有和真空管同样性能的固体放大器件的设想已在三十年代就提出来,1948年发明点接触型双极晶体管的巴丁、布拉吞、肖克莱等人最初也是把实现目前的场效应晶体管作为努力的目...
[期刊论文] 作者：小川正毅,袁明文,,
来源：半导体情报 年份：2004
砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管,作为微波晶体管(简称GaAsSBFET)比现存的硅双极晶体管具有更低的噪声和更好的高频特性,而引人注目,现在正迅速付之实用。为了得到GaAsSBFET...
[会议论文] 作者：吕长志,冯士维,王东凤,张小玲,谢雪松,何炎,张浩,徐立国,袁明文,李效白,曾庆明,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结的研究结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制、倒置结构的直流性能低于常规结构,而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂,但它可以获得较常规结构更为优良的直流特性.......
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