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[期刊论文] 作者：陈泉森,张月琴,
来源：核技术 年份：1987
我所于1982年建立了以LC-2A型离子注入机为核心的离子注入实验室后,我们开展了离子注入在红外器件和电荷耦合器件中的应用研究及离子注入物理的研究。离子注入技术已成为我...
[期刊论文] 作者：陈泉森,陈宜方,
来源：红外与毫米波学报 年份：1992
报道了用于红外高分辨率扫描仪的1～3μmHgCdTe光伏型列阵探测器的研制和性能....
[期刊论文] 作者：陈泉森,张月琴,林和,
来源：红外研究(A辑) 年份：1986
离子注入Hg_(1-x)Cd_xTe是制备光伏红外探测器的关键工艺。国外已采用该工艺制备出高性能的HgCdTe多元列阵和焦平面器件。但其掺杂机制及退火机制尚不清楚,一般认为所有的元...
[期刊论文] 作者：林和,陈泉森,杨秀珍,
来源：红外研究(A辑) 年份：1986
Hg_(1-x)Cd_xTe材料是一种缺陷半导体,它既可通过控制缺陷成结,也可用掺杂方法成结。掺杂的方法又有扩散及离子注入两种。对不同形式的Hg_(1-x)Cd_xTe PN结的性能进行研究,...
[期刊论文] 作者：王玲杰,林应新,陈泉森,吴作良,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1986
采用离子注入技术,可使栅氧化层的界面态密度从一般的10~(10)cm~(-2).eV~(-1)左右降到1×10~9cm~(-2).eV~(-1)以下.通过对比实验,找到在具体实验条件下的最佳离子注入剂量、...
[期刊论文] 作者：陈泉森,陈宜方,曹竟骁,刘激鸣,
来源：红外与毫米波学报 年份：1992
报道了用于红外高分辨率扫描仪的1～3μmHgCdTe光伏型列阵探测器的研制和性能.The development and performance of 1 ~ 3μmHgCdTe PV array detectors for infrared high r...
[期刊论文] 作者：李齐光,姜山,袁皓心,陈泉森,沈学础,
来源：半导体学报 年份：1990
在77K和室温下,研究了Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.5)p—n结伏安特性随流体静压力的变化,从中得到了禁带宽度E_g的压力系数。结果表明,在低压范围(0...
[期刊论文] 作者：张素英,陈泉森,贡树行,乔怡敏,余中和,
来源：红外研究 年份：1984
本文用液相外延方法制备异质n/p结构n-PbTe/p-PbSnTe/p~+-PbSnTe外延片。衬底为汽相法生长的PbSnTe,晶向为(100),外延生长温度为520°～550℃。在纯净氢气氛下长出平整无沾铅的...
[期刊论文] 作者：胡燮荣,刘兆鹏,陈立信,方家熊,陈泉森,沈杰,
来源：红外研究 年份：1989
考虑了Burstein-Moss效应等因素,得到了光伏探测器的性能公式。...
[期刊论文] 作者：陈泉森,王正官,包昌珍,郑亚民,何钜华,
来源：微细加工技术 年份：1985
本文根据我所红外及光电器件研制工艺中对离子注入的特殊要求,注入机的现有性能及本所技术力量和特色,对LC—2A型注入机离子源、注入能量低(几keV—几百keV)和红外表面测温、...
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