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[学位论文] 作者：高金环,,
来源：河北工业大学 年份：2007
共振隧穿二极管〔RTD〕是一种新型的基于量子共振隧穿效应的两端高速器件,已经在多态存贮、A/D转换、多值逻辑、分频、倍频等方面得到了广泛的应用。RTD器件的快速发展和良好...
[期刊论文] 作者：高金环,
来源：西安邮电学院学报 年份：2007
网络的出现与发展,引导着人类社会生产方式、思维方式、工作方式、学习方式乃至生活方式的重大变革。这种变革,已在教育领域突出地表现出来。本文着重分析了网络环境下大学生...
[期刊论文] 作者：高金环,朱小秋,,
来源：西安邮电学院学报 年份：2007
阐述高校院系资料室的基本教育职能、利用室藏进行教育的可能性以及资料室在文献教育中的作用。...
[期刊论文] 作者：高金环,杨志艺,
来源：山西农业：村委主任 年份：2007
最近，厦门市海沧区-位村民小组长因非法转让农用地使用权，被海沧区法院一审以非法转让土地使用权罪判处有期徒刑2年，缓刑3年，并处罚金人民币6万元。...
[期刊论文] 作者：邵杰,杨柳,王珂琦,高金环,
来源：中国妇幼保健 年份：2007
孕产妇死亡率是代表一个国家或地区政治、经济、文化及卫生综合水平的重要指标，被列入中国妇女和儿童发展纲要及卫生工作三大指标之一。沈阳市通过2001—2005年5年的监测，掌握...
[期刊论文] 作者：潘春跃,张倩,戴潇燕,高金环,,
来源：中南大学学报(自然科学版) 年份：2007
针对现有有效介质理论（EMT）导电模型存在的问题和不足,通过对复合固态聚合物电解质（CSPE）导电性增强机制的分析,引入新的无机填料界面层离子导电模型及模型参数,对EMT离子导电模......
[会议论文] 作者：高兆丰,张士芬,高金环,徐立生,
来源：第十二届全国可靠性物理学术讨论会 年份：2007
本文通过案例分析,对耿氏二极管经常出现的短路、开路及管帽脱落等失效模式及失效机理进行了讨论,并根据失效机理指出了避免以上失效应采取的一些措施,对该器件的制造商和使...
[期刊论文] 作者：张磊,杨瑞霞,武一宾,商耀辉,高金环,,
来源：电子工艺技术 年份：2007
对GaAs基共振隧穿二极管（RTD）进行了研究，首先用分子束外延（MBE）方法进行AlAs／GaAs／InGaAs双势垒单势阱材料结构的生长。接着用常温光致荧光（PL）方法对结构材料进行了测试分析，其结果显......
[期刊论文] 作者：张磊,杨瑞霞,武一宾,商耀辉,高金环,,
来源：电子器件 年份：2007
用分子束外延技术（MBE）生长了GaAs基共振隧穿二极管（RTD）的材料结构,利用X射线双晶衍射（XRD）方法对材料进行了测试分析.结果表明,材料的双晶衍射峰半峰宽达到16.17″,GaAs层与In0.1......
[期刊论文] 作者：张磊,杨瑞霞,武一宾,商耀辉,高金环,,
来源：半导体学报 年份：2007
用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长制备了不同结构的AlAs/GaAs/InGaAs两垒一阱RTD单管.经过材料生长设计和工艺的改进,测得室温下器件的最高PVCR为2.4,峰值电流密度达...
[期刊论文] 作者：张磊,杨瑞霞,武一宾,商耀辉,高金环,NIU Chen-liang,,
来源：电子器件 年份：2007
用分子束外延技术(MBE)生长了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)的材料结构,利用X射线双晶衍射(XRD)方法对材料进行了测试分析.结果表明,材料的双晶衍射峰半峰宽达到16.17",GaAs层与...
[期刊论文] 作者：高金环,杨瑞霞,武一宾,刘岳巍,商耀辉,杨克武,,
来源：半导体学报 年份：2007
报道了InP衬底AlAs／In0.53Ga0.47As／AlAs两垒一阱结构共振隧穿二极管（RTD）器件的研制．结构材料由分子束外延制备，衬底片为（001）半绝缘InP单晶片，器件制作选用台面结构．测得室温下的峰值......
[期刊论文] 作者：高金环,杨瑞霞,武一宾,贾科进,商耀辉,张磊,杨克武,,
来源：电子器件 年份：2007
报道了InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs结构共振隧穿二极管（RTD）的研制过程.衬底片选用（001）半绝缘InP单晶片,结构材料使用分子束外延（MBE）技术制备,并用PL谱对外延片进行测试,器...
[期刊论文] 作者：罗成宏,朱东铭,朱珍棠,崔玉真,高金环,陈庆深,罗少红,
来源：广东医学 年份：2007
目的探讨单纤维肌电图（SFEMG）在糖尿病亚临床周围神经病诊断中的应用价值。方法2型糖尿病患者65例，采用KEY POINT 4CH型肌电图仪，测定指总伸肌的颤抖（Jitter）和纤维密度（FD），同时进行......
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