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[会议论文] 作者：陈树权,
来源：中国空气动力学会第四届四次空气动力学会测控交流会 年份：2003
文中结合实际研制开发工作,介绍了"铁路客货车轴承微机检测系统"的硬件设计和软件设计,阐述了以工控机为测控中心,利用RS-232串行接口实现轴承数据通讯,由工控机进行分析、运...
[期刊论文] 作者：陈广权,
来源：数学通讯 年份：2003
题 席间 ,只有一个无刻度的三两酒杯和两个无刻度的已盛满八两白酒的瓶 (再无其它度量衡 ) ,现四人围坐企图平分 ,问是否可行 .答 现将四人记为A ,B ,C ,D ,酒杯记为a ,酒...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
美国 Velocium 公司开发出光纤通信系统用40Gb/s 最高传输速率调制器驱动 IC。该驱动器设计带宽50GHz,用于40Gb/s 高速光传输系统和通信测试设备中。这种型号为 AUH232的调...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
2003年9月23日南京高新半导体公司在江北高新技术产业开发区动工建设,总投资达3.6亿美元,是第一个投资南京的半导体芯片项目,预计2005年建成投产后,产品将有一半供应国外市...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
Berkeley实验室的研究人员在Si衬底上采用氮化铪(H_fN)中间层生长出优良结构和光学质量的GaN膜。这些研究人员还建立了在Si上淀积H_fN和在H_fN上淀积GaN的工艺参数。用Si衬...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
Cree 公司在其先前开发的1A 和4A 整流管基础上又推出一种新的600V、10A 的碳化硅(SiC)肖特基整流管。这种名为 Zero Recovery 的整流管用于高频电源和功率因素校正中的功率...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
丹麦Topsil半导体材料公司建立了一条高阻率Si衬底新生产线。他们用浮区法生长高阻率Si单晶衬底。用于微波、毫米波领域。该公司声称这种高阻率Si可取代传统的RF衬底,并可将...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
RF子系统供货商Endwave公司与安全掩蔽系统秘密安装开发商SafeView公司签约,开发并制造毫米波收发机组件。迄今所完成的大多数毫米波成像开发工作都是穿云破雾成像的军事研...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
东芝公司在日本京都VLSI研讨会上宣布了两项新工艺开发,一项是用于65nm CMOS的一种新的高介电常数K栅介质HfSiON,另一项是用绝缘体硅上硅(SOI)晶片制造的世界上首只隐埋动态...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
加拿大国家研究院(NRC)的“分子束外延(MBE)生长半绝缘掺C GaN”获得美国专利(专利号6544867)。该专利描述了通过掺杂C并用胺分子束外延生长半绝缘GaN外延层的方法。基于这...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
Z—Communications 公司宣布开发出型号为 V586 ME08的压控振荡器(VCO)。这种压控振荡器的带宽宽,为850MHz,无噪频谱信号的相噪性能为-97dBc/Hz。开发这种新器件是为了满足...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
希腊雅典国家科研中心与德国哈雷Max Planck学院的研究人员开发出一种类似于单片技术的工艺流程,用以将Ⅲ—Ⅴ族光电子器件与商业化CMOS ICs相集成。这项技术是基于一种低温...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
Hittite Microwave公司推出一族覆盖频率为:DC～10.0 GHz的四个InGaP HBT增益组合(Gain Block)MMIC放大器。该放大器芯片可被用作级联50 Ω增益级,或用来驱动输出功率高至+17...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
日本Hitachi Cable公司的研究人员开发出用来制备大尺寸独立式GaN晶片被称之为“空隙辅助分离”新技术。在以蓝宝石为衬底,MOVPE生长的GaN模板的TiN顶层膜上氢化物汽相外延...
[期刊论文] 作者：陈进权,
来源：集邮博览 年份：2003
香港明年的新邮,除了邮票、小版张、小全张、无齿小型张、邮资已付图片卡与往年相同外,另增加了新设计的5元面值小型张及极限片,但这些极限片只是用邮资已付Hong Kong nex...
[期刊论文] 作者：陈进权,
来源：集邮博览 年份：2003
日前,香港邮政公布了2003年新邮发行计划以及邮票图稿,共计发行15套(种)新邮品。1月12日发行的并非如往年的生肖邮票,而是1套“香港迪斯尼乐园”,这是为纪念该乐园于2003年...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
美国得克萨斯大学和伊利诺斯大学联合开发出一种高性能δ掺杂 AlGaN/AIN/GaNHFET,其外延异质结构用低压 MOCVD 方法生长。这种性能极好的器件以半绝缘4H—SiC 作衬底。其外...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
日本名古屋美津大学的一个研究小组演示了用一种新的外延层过生长技术生长的高效率UV—LED,用这种外延层过生长技术可减少蓝宝石上生长材料中的位错密度。这种MOCVD生长技术...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
化合物半导体外延晶片的领先开发与生产厂家EpiWorks公司宣布已具备生产高性能808 nm GaAs激光器晶片的能力。 808 nm GaAs激光器对许多工业用途如做标记、编码及焊接来说是...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2003
目前市售SiC材料的最大直径仅为3英寸,而且SiC材料还有缺陷,限制了它在元器件方面的应用。微管缺陷是SiC体材料较大缺陷,它看上去象裂纹。这种微管缺陷限制了晶片的可用有效...
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