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[期刊论文] 作者：张权生,石志文,杜云,芦秀玲,吴荣汉,林世鸣,
来源：高技术通讯 年份：1998
自行设计并研制成功了两种有源时分光子交换器件：ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＥＭＰＢＨ双稳激光器及ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＭＱＷＤＣＰＢＨ双稳激光器，对这两种器件的部分性能作了简要报道。Two types of active-time photon exchange devices, InGaAs......
[期刊论文] 作者：周震,韩勤,杜云,杨晓红,吴荣汉,黄永清,任晓敏,
来源：半导体学报 年份：2005
成功研制了GaAs基MOEMS可调谐RCE光探测器．该器件采用单悬臂梁结构，在6V的小调谐电压下，获得了31nm的连续调谐范围．在调谐过程中，峰值量子效率最大为36．9％，最小为30．8％；FWHM最大为20nm，最......
[期刊论文] 作者：张耀辉,江德生,李锋,吴荣汉,周均铭,梅笑冰,
来源：半导体学报 年份：1993
我们利用光电流谱在１０－３００Ｋ温度范围内研究了ＧａＡｓ／Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ（３５°Ａ／３５°Ａ）短周期超晶格中的Ｗａｎｉｅｒ－Ｓｔａｒｋ效应，实验发现ｏｈ激子峰随电场的增加而展宽。我们把激子峰的场致展宽归因于：Ｗａｎｎｉｅｒ－Ｓｔａｒｋ局域化使界面的涨落对电子态的散射......
[期刊论文] 作者：周震, 杨晓红, 韩勤, 杜云, 彭红玲, 吴荣汉, 黄永清,
来源：光电子．激光 年份：2005
报道了一种具有高速响应特性的GaAs基长波长谐振强增强型(RCE)光探测器,它采用分子束外延技术(MBE)在GaAs衬底上直接生长GaAs/AlAs布拉格反射镜(DBR)和GaInNAs/GaAs多量子阱...
[期刊论文] 作者：倪海桥,徐晓华,张纬,徐应强,牛智川,吴荣汉,
来源：物理学报 年份：2004
用Keating的价力场 (valenceforcefield)模型和蒙特卡罗方法计算了GaAs GaInNAsSb超晶格中键的分布、原子的精确位置以及应变 .用折叠谱法 (foldedspectrummethod)结合Willia...
[期刊论文] 作者：周震,韩勤,杜云,杨晓红,吴荣汉,黄永清,任晓敏,
来源：半导体学报 年份：2005
成功研制了GaAs基MOEMS可调谐RCE光探测器.该器件采用单悬臂梁结构,在6V的小调谐电压下,获得了31nm的连续调谐范围.在调谐过程中,峰值量子效率最大为36.9%,最小为30.8%;FWHM...
[期刊论文] 作者：韩勤,彭红玲,杜云,倪海桥,赵欢,牛智川,吴荣汉,,
来源：光子学报 年份：2006
利用低温（200℃）生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1．55μm谐振腔增强型（RCE）光电探测器，对其光电特性进行了分析、研究．无光照0偏压下探测器暗电流为8．0×10^12A；光电流谱峰......
[期刊论文] 作者：杨晓红,杜云,吴荣汉,赵榆霞,李兆,周家云,沈玉全,
来源：半导体学报 年份：2002
利用聚合物材料研制出热光 Mach- Zehnder(MZ)型干涉调制器 ,单位相移为 1.5 3π/ (cm·℃ ) ,产生 π相移所需功率为 12 m W.热光开关的响应时间为 1.2 m s,消光比为 16 d B...
[期刊论文] 作者：徐大鹏,王玉田,杨辉,郑联喜,李建斌,段俐宏,吴荣汉,
来源：中国科学(A辑) 年份：1998
利用DCXRD(X射线双晶衍射 ) ,PL谱 (光荧光 )和SEM (扫描电子显微镜 ) ,对在GaAs( 1 0 0 )衬底上用低压MOCVD方法生长的立方相GaN进行了深入研究 ,发现GaN的晶体质量和光学性...
[期刊论文] 作者：陈弘达,梁琨,曾庆明,李献杰,陈志标,杜云,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：2000
Optoelectronic smart pixels with hybrid integration of GaAs/AlGaAs multiple quantum well (MQW) detectors and modulators arrays have beed made,which are flip|ch...
[期刊论文] 作者：ZHANG Wei(张玮),XU Ying-Qiang(徐应强),NIU Zhi-Chuan(牛智川),WU Rong-Han(吴荣汉),
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2003
Based on the band anticrossing model, the effects of the strain-compensated layer and the strain-mediated layer on the band structure, gain and differential gai...
[期刊论文] 作者：吴荣汉,高文智,赵军,段海龙,林世鸣,钟战天,黄永箴,王启明,
来源：光子学报 年份：1995
采用了分子束外延技术生长含有大周期数的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ多量子阱及分布喇格反射器的ＰＩＮ结构器件，研究了量子限制斯塔克效应，分布布喇格反射及非对称腔模效应对光的反射调制作用及这三种效应的兼......
[期刊论文] 作者：钟战天,周小川,杜全钢,周鼎新,吴荣汉,王森,李承芳,於美云,
来源：半导体学报 年份：1994
本文报道我们研制的高灵敏度、低暗电流的ＧａＡｓ量子阱长波长红外探测器的制备和性能。探测器具有５０个ＧａＡｓ量子阱和Ａｌ０．２８Ｇａ０．７２Ａｓ势垒，器件制成直径为３２０μｍ的合面型式单管。探测器的主要性能－响应率和探测率......
[期刊论文] 作者：周震,杨晓红,韩勤,杜云,彭红玲,吴荣汉,黄永清,任晓敏,
来源：光电子·激光 年份：2005
报道了一种具有高速响应特性的GaAs基长波长谐振强增强型(RCE)光探测器,它采用分子束外延技术(MBE)在GaAs衬底上直接生长GaAs/AlAs布拉格反射镜(DBR)和GaInNAs/GaAs多量子阱...
[期刊论文] 作者：高洪海,林世鸣,康学军,高俊华,王立轩,王红杰,吴荣汉,
来源：光子学报 年份：1997
本文通过对垂直腔面发射激光器发光波长随器件本身温度变化的实验研究，得到了我们研制的垂直腔面发射激光器在连续工作状态下内部温度升高的值，并且通过对激光器脉冲激射阈值随......
[期刊论文] 作者：陈弘达,张以谟,郭维廉,吴荣汉,高文智,陈志标,杜云,
来源：天津大学学报 年份：1998
研究了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的电场光调制特性，测量了光反射谱、光电流谱和光电流电压特性．结果表明，在Ｉ－Ｖ特性中存在光电流负微分电阻区．由这种多量子阱材料制备的自电光效应器件（ＳＥＥＤ）观察到明显......
[期刊论文] 作者：赵欢,杜云,倪海桥,张石勇,韩勤,徐应强,牛智川,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：2007
研究了原位和非原位退火对分子束外延生长的GaInNAsSb/GaNAs/GaAs量子阱激光器的作用.通过快速热退火量子阱质量得到很大提高,这一方法还很少被应用于激光器的制作,特别是波...
[期刊论文] 作者：毛陆虹,陈弘达,梁琨,唐君,吴荣汉,粘华,郭维廉,吴霞宛,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2002
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：毛陆虹,陈弘达,梁琨,唐君,吴荣汉,粘华,郭维廉,吴霞宛,
来源：半导体学报 年份：2002
给出了垂直腔面发射激光器的小信号电路模型和调制特性 ,调制特性用解析计算和电路模型模拟两种方法得到 ,解析计算和电路模型模拟的结果一致 ,实验证实了电路模型的正确性...
[期刊论文] 作者：邓晖,陈弘达,梁琨,杜云,唐君,黄永箴,潘钟,马骁宇,吴荣汉,
来源：光电子．激光 年份：2001
本文分析计算了InGaAs／GaAs多量子阱(SEED)的激子吸收行为，对器件的多量子阱及谐振腔结构进行了设计和理论分析，用MOCVD系统生长了多量子阱外延材料，并且对器件的反射谱和光电流...
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