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[期刊论文] 作者：杨春雷,王建农,葛惟锟,崔利杰,曾一平,
来源：物理 年份：2007
文章通过自旋光电流与Kerr效应的实验，介绍在自旋一轨道耦合的体系中，如何通过自旋注入来驱动电子的运动产生电流，又如何反过来通过电子的运动或电流在系统中产生自旋激化．实验结......
[期刊论文] 作者：王晓亮,孙殿照,孔梅影,侯洵,曾一平,
来源：半导体学报 年份：1998
本文研究了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＩｎＰ应变多量子阱中激子跃迁能量随Ｉｎ组分的变化。用国产ＧＳＭＢＥ设备生长了五个样品，这五个样品的阱宽均为５ｎｍ，垒宽均为２０ｎｍ，唯一的不同之处是阱层中的Ｉｎ组分不同，Ｉｎ组分从０．３９变化到０．６８。用Ｘ射线双晶衍......
[期刊论文] 作者：曾一平,周立初,闵学刚,方峰,蒋建清,
来源：东南大学学报：自然科学版 年份：2018
利用扫描电子显微镜(SEM)和电子背散射衍射技术(EBSD)研究了冷拔铁素体钢丝经奥氏体化热处理后的遗传织构,以及相变过程中晶体位向变化的特点.结果表明:随着应变量的上升,大...
[期刊论文] 作者：方能新,曾一平,张健,钱梅,徐志荣,颜莉,
来源：中华麻醉学杂志 年份：2004
目的 探讨心肺转流下法洛四联症根治术患儿静脉注射米力农后围术期血浆C-反应蛋白(CRP)及肿瘤坏死因子α(TNF-α)、白细胞介素-8(IL-8)和白细胞介素-10(IL-10)浓度的变化.方法择期行法洛四联症根治术患儿16例,ASAⅢ～Ⅳ级,随机分为2组,每组8例,米力农组(M组)和对......
[期刊论文] 作者：孙国胜，高欣，王雷，赵万顺，曾一平，李晋闽,
来源：中国有色金属学报 年份：2004
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[期刊论文] 作者：孟锡俊,王晓东,闫建昌,曾一平,李晋闽,
来源：半导体技术 年份：2021
着重对紫外(UV)LED芯片的反向漏电进行研究,使用高Al组分的AlGaN材料作为LED外延结构中的电子阻挡层(EBL),旨在解决UV LED芯片在老化后的漏电问题.结果表明,高Al组分的AlGaN...
[期刊论文] 作者：孔梅影,孙殿照,梁基本,黄运衡,曾一平,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1988
利用国产MBE没备,选择合适的生长参数,获得优质的GaAs/Al_xGa(1-x)As量子阱结构。对共性能和结构参数进行了光荧光测量,荧光峰的形状和温度特性是衡量量子阱质量的重要判据。...
[期刊论文] 作者：梁基本,孔梅影,孙殿照,曾一平,黄运衡,
来源：半导体学报 年份：1988
利用国产分子束外延设备研制出高质量GaAs-AlGaAs量子阱结构材料.经光荧光测量分析,其n=1的电子-重空穴自由激子复合发光的谱线很窄,半峰宽仅1.2MeV(阱宽141A,温度10.5K),表...
[期刊论文] 作者：范缇文,张永航,曾一平,陈良惠,徐统,
来源：半导体学报 年份：1990
对GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱材料进行的光致发光(PL),横断面透射电子显微镜(XTEM)和反射电子显微镜(REM)的研究结果表明量子阱材料的结构质量对其光电性能有一定影响。另外,...
[期刊论文] 作者：王春艳,孔梅影,王玉田,郑海群,曾一平,,
来源：半导体情报 年份：1991
利用光荧光和x射线双晶衍射分析方法,研究了MBE GaAs/GaP(001)外延层的能带结构和晶格参数。在外延层厚度大于监界厚度的情况下,GaAs外延层主要受到热膨胀系数不同所引起的张...
[期刊论文] 作者：王晓亮,孙殿照,孔梅影,候洵,曾一平,
来源：半导体学报 年份：1997
在国产CBE设备上，用GSMBE方法首次在国内成功地生长出了具有不同阱宽（1～18nm）的高质量的In0.53Ga0.47As／InP匹配量子阱结构材料，低温光致发光谱测试结果表明：量子阱材料发光谱峰强且......
[期刊论文] 作者：王晓亮,孙殿照,孔梅影,侯洵,曾一平,
来源：半导体学报 年份：1997
我们对用GSMBE技术生长的In0.63Ga0.37AS／lnP压应变单量子阱样品进行了变温光致发光研究，In0.63Ga0.37As阱宽为1nm到11nm，温度变化范围为10K到300K．发现不同阱宽的压应变量子阱中...
Influence of Ⅴ/Ⅲ ratio on the structural and photoluminescence properties of In_(0.52) AlAs/In_(0.53
[期刊论文] 作者：高宏玲,曾一平,王宝强,朱战平,王占国,,
来源：Chinese Physics B 年份：2008
A series of metamorphic high electron mobility transistors (MMHEMTs) with different Ⅴ/Ⅲ flux ratios are grown on GaAs (001) substrates by molecular beam epita...
[期刊论文] 作者：邹继军,杨智,乔建良,常本康,曾一平,,
来源：半导体学报 年份：2008
通过计算电子到达阴极面时的能量分布和求解电子隧穿表面势垒的薛定谔方程得到了透射式NEA GaAs光阴极发射电子能量分布的计算公式.利用该公式仿真研究了阴极表面势垒形状对...
[期刊论文] 作者：马龙,黄应龙,张杨,王良臣,杨富华,曾一平,,
来源：半导体学报 年份：2006
在InP衬底上采用感应耦合等离子体刻蚀技术制备了高性能的AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs共振隧穿二极管.正向偏压下PVCR=7.57,Jp=39.08kA/cm2;反向偏压下PVCR=7.93,Jp=34.56kA/cm...
[期刊论文] 作者：王晓亮,孙殿照,孔梅影,侯洵,曾一平,
来源：半导体学报 年份：1997
在国产CBE设备上，用GSMBE技术在国内首次生长出了一系列高质量的阱层具有不同In组分的InxGa1-xAs／InP应变多星子阶P-i-N结构材料，阶层中的设计In组分从0．39变化到0．68．用X射线双晶...
[期刊论文] 作者：张健,方能新,夏云,曾一平,钱梅,徐志荣,
来源：中华麻醉学杂志 年份：2005
心内直视手术作为应激刺激能够诱发机体炎性反应,心肌细胞的缺血再灌注损伤使该反应进一步得到加强.如何调节机体炎性反应已成为当前此类手术的重要研究课题.米力农(Milrinone)可产生正性变力和血管扩张的双重作用,对机体炎性反应也有调节功能.其对成人和小儿心......
[期刊论文] 作者：董志远,赵有文,曾一平,段满龙,李晋闽,
来源：中国科学E辑:工程科学 材料科学 年份：2004
用深能级瞬态谱(DLTS)研究了高温退火处理后磷化铟中的深能级缺陷.在退火前以及纯磷和磷化铁气氛下,退火后低阻磷化铟中的深能级缺陷的数量和浓度明显不同,磷化铁气氛下退火...
[期刊论文] 作者：李越强,刘雯,王晓东,陈燕凌,杨富华,曾一平,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2010
研究了内嵌InAs量子点的异质结场效应晶体管在室温和低温下的电学特性,获得了量子点影响下器件的输出特性曲线。在室温下,通过分别测试在近红外光照和量子点充电条件下器件的...
[期刊论文] 作者：胡兴敬,方能新,曾一平,张健,钱梅,徐志荣,
来源：安徽医科大学学报 年份：2005
目的比较胸骨劈开前后心肺转流(CPB)瓣膜置换术患者P-选择素(CD62P)、白细胞介素-8(IL-8)和白细胞介素-10(IL-10)血浆水平变化.方法 12例择期行CPB心瓣膜置换手术的患者,ASA...
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