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[期刊论文] 作者：佟存柱,牛智川,韩勤,吴荣汉,
来源：物理学报 年份：2004
结合垂直腔面发射激光器(VCSEL)原理以及量子点增益特点,计算了不同结构VCSEL的腔内损耗和量子点的模式增益.分析了激光器阈值特性以及氧化限制层对光损耗的影响.设计了含氧...
[期刊论文] 作者：杨晓红,杜云,石志文,吴荣汉,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2004
制备了一种以三层聚合物为波导材料的Mach-Zehnder型电光调制器，其中芯层为新型可交联极化聚胺脂电光功能材料．主要制备工艺为：旋涂制备波导薄膜、电晕极化、光刻和氧反应离子刻......
[期刊论文] 作者：杨晓红,杜云,殷爱民,石志文,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：2004
制备了一种全部以聚合物为波导材料的电光调制器 ,其中芯层为新型可交联极化聚胺脂电光功能材料 .旋涂制备波导薄膜、电晕极化产生非线性、光刻和氧反应离子刻蚀完成脊波导为...
Ridge Waveguide Electro-Optic Polymer Modulator with a New Kind of Corona Poled Crosslinkable Polyur
[期刊论文] 作者：杨晓红,杜云,殷爱民,石志文,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：2004
制备了一种全部以聚合物为波导材料的电光调制器，其中芯层为新型可交联极化聚胺脂电光功能材料．旋涂制备波导薄膜、电晕极化产生非线性、光刻和氧反应离子刻蚀完成脊波导为主要......
Effects of Growth Conditions on Optical Properties of GaInNAs/GaAs Quantum Well Grown by Molecular B
[期刊论文] 作者：李联合,潘钟,张伟,林耀望,王学宇,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：2004
During the process of molecular beam epitaxy employing a DC plasma as N source,the effects of the growth temperature, growth rate and As4 pressure on the optica...
[期刊论文] 作者：杨晓红,梁琨,韩勤,牛智川,杜云,吴荣汉,
来源：光子学报 年份：2004
提出利用超薄有源层制备高性能谐振腔增强型(RCE)半导体电吸收调制器件的可能性,并与波导型器件进行性能对比;对透射和反射两种类型器件优化分析了器件结构,进行了性能比较,...
[期刊论文] 作者：梁琨,陈弘达,杜云,唐君,杨晓红,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：2004
采用相同生长结构的MOCVD外延片,研究制备适用于单片集成的垂直腔面发射与接收器件及列阵,发射及接收波长相同,由谐振腔模式决定.采用双氧化电流限制结构,优化串联电阻,提高...
[期刊论文] 作者：石志文,应志春,陈廷杰,应冉沂,吴荣汉,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2004
研制了计算机程序控制的电晕极化系统,系统由 586计算机、加热设备、高压电源、计算机程序控制硬件设备和软件等组成,实现了电晕极化实验自动化.此实验系统使用方便、灵活、...
[期刊论文] 作者：倪海桥,徐晓华,张纬,徐应强,牛智川,吴荣汉,
来源：物理学报 年份：2004
用Keating的价力场 (valenceforcefield)模型和蒙特卡罗方法计算了GaAs GaInNAsSb超晶格中键的分布、原子的精确位置以及应变 .用折叠谱法 (foldedspectrummethod)结合Willia...
[期刊论文] 作者：邓晖,陈弘达,梁琨,杜云,唐君,黄永箴,潘钟,马骁宇,吴荣汉,
来源：光电子·激光 年份：2004
本文分析计算了InGaAs／GaAs多量子阱(SEED)的激子吸收行为，对器件的多量子阱及谐振腔结构进行了设计和理论分析，用MOCVD系统生长了多量子阱外延材料，并且对器件的反射谱和光电流...
[期刊论文] 作者：徐晓华,牛智川,倪海桥,徐应强,张纬,贺正宏,韩勤,吴荣汉,,
来源：物理学报 年份：2004
报道了(GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs量子阱结构的分子束外延生长与光致发光谱研究结果.变温与变激发功率光致发光谱的研究表明了此结构为二型量子阱发光性质.讨论了光谱双峰...
[期刊论文] 作者：王海嵩,杜国同,崔宏峰,许呈栋,宋俊峰,杜云,陈弘达,吴荣汉,
来源：中国激光 年份：2004
采用钨丝做掩模,进行倾斜的离子注入优化电流限制区,制作出室温连续的垂直腔面发射激光器件.该器件的最低阈值电流为1.4 mA,串联电阻约207 Ω, 输出光功率超过1 mW....
[期刊论文] 作者：牛智川,倪海桥,方志丹,龚政,张石勇,吴东海,孙征,赵欢,彭红玲,韩勤,吴荣汉,,
来源：半导体学报 年份：2004
报道了分子束外延生长的1·3μm多层InGaAs/InAs/GaAs自组织量子点及其室温连续激射激光器.室温带边发射峰的半高宽小于35meV,表明量子点大小比较均匀.原子力显微镜图像显示,...
[期刊论文] 作者：黄辉,王兴妍,王琦,黄永清,任晓敏,高俊华,张胜利,刘宇,祝宁华,马骁宇,杨晓红,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：2004
报道了一种长波长的 In P基谐振腔 (RCE)光电探测器 .采用选择性湿法刻蚀 ,制备出基于 In P/空气隙的分布布拉格反射镜 ,并将该结构的反射镜引入 RCE光电探测器 .制备的器件...
[期刊论文] 作者：Zhi-Chuan(牛智川),NI Hai-Qiao(倪海桥),XU Ying-Qiang(徐应强),ZHANG Wei(张玮),HE Zheng-Hong(贺正宏),HAN Qin(韩勤),WU Rong-Han(吴荣汉,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2004
We report a systematical study on the molecular beam epitaxy growth and optical property of (GaAs1-xSbx/Iny Ga1-yAs)/GaAs bilayer quantum well (BQW) structures....
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