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[期刊论文] 作者：夏晓娟,易扬波,
来源：微电子学 年份：2006
介绍了一种CMOS基准电压源，该电路由NMOS管阈值电压的温度系数及NMOS管迁移率温度系数形成温度补偿，产生低温度系数的基准电压。与传统的带隙基准比较而言，不需要三极管；另外，通过......
[期刊论文] 作者：孙伟锋,易扬波,陆生礼,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
研究了常规LEDMOS，带有两块多晶硅场极板LEDMOS以及带有两块多晶硅场极板和一块铝场极板的LEDMOS表面电场分布情况，重点研究了多块场极板在不同的外加电压下，三种LEDMOS的表面峰...
[期刊论文] 作者：孙伟锋,易扬波,陆生礼,时龙兴,
来源：半导体学报 年份：2006
提出了体硅LDMOS漂移区杂质浓度分布的一种二维理论模型,根据该模型,如果要使带有场极板的LDMOS得到最佳的性能,那么LDMOS漂移区的杂质浓度必须呈分段线性分布.用半导体专业...
[期刊论文] 作者：孙伟锋,俞军军,易扬波,陆生礼,,
来源：微电子学 年份：2006
建立了高压SOI-LDMOS截止频率ft的提取方法，并借助半导体器件专业软件Tsuprem-4和Medici，对截止频率ft与栅源电压Kgs和漏源电压Vds的关系进行了分析；研究了栅氧化层厚度、漂移区...
[期刊论文] 作者：宋慧滨,唐晨,易扬波,孙伟锋,,
来源：半导体技术 年份：2006
在分析功率集成电路中闩锁效应的基础上，采取一种抗闩锁方法，即在高低压之间做一道接地的少子保护环。通过对环的电位、位置和宽度的研究，利用软件工具Tsuprem4和Medici进行模拟......
[期刊论文] 作者：孙伟锋,易扬波,陆生礼,时龙兴,,
来源：半导体学报 年份：2006
提出了体硅LDMOS漂移区杂质浓度分布的一种二维理论模型,根据该模型,如果要使带有场极板的LD MOS得到最佳的性能,那么LDMOS漂移区的杂质浓度必须呈分段线性分布.用半导体专业...
[期刊论文] 作者：孙伟锋,孙智林,易扬波,陆生礼,时龙兴,
来源：东南大学学报：英文版 年份：2006
高压P-LDMOS的失效实验分析表明其沟道区的高峰值电场会导致沟道区的热载流子效应，从而将降低高压P-LDMOS的可靠性．借助半导体器件专业软件Tsuprem-4和Medici的模拟给出了高压P...
[期刊论文] 作者：孙伟锋,孙智林,易扬波,陆生礼,时龙兴,,
来源：Journal of Southeast University(English Edition) 年份：2006
高压P-LDMOS的失效实验分析表明其沟道区的高峰值电场会导致沟道区的热载流子效应,从而将降低高压P-LDMOS的可靠性.借助半导体器件专业软件Tsuprem-4和Medici的模拟给出了高...
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