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[期刊论文] 作者：朱长纯,
来源：中国高新技术企业 年份：2002
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[期刊论文] 作者：朱长纯,
来源：纳米科技 年份：2004
纳米科技是20世纪80年代发展起来的前沿交叉学科。它利用现代化的微观测试技术和手段,将人类认识自然、改造自然的工作带入到一个全新的领域——介观世界。在这片全新的领域...
[期刊论文] 作者：朱长纯,
来源：稀有金属 年份：1987
本文阐述了超薄热生长氮化硅膜的工艺和在一些器件中作为半绝缘的隧道薄膜的优点,研究了氨气中硅直接热氮化膜的性质,并用该氮化膜制成了金属-半绝缘膜-N-P~+结构的快速开关...
[期刊论文] 作者：朱长纯,
来源：新闻传播 年份：2022
现代信息技术的发展为出版社工作的创新提供了思路,随着科技不断发展,“互联网+”逐渐成为社会发展趋势.“互联网+”背景下出版社编辑工作发生了很大变化,这让当前出版社的工作面临挑战,也迎来了发展机遇.基于时代发展需求,出版社编辑工作需要迎合时代发展需要,......
[期刊论文] 作者：李玉魁,朱长纯,
来源：电子元件与材料 年份：2003
利用碳纳米管作为阴极材料的场致发射显示屏是一种新型的平板器件。介绍了三极结构碳纳米管场致发射显示屏的工作原理，基本结构以及寻址方式。重点讨论了在制作器件方面所存在......
[期刊论文] 作者：朱长纯,邓宁,
来源：西安交通大学学报 年份：2000
对不同基底上定向生长的碳纳米管薄的电磁波吸收特性进行了实验研究，结果表明，碳纳米管薄膜对红光及红外激光有极强的吸，对于１０ＧＨz的微波，Ｓi基底上的碳纳米管薄膜基本无吸收作用，但Ｃu基......
[期刊论文] 作者：李玉魁,朱长纯,,
来源：西安科技大学学报 年份：2005
通过采用低熔点玻璃封接技术和高温烧结工艺,实现了稳定可靠的场致发射平板显示器高真空封装.新型的阴极粘贴技术可以实现对各种片状阴极材料进行装配,避免了碳纳米管阴极的...
[期刊论文] 作者：李玉魁,朱长纯,
来源：西安科技大学学报 年份：2004
利用优质云母板作为栅极结构基底材料,结合简单的丝网印刷工艺将导电银浆制作成条状栅极,制作了新型的栅极结构;采用高温分解方法制备了碳纳米管薄膜阴极,制作了三极结构碳纳...
[期刊论文] 作者：于灵敏,朱长纯,
来源：纳米技术与精密工程 年份：2009
为了提高ZnO纳米线的酒敏特性,利用紫光激发经浸渍法获得Ag修饰的ZnO纳米线.利用扫描电子显微镜（SEM）,X射线衍射仪（XRD）对修饰后的ZnO纳米线进行了晶体结构和形貌的表征.结果表明......
[期刊论文] 作者：李玉魁,朱长纯,,
来源：微纳电子技术 年份：2006
利用碳纳米管作为阴极材料的场致发射显示器是一种新型的平板真空器件。介绍了二极管型和三极管型场致发射显示器的各种基本结构，给出了场致发射平板显示器的基本行列矩阵寻址......
[期刊论文] 作者：朱长纯,钱伟,
来源：微电子学与计算机 年份：1993
在改进的超突变结变管掺杂分布模型的基础上，对超突变结的雪崩击穿电压进行了理论研究，并用二分法得到了通常实用范围的Ｖｂ，Ｎｏ数据表；同时用牛顿迭代法进行了数值求解，得出了归一化的Ｃ－Ｖ和......
[期刊论文] 作者：史永胜,朱长纯,
来源：西安交通大学学报 年份：2003
采用梯度法对大屏幕碳纳米管场致发射显示器的支撑墙密度进行了优化设计.以支撑墙相邻间距、支撑墙的长度和宽度作为优化设计参数,预先设定的面板应力以及应变值作为目标函数...
[期刊论文] 作者：关辉,朱长纯,
来源：微电子学 年份：1992
本文介绍了利用半导体硅材料制作的真空微电子器件的核心部件,场致发射硅锥阴极,的工艺研究及实验结果。提出了两步腐蚀的工艺方案,制成了形状理想的锥体阴极。更多还原...
[期刊论文] 作者：于灵敏,朱长纯,,
来源：西安交通大学学报 年份：2007
针对现有的丝网印刷碳纳米管薄膜需要各种后处理工艺后才能改善其场发射特性的问题，提出了一种不需任何后处理的丝网印刷ZnO纳米锥的浆料配制工艺．该工艺以羧甲基纤维素为制浆......
[期刊论文] 作者：关辉,朱长纯,
来源：真空科学与技术 年份：1996
综合了已有的真空微电子器件理论的研究成果，提出了真空微电子三极管优化模型，并且进行了初步计算，得到了真空微电子三极管优化模型的理论特性，同时，利用独创的无版光刻工艺制作了......
[期刊论文] 作者：朱长纯,关辉,
来源：半导体学报 年份：1996
本文详细地介绍了真空微电子栅极工艺制造的自剥离与无版光刻技术，并用这两种方法分别制造出了符合要求的栅极结构，在现有的条件下进行了栅控场至发射特性的测试，并通过实验曲线......
[期刊论文] 作者：邓宁,朱长纯,
来源：西安交通大学学报 年份：2000
对等离子增强化学气相淀积多晶金刚石薄膜在Ｎ离子注入前后的场发射特性进行研究。研究发现，同一工艺条件下的淀积的多晶金刚石薄膜样口的发展射特性在离子注入前有较大的差异，离......
[期刊论文] 作者：邓宁,朱长纯,
来源：真空电子技术 年份：2003
以n-Si为衬底,用PECVD方法淀积了多晶金刚石薄膜.采用以金刚石薄膜为阴极的二极管结构测试了场发射特性,在6 V/μm的电场下,场发射电流为5 μA.研究了场发射的有效势垒随外加...
[期刊论文] 作者：关辉,朱长纯,
来源：仪表技术与传感器 年份：1993
本文介绍了硅锥阵列场致发射力敏传感器的基本原理和结构以及硅锥工艺,并对这种传感器的力敏相关参数的电特性进行了初步测试,获得了较为理想的结果。更多还原...
[期刊论文] 作者：于灵敏,朱长纯,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2008
针对现有的ZnO纳米针场发射均匀性、稳定性不良的问题，本文提出丝网印刷碳纳米管（CNTs）掺杂过滤的ZnO纳米针的方法来提高其均匀性和稳定性。场发射特性测试表明，ZnO纳米针经过滤......
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