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[期刊论文] 作者：Luo Xiao-Rong,Wang Yuan-Gang,Deng Hao,Florin Udrea,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2010
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,A new structure and its analytical model for the vertical interface electric field of a partial-SOI
[期刊论文] 作者：Hu Sheng-Dong,Zhang Bo,Li Zhao-Ji,Luo Xiao-Rong,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2010
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[期刊论文] 作者：Fan Jie,Zhang Bo,Luo Xiao-Rong,Li Zhao-Ji,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2013
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[期刊论文] 作者：Fan Jie,Wang Zhi-Gang,Zhang Bo,Luo Xiao-Rong,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2013
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,A dual-gate and dielectric-inserted lateral trench insulated gate bipolar transistor on a silicon-o
[期刊论文] 作者：Fu Qiang,Zhang Bo,Luo Xiao-Rong,Li Zhao-Ji,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2013
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[期刊论文] 作者：FAN Jie,ZHANG Bo,LUO Xiao-Rong,LI Zhao-Ji,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2013
A novel silicon-on-insulator (SOI) trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) with a reduced specific on-resistance (Ron,sp) is presented...
,Low on-resistance high-voltage lateral double-diffused metal oxide semiconductor with a buried impr
[期刊论文] 作者：Wu Wei,Zhang Bo,Luo Xiao-Rong,Fang Jian,Li Zhao-Ji,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2014
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[期刊论文] 作者：Wu Li-Juan,Hu Sheng-Dong,Luo Xiao-Rong,Zhang Bo,Li Zhao-Ji,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2011
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[期刊论文] 作者：Wu Li-Juan,Hu Sheng-Dong,Zhang Bo,Luo xiao-Rong,Li Zhao-Ji,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2011
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,High-voltage super-junction lateral double-diffused metal-oxide semiconductor with a partial lightl
[期刊论文] 作者：Wu Wei,Zhang Bo,Fang Jian,Luo Xiao-Rong,Li Zhao-Ji,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2013
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[期刊论文] 作者：WANG Zhuo,LI Peng-Cheng,ZHANG Bo,FAN Yuan-Hang,XU Qing,LUO Xiao-Rong,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2015
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[期刊论文] 作者：Zhang Wen-Tong,Wu Li-Juan,Qiao Ming,Luo Xiao-Rong,Zhang Bo,Li Zhao-Ji,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2012
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,A new analytical model for the surface electric field distribution and breakdown voltage of the SOI
[期刊论文] 作者：Hu Xia-Rong,Zhang Bo,Luo Xiao-Rong,Wang Yuan-Gang,Lei Tian-Fei,Li Zhao-Ji,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2012
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[期刊论文] 作者：Luo Xiao-Rong,Yao Guo-Liang,Chen Xi,Wang Qi,Ge Rui,Florin Udrea,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2011
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[期刊论文] 作者：Zhou Kun,Luo Xiao-Rong,Fan Yuan-Hang,Luo Yin-Chun,Hu Xia-Rong,Zhang Bo,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2013
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[期刊论文] 作者：FAN Yuan-Hang,LUO Xiao-Rong,WANG Pei,ZHOU Kun,ZHANG Bo,LI Zhao-Ji,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2013
A novel silicon-on-insulator (SO1) metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) with a high figure of merit (FOM) is proposed.The device features...
[期刊论文] 作者：Shi Xian-Long,Luo Xiao-Rong,Wei Jie,Tan Qiao,Liu Jian-Ping,Xu Qing,Li Peng-Cheng,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2014
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[期刊论文] 作者：Luo Yin-Chun,Luo Xiao-Rong,Hu Gang-Yi,Fan Yuan-Hang,Li Peng-Cheng,Wei Jie,Tan Qiao,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2014
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,Ultra-low specific on-resistance vertical double-diffused metal-oxide semiconductor with a high-k d
[期刊论文] 作者：Wang Pei,Luo Xiao-Rong,Jiang Yong-Heng,Wang Qi,Zhou Kun,Wu Li-Juan,Wang Xiao-Wei,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2013
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[期刊论文] 作者：Luo Xiao-Rong,Luo Yin-Chun,Fan Ye,Hu Gang-Yi,Wang Xiao-Wei,Zhang Zheng-Yuan,Fan Yuan-Hang,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2013
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