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[期刊论文] 作者：李桂忠,
来源：科技创新与应用 年份：2018
在我国的海洋石油工程建设的过程中,海洋石油工程中的开发装备一直是一个非常重要的组成环节,目前已经作为一项产业在进行发展和提升。海洋石油工程中的装备质量以及发展程度...
[期刊论文] 作者：桂忠,
来源：电信技术 年份：2018
分析传统BRAS设备面临的问题,对比目前主流的云化BRAS方案,重点阐述转控分离云化BRAS方案的架构和现网应用价值。结合安徽联通转控分离云化BRAS方案的测试和试点情况,明确下...
[期刊论文] 作者：侯苗苗, 李桂忠,,
来源：宁夏医科大学学报 年份：2018
目的探讨转录因子FABP4在氧化低密度脂蛋白（ox-LDL）致血管平滑肌细胞（VSMCs）胆固醇沉积中的作用和机制。方法体外培养血管平滑肌细胞,分为4组：0μg·mL^-1 ox-LDL组、50μg...
[期刊论文] 作者：王桂忠,,
来源：企业改革与管理 年份：2018
随着国内市场经济的不断发展,中国宏观经济步入新常态,伴随着财政部、国资委、"一行三会"密集出台的财办金[2017]92号文、国资发财管[2017]192号文、财金[2018]23号文、资管...
[期刊论文] 作者：桂忠娣,,
来源：中国医药指南 年份：2018
目的探讨HPV检测及TCT检查在宫颈癌筛查中的应用及对预后的影响研究。方法取自2016年1月至2016年12月于我院进行治疗的宫颈癌患者203例进行分析,分别利用HPV检测及TCT检查,分...
[期刊论文] 作者：潘桂忠,,
来源：集成电路应用 年份：2018
LV/HV P-Well BCD[C]技术能够实现低压5V与高压100~700 V(或更高)兼容的BCD工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用源区为硼磷双扩散形成沟道的具有漂移区的偏置栅结构的H...
[期刊论文] 作者：张桂忠,
来源：山东工业技术 年份：2018
众所周知,锅炉是将水和油等液体工质加热到一定参数对外供热的设备,水则是锅炉采用最广泛最重要的工质之一,所以水质处理的好坏在锅炉的经济、安全运行中占有非常重要的地位,...
[期刊论文] 作者：潘桂忠,
来源：集成电路应用 年份：2018
LV/HVN-WellBiCMOS[B]技术能够实现低压5V与高压100~700V(或更高)兼容的BiCMOS工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用具有漂移区的偏置栅结构的HVMOS器件。改变漂移区的...
[期刊论文] 作者：华桂忠,
来源：畜牧兽医科技信息 年份：2018
能繁母猪是我国养猪业稳定和发展的重要基础，而乳房炎是对哺乳期母猪威胁比较大的疾病，多在产后一周内发生。夏季是母猪乳房炎的多发阶段，感染乳房炎的患病母猪哺乳功能会受严重......
[期刊论文] 作者：侯桂忠,
来源：中国药业 年份：2018
目的探讨依那普利联合益水生新饮对高血压肾损害患者肾功能的影响。方法选择医院2017年5月至2018年2月收治的高血压肾损害患者50例,按临床治疗方法的不同,随机分为对照组(依...
[期刊论文] 作者：潘桂忠,
来源：集成电路应用 年份：2018
LV/HV P-Well BCD[B]技术（1）能够实现低压5 V与高压100～700 V（或更高）兼容的BCD工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用源区为硼磷双扩散形成沟道的具有漂移区的偏置栅结构的HV...
[期刊论文] 作者：潘桂忠,
来源：集成电路应用 年份：2018
LV/HVTwin-WellBiCMOS[B]技术能够实现低压5V与高压100~700V(或更高)兼容的BiCMOS工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用具有漂移区的偏置栅结构的HVMOS器件。改变漂移区...
[期刊论文] 作者：潘桂忠,,
来源：集成电路应用 年份：2018
LV/HV P-Well BiCMOS[B] 技术能够实现低压 5V 与高压100～700V（或更高）兼容的 BiCMOS 工艺.为了便于高低压 MOS 器件兼容集成,采用具有漂移区的偏置栅结构的 HV MOS 器件.改变漂...
[期刊论文] 作者：潘桂忠,,
来源：集成电路应用 年份：2018
LV/HV N-Well BCD[B] 技术（1） 能够实现低压 5 V 与高压 100～700 V（或更高）兼容的BCD 工艺.为了便于高低压 MOS 器件兼容集成,采用源区为硼磷双扩散形成沟道的具有漂移区的偏置栅...
[期刊论文] 作者：潘桂忠,,
来源：集成电路应用 年份：2018
LV/HV P-Well BCD[B]技术（2）能够实现低压5V与高压 100-700V （或更高）兼容的BCD工艺。为了便于高低压 MOS 器件兼容集成,采用源区为硼磷双扩散形成沟道的具有漂移区的偏置栅结构...
[期刊论文] 作者：赵忠桂,
来源：赢未来 年份：2018
非药物成瘾是一种超乎正常的习惯、嗜好，对不良嗜好（赌博、性瘾、纵火、游戏、网络等）成瘾会危害患者身心健康，对社会产生不量影响，是病态成瘾。成瘾性疾病表现为对成瘾对象耐受、......
[期刊论文] 作者：潘桂忠,
来源：集成电路应用 年份：2018
LV/HV N-Well BCD[B]技术（2）能够实现MOS器件低压5 V与高压100～700 V （或更高）和双极型器件低压5 V与高压30～100 V兼容的BCD工艺。为了便于高低压器件兼容集成,采用源区为硼磷双扩...
[期刊论文] 作者：潘桂忠,
来源：集成电路应用 年份：2018
深亚微米BiCMOS[B]技术能够实现双极型与CMOS元器件兼容的工艺。为了便于集成,以双极型制程为基础,引入Twin-Well CMOS元器件工艺,在同一硅衬底上实现兼容的BiCMOS[B]工艺。...
[期刊论文] 作者：桂玉忠,
来源：成功：中下 年份：2018
伴随着我国基础教育前进的步伐，教学改革的进程越来越深入，全面促使课堂教学形式的转变和更新，其中互联网+创客教育的有效实施，为课堂教学注入新的生命力量，促使学生创新素养得到......
[期刊论文] 作者：崔桂忠,
来源：共产党员·上 年份：2018
“祸莫大于不知足，咎莫大于欲得”，意思是祸患没有比不知足更为严重的了，灾难没有比贪得无厌更为深重的了。习近平总书记多次引用这句话提醒党员干部要谨防“贪欲”之害，无论什么情况下都要把持住自己，洁身自好，清廉自律，不要干出“一失足成千古恨”的蠢事，更不能突破党......
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