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[会议论文] 作者：陈昊,商耀辉,武一宾,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
本文着重探讨了单δ平面掺杂AlGaAs/GaInAs/GaAs PHEMT材料的生长工艺及工艺优化....
[会议论文] 作者：武一宾,商耀辉,陈昊,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
本文主要从功率角度探讨了分子束外延AlInAs/GaInAs/InP HEMT结构材料生长,其典型数据为M～8400cm/V.S,2DEG≥4.5E12cm.给出了HEMT的结构参数及定温Hall-van der Pauw法测试结...
[会议论文] 作者：张文俊,崔立奇,武一宾,陈昊,阎发旺,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：苗振林,武一宾,陈昊,齐国虎,商耀辉,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
我们用分子束外延(MBE)方法在GaAs衬底上通过变质缓冲层生长了AlInAs/GaInAs变质高电子迁移率晶体管(MHEMT)结构材料.详细讨论了变质缓冲层的生长机理,通过实验研究了生长条...
[会议论文] 作者：张文俊,崔立奇,武一宾,陈昊,阎发旺,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：张文俊,崔立奇,武一宾,陈昊,阎发旺,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：苗振林,武一宾,陈昊,齐国虎,商耀辉,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
我们用分子束外延(MBE)方法在GaAs衬底上通过变质缓冲层生长了AlInAs/GaInAs变质高电子迁移率晶体管(MHEMT)结构材料.详细讨论了变质缓冲层的生长机理,通过实验研究了生长条件和残余应力对表面形貌和电性能的影响.并且设计生长了InAs组分线性增加至匹配的常规型......
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