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用低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)方法在蓝宝石(A1203)衬底上生长GaN外延膜，用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析该外延膜的晶格......
Ⅳ元素Si和Ge是集成电路和太阳电池中最重要的材料，最近基于Si和Ge的纳米线材料引起了广泛关注，有望于进一步提高太阳器件、锂离子电......
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本文首次提出了一个用以分析ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金ＣＶＤ生长的流体力学和表面反应动力学的统一模型。利用流体力学的偏微分方程组计算了反应管内的速度场......
结合流体力学和表面反应动力学分析了ＳｉＨ２Ｃｌ２＋ＧｅＨ４＋Ｈ２减压化学气相外延系统。计算和讨论了由于生长压力的变化而导致的反应管内速度分布，温度分析和......
