化学-机械抛光相关论文
纳流控学和纳流控芯片应用于化学和生化分析的研究近年来取得了长足的进展。纳流控的基础和应用研究以纳流控芯片的研制为基础,而......
用扫描遂穿显微镜(STM)研究了用于 MBE 生长的 CdTe 基底表面,发现其表面不平整度取决于不同的表面制备步骤。机械抛光试样的表面......
用电化学测试技术研究了介质和成膜剂浓度对铜表面的成膜及抛光过程的影响,探讨了化学机械抛光的压力、转速与膜的厚度、致密性的......
大直径的 6H-SiC 晶片的三主要用机器制造进程在这篇论文被介绍。这些过程包括切，舔并且擦亮。舔的原因伟人剩余压力和能与随后的擦......
用电化学测试技术研究了硝酸、苯并三唑及H2O2浓度对铜表面的成膜及铜抛光过程的影响.测试了各种体系中铜的交流阻抗及其影响因素,......
为硅碳化物擦亮的表面(原文如此)底层被调查 andresults 为机械擦亮被介绍( MP )并且chemo机械的擦亮( CMP ) .High qualitysurfa......
本文研究了腐蚀介质氨水、成膜剂铁氰化钾及磨粒γ-Al2O3浓度、抛光压力和抛光转速对铜化学-机械抛光速率的影响.解释了各影响因素......
Homogenous precipitation and subsequent calcination has been used to synthesize ultrafine ceria from cerium nitrate and ......
用电化学循环伏安测试技术研究了铜在甲胺-铁氰化钾抛光液中钝化成膜的机理.通过大幅度改变电位扫描速率,分析了氧化峰电流(IApa)......
本文用电化学实验方法，以溶液化学、腐蚀电化学原理、磨擦磨损原理、流体力学边界层等相关理论为指导，采用旋转圆盘电极，首次系统地对......
