超高速集成电路相关论文
本文概述了高速数字集成电路的发展概况及其在雷达微波接收电路中的应用，例如频率变换、信号的产生和存贮和放大等等，一些SiCMOS的产......
直接耦合场效应逻辑（ＤＣＦＬ）具有简单的结构、良好的速度／功耗性能，是ＧａＡｓＦＥＴＬＳＩ电路中一种重要的逻辑形式。传统Ｅ／Ｄ型ＤＣＦＬ电路具有较低的成品率和较差的温度特......
本文研究了先进的全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ场效应晶体管的工艺技术．首次使用Ｍｏ／ＺｒＮ作为复合栅的材料，ＡＩＮ薄膜作为器件介质钝化层......
描述了低介电常数，低膨胀系数新型莫来石瓷在高密度封装中的应用，从设计考虑、封装结构、工艺及电性能方面进行了探讨，以期获得满足高......
着重描述了新型莫来石材料的性能、工艺方面的进展情况，探讨了新的封装结构对封装性能的影响，最后得到的封装外壳可很好地满足ＧａＡｓ超高速......
采用VHDL语言输入，综合工具综合的自顶向下的设计方法是当前电子设计发展的趋势。但VHDL语言本身是基于仿真，而不是专为综合而设计的......
ＧａＩｎＮＡｓ是一种直接带隙半导体材料，在长彼长（１．３０和 １．５５μｍ）光通信系统 中具有广阔的应用前景．通过调节 Ｉｎ和 Ｎ的组分，既可获得应变 ＧａＩｎＮＡｓ外延材料，也可制 备ＧａＩｎＮＡｓ与ＧａＡｓ匹......
一、引言过去的40年是集成电路迅猛发展的40年,从国防到通信,从工业智能到信息家电,从多媒体到网络,其应用领域已无所不在。而中......
信息化社会的不断发展对求半导体器件的速度要求越来越紧迫,如今家电器件的频率都在不断提高,并且有不断增长的趋势.在生活中,我们......
美国总统里根在今年初发表国情咨文时,白宫新闻办公室同时对外界宣传了里根总统为了增强美国的竞争能力而制订的具体计划。其中第......
据美刊报道,美国国家科学基金会最近决定资助在加利福尼亚、佐治亚、马里兰、罗得岛和华盛顿建立五个工业—大学合作研究中心,预......
为了圆满地管理研究与发展(R&D),我们必须学习如何把研究与发展过程每个因素中固有的那些张力,变为推动前进的动力。研究与发展的......
当今世界,随着战争方式的不断演进和高新技术的迅猛发展,特别是大规模集成电路、超高速集成电路以及计算机控制系统在弹药中的广泛......
八十年代是陆军的电子时代。这里有两个基本理由。第一,陆军已经基本完成了其最主要武器系统的更新换代。八十年代的重点主要是通......
根据战略防御计划局1989年向国会的报告,战略防御计划于去年已经获得了“重要的技术进展”。在助推段监视与跟踪系统(BSTS)探测器......
一九八○年,一些电源厂家和政府管辖的私人用户给主要系统研制者的执行官员们写了一封信,要求他们确认,重要问题是陷入困境的电源......
美国国防部已制订了MIMIC(微波/毫米波单片集成电路)研制计划,以便用GaAs集成电路来补充将在未来的灵巧武器系统中应用的超高速集......
美国国防部的超高速集成电路(VHSIC)计划是一项被宣传得遐迩闻名并获得有力支持的研究计划。这项研究计划正在产生成果。实际上,......
据《国际防务评论》1987年8月报导,法国汤姆逊—CSF公司正在研制新的战斗机雷达RDY,以便和塞尔格·达索电子公司(ESD)争夺法国新......
二十一世纪将是人类进入太空和开发利用空间的新时代。当今世界高技术的发展,将使世界各国今后科学技术特别是军事科学技术的发展......
数字集成电路和算法的迅速发展与战场上灵巧武器和人工智能的需要相一致。 军事武器的发展即将进入卓越的灵巧武器、人工智能、“......
前言八十年代到九十年代中期,是电子战技术进入飞速发展的时期。各项基础技术,如大规模超高速集成电路,高速电子计算机,人工智能,......
本文试图从科技的角度讨论“星球大战”计划对世界高技术发展的影响。首先简要介绍“星球大战”计划的情况,然后说明所涉及的主要......
主要介绍新一代航空电子系统所采用的十项高新技术。在计算机方面有人工智能、神经网络、并行处理和计算机辅助软件工程四项新技术......
ＭｇＡｌ２Ｏ４晶体是一种高熔点（２１３０℃）、高硬度（莫氏８）的晶体材料。属面心立方结构，空间群为Ｆｄ３ｍ，晶格常数为０．８０８５ｎｍ。该晶格是一种优良的传声介质材料，在微波段的声衰......
军用武器的研制即将进入灵巧与高性能武器、人工智能、2000年陆空战和星球大战的领域,因此需要完全以超大规模集成电路(VLSI)为基......
日本电气公司最近使用一种引人注目的超高速、超高频半导体元件材料—InP化合物半导体,试制成功了超高频MISFET(金属—绝缘物—半......
序号电路名称 国部颇型号 内l日型号国外参考型号 〔美〕l双4一5输入或/或非门E001E 109MC101092三2一3一2输人或/或非门E003E 105......
1、美国Varian公司的曝光机生产部(Lithography Production Division)近四年来一直从事开发的直接作图电子束曝光机,由于可靠性差......
自对准FET(Self-Aligned FET) 作为超过Si的下一代超高速集成电路的关键器件,GaAsMESFET是很有希望的。为了提高其高速性能,还需......
美国雷塞翁公司目前在其新的微电子中心可以设计和生产质量上符合国防部超高速集成电路计划第一阶段所规定的集成电路。该公司计......
1964年2月18日创刊的《半导体情报》是我所所刊。它主要报导有关我所科研工作的论文、工作报告、综述、译文以及技术动态与市场信......
一九八八年十二月二十五日机械电子部第十三研究所召开了第二十次科研成果鉴定会,会上有二十一项成果通过了专家和使用单位的设计......
许多具有现代工艺水平的MOS和双极型器件的工作速度都已接近大多数标准的自动测试设备的极限。随着新的GaAs和超高速集成电路(VHSL......
美国防部最近对两个研究报告进行审查,结果表明:如果美国国防部要发展超高速集成电路和超大规模集成电路工艺并使之用于武器,则必......
美国国防部在1979年财政年度提出的“超高速集成电路”(VHSIC)工程,是美国微电子国防工业中最重要的工程。这项工程的最终目标是......
本文介绍了一个建立在HP工作站上的MIC,MMIC,GaAs VHSICCAD软件包。它包括宽带匹配网络综合程序(CADSYN)、线性电路分析及最优化设......
砷化镓集成电路(GaAsIC)是微电子发展的重人新领域。本文将介绍其特点、主要方向和用途。重点介绍砷化镓集成技术基础研究对发展......
尽管VHDL首先提出挑战,这种源于军用的语言,已立足于商业并引起了各方的注意。
Although VHDL first challenged this military-o......
电子部１３所１９９４年科研成果简介在１９９４年１２月电子部１３所第３４次科研成果鉴定会上，专家们评审出具有国际先进水平的成果１项，达到九十年代初期国际同类产品......
