各向同性刻蚀相关论文
对ＴＦＴ器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行了研究，给出了ＴＦＴ器件工艺中常见薄膜刻蚀速率的实验结果，并讨论了掺杂气体（如Ｈ２、Ａｒ等）对刻蚀速率的影......
微电子机械系统中关键工艺之一就是刻蚀出高深宽比的图形。本文对掺磷多晶硅反应离子刻蚀（RIE）进行了研究。采用两步刻蚀工艺，SF6，CF4，C......
干法刻铝中 ,BCl3添加 Cl2 、CHCl3和 N2 ,可改变 Al的刻蚀速率、Al对 Si O2 和胶的选择性、线宽和胶膜质量 ,其中 Cl2 流量影响最......
在概述微机电系统刻蚀工艺模拟研究进展的基础上,讨论了微表面反应模型法、单元自动控制法、基于刻蚀速率数据库的三维各向异性刻......
２００１ ＰＩＴＴＣＯＮ仍在美国新奥尔良召开。会议交流论文１９００多篇，参展厂家一千多家，参会人数２４９７０人，都比上一年有所减少，但它仍不失为全世界有关分析化学和分析......
等离子体刻蚀是基于辉光放电低温低电离等离子体中的激活中性粒子(基团)与固体表面产生化学反应。由于原子团在等离子体中作随机运......
具有良好机械和物理性能的硅(单晶)材料,正在逐渐成为大有发展前途的固体传感器材料。本文将综述硅材料的一些微细加工技术以及用......
给出了一个用约束刻蚀剂层技术对金属铜进行微区电化学刻蚀的电化学体系,并考查了约束剂的效果以及电流密度对被刻蚀区域显微结构......
本文主要讨论微机电系统中的常用材料和加工技术。具体分析了Si、GaAs、SiC、金刚石和石英等材料的性能及其在微机电系统中的应用 ......
HNA溶液(又称乙酸、氢氟酸、硝酸的混合溶液)作为刻蚀液,一般用于硅的各向同性湿法刻蚀程序中,而耐刻蚀性很好的氮化硅常被用作顶......
在硅的各向同性湿法刻蚀过程中,一般选用HNA溶液(即氢氟酸、硝酸和乙酸的混合溶液)作为刻蚀液,而氮化硅以其很好的耐刻蚀性而优先......
首先介绍了微半球谐振陀螺(μHRG)基于驻波进动效应进行角度或角速度检测的工作原理。依据谐振子制作工艺的区别,将微半球谐振陀螺......
介绍了硅湿法刻蚀的工作原理,分析了影响硅刻蚀均匀性的主要因素,重点阐述了在湿法腐蚀设备中提高硅刻蚀均匀性的方法。......
