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喷墨打印技术制备电子器件突破了传统的真空工艺,具备低成本、非接触、自由图形化和可柔性等优势。颗粒型金属墨水通过点喷式压电喷......
应用直写技术在半导体、高分子材料、陶瓷、玻璃或金属等基体上进行电子线路布线是电子和信息产业发展的新技术.目前,已经或正在开......
本文采用拟合的方法,并利用DESTIN测试系统,研究了集成电路金属布线电阻与温度的关系,探讨不同材料、不同尺寸、不同结构金属布线......
该文采用了标准的集成电路化可靠性评价试验方法对集成电路金属布线的抗电迁移能力进行了可靠性评价试验,并预计了工作应务条件下电......
近几十年来,以柔性电子技术为基础的可穿戴电子产品吸引了越来越多的关注。柔性电子具有独特的可弯折性和延展性,可以耐受多种机械......
针对微硅型光机电系统集成化技术中电路和金属布线与硅微向向异性深腐蚀工艺之间的不相容问题、从寻求一种电路和金属布线保护层的......
SGS-汤姆逊微电子发表片上系统用0.15μ(有效概长)CMOS工艺——“HCMOS一矿开发第一阶段已完成。1998年第四季度开始预定采用本工艺制......
本文综述了亚微米、深亚微米集成电路工艺的主要特点、关键工艺及其实现方法,涉及高低压混载CMOS、DMOS、E~2PROM工艺。......
在汉诺威工业博览会上,来自德国的PhoenixContact公司、Eaton公司以及Wohner公司共同宣布在工业自动化领域进行伙伴合作,这三家公司......
SanSuny电子公司表示在ZopZ年实现0.13pm工艺技术,并达到千兆位芯片的水平,比预期提早3-4年。该技术包括光刻工艺,高效晶体管制造工艺......
传统铝互连技术面临的挑战集成电路特征线宽缩小到0.13μm以下乃至进入纳米阶段后,金属布线的层数越来越多(逻辑器件达7~8层),金属......
栅接地NMOS(GGNMOS)器件具有与CMOS工艺兼容的制造优势,广泛用于静电放电(ESD)保护。鉴于目前GGNMOS的叉指宽度、叉指数及金属布线......
本研究项目针对手机、MP4等便携式电子产品对IC芯片的高密度封装需求,采用最新的国家发明专利‘裸芯片积木式封装方法’,将在同一......