器件水平相关论文
据国家自然科学基金委员会1995年10月13日报道,我国量子阱红外探测器研制成功,并在物理研究、材料研究和器件制作等方面取得丰硕......
本文分析了硅双极晶体管电流增益在低温下减小的原因.通过优化设计,研制出在液氮温度下具有高增益的SiGe/SiHBT,并分析了其工作机理.
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针对目前分布式光纤传感器的优缺点,提出利用孤子效应的拉曼散射分布式光纤传感器系统构想。研究了高阶孤子对分布式光纤传感器的作......
本文提出双频控制有源电力滤波器的新解决方案,用一个低频APF与一个高频APF组合运行。双频控制APF采用低频APF来主要输出功率,可以......
前言 在毛主席革命路线指引下,我们组的工人同志破除迷信,以《二论》为指导,大胆实践,于七四年试制并投产了氧化铬光刻掩模。两年......
(一)用途本所已鉴定的硅雪崩光电探测器有二种型号:GF211GAPD和GT221RAPD。它们适合于用GaAs和Ga_(1-x)AlxAS材料制成的发光二极......
一般制备锑化铟材料的方法是将铟、锑原材料按化学比在石英管中通以氢气,加高温熔融合成多晶,再将这种多晶锑化铟锭在氢气氛下进......
一、液相外延—LPE LPE早在1963年就用于Ge隧道二极管的制备,后来发展为制备Ⅲ—Ⅳ族化合物及其混晶的常用有效技术。简单说来,LP......
本文简述了制备(100)N/N~+硅外延片的工艺条件,给出了该材料性能数据。经器件验证,其参数均达到了国际同类型器件水平,从而证明本......
本文论述了在我国目前现有器件水平条件下,整机研究所根据实际需要,利用现有设备对整机可靠性影响较大的重点器件进行一些力所能及......
本文叙述了调频广播接收机用压电陶瓷声表面波中频滤波器设计方法,进行了实验验证,器件性能达到了国外同类器件水平.
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用X射线衍射方法对液相外延(LPE)技术生长的碲镉汞(MCT)外延薄膜和CdTe衬底进行了观察与分析。研究表明:MCT薄膜中存在着不同程度......
介绍了光通信系统用SAWF系列的研制情况。由于采用了石英ST切晶体衬底、较先进的3指群和4指群抽指加权换能器和计算机辅助设计方法,器件的各......
短基线时差法测向技术因其原理简单而早就被提出来了,但由于受到器件水平的限制,对影响测向精度的到达时间差的测量处理精度一直不......
采用三层多晶硅、埋沟、双层金属工艺研制了1/2英寸823×592、8.3μm×8.3μm内线转移CCD,该器件设计制作了纵向抗晕结构,实现了内......
2021年5月27-28日,上海近年太赫兹理论和基础器件水平得到了快速发展和提高,其应用涵盖了雷达探测、电子对抗、大气环境监测、医学......