安全工作区相关论文
分裂栅功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)具有开关速度快、损耗小等优......
氮化镓是一种第三代半导体材料,具有禁带宽度大,击穿场强高,电子迁移率高以及散热性好的特性,目前在商业上已经被广泛应用在射频功......
节能灯、电子镇流器的早期失效,经常体现在三极管的损坏上.随着国内节能灯、电子镇流器设计及生产工艺控制水平的提高,人们已经对......
功率器件作为电力电子装置的核心器件,在设计及使用过程中如何保证其可靠运行,一直都是研发工程师最为关心的问题。功率器件除了要......
介绍国外军用半导体器件按照双方所订合同进行筛选试验,采用固定样本的抽样方案,B组和C组的检验项目合并,严格按照ML-STD-750方法进行试验。
Intr......
本文在分析现有大功率斩波器基础上,结合大功率场效管(MOSFET)器件的发展,提出了一种新型脉冲新波器的设计方法。
Based on the analysis of......
电力电子器件是一门新学科和新技术。其主要参数向三维(高压、高频、大电流)方向发展。其结构主要是MOS控制与BJT和晶闸管的结合和逐步实现......
不同的负载对驱动它们所需求的电压、电流、功率等电参数是不相同的,必须正确选择放大器输出结构,以便与负载相匹配。
Different ......
从RMOS器件的导通电阻模型出发,通过分析导通电阻与栅氧化层厚度和槽深间的定量关系,得出:减薄栅氧化层厚度或增加槽的深度,可以降低器件的......
讨论了新型最少开关数SRM功率变换器的设计,并给出了实验结果和结论。
The design of a new type SRM power converter with minimum ......
本文阐述了IGBT的短路特性以及怎样实现IGBT的过流保护系统。文中着重介绍了IGBT的允许短路时间与门极驱动信号的关系。
This art......
一、MOSFET发展回顾 功率MOS场效应管相对于双极功率晶体管的优点,已为世人熟知,已被许多用户接受。十年来世界晶体管市场,功率MO......
VB348LDIH是用新的纵向功率IC工艺过程设计和制造的,它是一种具有五条引线的PENTAWATT(5瓦)功率器件,非常适用于电子变压器应用,价......
分析了大功率晶体管(GTR)饱和区伏安特性,测量了不同驱动条件和工作温度下GTR的集电极压降和集电极电流的关系.结果表明,存在一个饱和压降阈值......
剖析了SQD50AB100型GTR功率模块的失效情况,分析了其二次击穿失效机理及引起失效的器件内部和外部原因。设计了一种快速有效的GTR过流保护电路。该电......
普通的GTO受安全工作区的限制,需要较大的保护吸收电容。文章介绍了一种新型低感驱动技术,即采用有方形安全工作区的GTO,以省去吸......
在PWM变频调速器中,大功率晶体管GTR的开关频率可达1.5~2kHz,当变频器带感性负载,GTR由饱和导通快速转向截止的瞬间,集电极电流I_T......
本文介绍了选极晶体管技术标准制订和认证试验中的有关技术问题。
This article describes the selection of transistor technol......
用二维 MEDICI商用器件模拟软件对双 MOS门极控制的发射极开关晶闸管 EST( Emitter Switched Thyristor)的正偏置安全工作区 FBSOA......
绝缘栅双极晶体管(IGBT),是第一代电力电子器件的代表性产品。经过近20年的发展,目前前市售IGBT系列产品耐压一般为600~1200V,电流......
介绍东芝公司推出的4.5kV注入增强门极晶体管(IEGT)的结构和电特性。
Introduces the structure and electrical characteristics......
采用薄穿通(LPT)垂直结构的载流子贮存挖槽栅双极型晶体管(CSTBT)是一种新型的功率器件。与IGBT相比,其结构得到了改进,具有功耗更......
介绍了有关大面积IGCT(集成门极换流晶闸管)改进安全工作区(SOA)的3个概念,即优化门极电路;通过优化掺杂浓度分布和辐照来改进局部......
文章依据较高线电压的扩展比较了具有扩展安全工作区(SOA)的2个4.5kV二极管。为了改善反向恢复特性,必须降低通态过程中靠近阳极的......
一、焊接电源对功率管的要求根据适合于短路过渡和脉冲射流过渡焊接研制的晶体管电源输出电流I_(SC)=5~400安,允许短路峰值电流I_(......
建立了高压RESURF LDMOS的开态击穿模型.该模型考虑了载流子的速度饱和现象和寄生双极性晶体管的影响,获得了开态下 LDMOS 漂移区......
介绍了额定电压达4500V、额定电流达2000A的新型压接式封装IGBT(PPI)。在这种新器件的开发期间,特别强调系统制造商易于使用的可选......
本文介绍了应用于6kV-7.2kV中低压装置中,具有低的通态电压和快速开关的10kV IGCT的设计、实验研究和特性。对进行优化设计的10kV ......
随着1700V-SPT(软穿通)IGBT LoPak密集型封装结构模块类型的引入,为了进一步开发利用新的1700V- SPT IGBT和二极管芯片的特性,出现......
介绍了5.2kV高压绝缘栅双极型晶体管(HV IGBTs)的成功串联应用。穿通型HV IGBT串联应用时要完全控制感应过电压,最大的障碍是拖尾......
介绍了5.2kV高压绝缘栅双极型晶体管(HVIGBTs)的成功串联应用。穿通型HVIGBT串联应用时要完全控制感应过电压,最大的障碍是拖尾电......
中国“十一五”规划已明确提出:单位国内生产总值能源消耗比“十五”期末要降低20%左右。由于电力是目前中国主要的工业能源,因此,要......
随着1.7kVSPT(软穿通)IGBTLoPak密集型封装结构模块类型的引入,为进一步开发利用新的1.7kVSPTIGBT和二极管芯片的特性,研发了电压......
大功率应用需要具有低功耗、高可靠性的高压IGBT(HVIGBT)模块。然而这些特性通常是相互制约的,为达到均衡的性能,三菱电机开发出一......
本文阐述一种被称作双模式绝缘栅晶体管(Bimode Insulated Gate Transistor,缩写为BIGT)的所采用的逆导IGBT概念在实用化方面的进......
本文介绍一种新研制的,具有优化高温工作能力的1700V IGBT和二极管芯片组。由于引入新的终端概念和硅设计,改进了ABB公司的最新一......
1.IGBT管的特点绝缘栅双极型晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor,缩写IGBT)是一种集BJT的大电流密度和MOSFET电压激励场控......
电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技......
目前,电子技术在汽车上的运用正在日益增多,在结构工艺上,国外已从60年代的分立元件过渡到80年代大规模固体电路;在产品上以发电机......
本文介绍一种新研制的,具有优化高温工作能力的1700VIGBT和二极管芯片组。由于引入新的终端概念和硅设计,改进了ABB公司的最新一代......