强反型相关论文
器件尺寸按比例缩小是实现超大规模集成电路的有效途径，但寄生和二级效应却将器件尺寸限在一定的水平。本文在对比分析常温与低温下......
采用一个最近发展起来的产生区宽度模型，导出了描述阶跃电压作用下ＭＯＳ电容器的电容－时间（Ｃ－ｔ）瞬态特性方程，给出了阶跃电压法确定产生寿命的一......
本文以普通长沟道ＭＯＳＦＥＴ的电流模型为基础，推导出ＲＧ—ＭＯＳ－ＦＥＴ一级近似下电流模型的解析表达式．并对其物理机制进行了分析讨论．
Based on the current......
本文提出了栅控混合管（GCHT）集电极电流的分区模型，在不同的基极电压范围时器件输出特性进行了讨论，与以前提出的精确全区模型[10]相比......
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、......
建立了一套进行MOS结构Si／SiO2界面态电荷泵测量的测试系统，其发展的快速电荷泵技术可使界面态测量速度达到5次／秒．分析研究了泵电流与......
本文提出了线性电压扫描下长产生寿命的快速测量方法。该法具有不需使C-t瞬态曲线达到饱和、数据处理简单、且不需知道样品的掺杂......
在ＭＯＳ结构的窄沟器件、倒比器件中，鸟咀区下的势垒层所构成的非本征电容Ｃｇｂ０对集成电路的高频特性有较大影响，但由于它与本征电容并联，且有杂......
本文在分析ＦＤＳＯＩＭＯＳＦＥＴ特殊物理结构的基础上提出了一个新的适用于深亚微米器件的强反型电流物理模型．模型包括了大部分的小尺寸器件效应如迁移......
采用线性近似的方法，对ＭＯＳ器件中的沟道水平加速电场及栅氧化层中的垂直电场进行了研究，给出了一种较精确的简便计算方法．在该电场模型的......
本文提出了一个新的深亚微米ＭＯＳＦＥＴ模型，它计入了影响深亚微米器件工作的各种二级物理效应．模型采用一个统一的公式描述所有的器件工作区，可......
本文基于修正的二维泊松方程导出了适用于深亚微米MOSFET的阈值电压解析模型,并进而通过反型区电荷统一表达式并考虑到载流子速度......
本文在深入研究硅费米势和禁带宽度温度特性的基础上，详细探讨了宽温区体硅ＮＭＯＳＴ阈值电压的温度特性及沟道掺杂浓度与栅氧化层厚度对其温......
对最基本的场板结构 ,通过理论推导 ,深入讨论了场板下氧化层厚度与击穿电压、氧化层玷污所带正电荷电量之间的关系 ;又给出了场板......
提出一种CMOS图像传感器像素中MOSFET晶体管的栅感应噪声原理 .分析表明MOSFET工作于强反型区的栅感应噪声比工作于亚阈值区明显 ,......
推导了双栅MOSFET器件在深度方向上薛定谔方程的解析解以求得电子密度和阈电压.该解析解考虑了任意深度情况下沟道中深度方向上电......
基于n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)噪声的数涨落模型,采用高阶统计量双相干系数平方和研究了nMOSFET噪声的非高斯性.......
结合了“栅极工程”和“应变工程”二者的优点,异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET,通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料,在应变......
以BSIM4模型为基础,从沟道电荷密度、有效源漏电压、载流子速度饱和及阈值电压等几个方面出发,找出BSIM4模型中导致不对称的因素,......
结合环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解圆柱坐标系下的二维泊松方程得到了表面势分布,并据此建立了适......
基于应变Si/SiGe器件结构,本文建立了统一的应变Si NMOSFET电荷模型.该模型采用电荷作为状态变量,解决了电荷守恒问题.同时采用平......
对低剂量离子注入,用C-V测量方法进行注入分布和剂量的检测。可作为器件制造的分析和工艺监控。报告介绍了测量原理、方法和典型结......
在ｐ－型ＨｇＴｅ／ＣｄＴｅ超晶格材料上制作金属－绝缘体－半导体（ＭＩＳ）结构．报道了ＨｇＴｅ／ＣｄＴｅ超晶格的分子束外延生长、器件制作和测量结果．研究表明，比较宽的ＣｄＴｅ势垒阻碍了少子（电......
SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压不同于传统的MOSFET的阈值电压.在深入分析工作机理的基础上,利用二维模拟软件ISE提取并分析了器件......
用场效应法测量a-Si∶H的隙态密度国内外有不少报道,而对a-Si_xC_(1-x)∶H薄膜隙态密度的报道尚未见到。我们根据场效应原理,把a-......
本文指出由MOS结构栅电流和高频电容对线性电压扫描的瞬态响应,可同时测定产生寿命和表面产生速度.对一些样品进行了测试,并与饱和......
本文在分析线性扫描电压下MOS电容的C-t瞬态响应基础上,提出了一种直接由测量得到的非饱和C-t曲线确定体产生寿命和表面产生速度的......
本文对MIS结构的C-t过程作了动力学分析.结果表明:一般情况下,界面态只在界面的耗尽和半导体表面反型的过程中对C-t特性有不可忽视......
计算了MOSFET阈电压与辐射剂量率之间的关系.计算结果与Long的估计在数量级上一致.解释了辐照过程中的剂量率效应.指出了瞬时辐射......
前几年的发展基本上解决了制备互补MOS晶体管特性化单片电路的难题;现在已能大量生产既可靠又经济的COS/MOS集成电路。本文阐述了C......
通过解一维泊松方程,对均匀掺杂的P型硅衬底MOS电容器进行了数值模拟,研究了衬底厚度和背接触势垒对衬底内的电势分布和载流子密度......
《半导体技术》1983年第3期中的《MOS管阈值电压的理论修正》(以下简称《理论修正》)一文,从实测的MOS管阈值电压与宽长比W/L有关......
五、传感器特性的分析线转移成象传感器正像在前面一节描述的那样,由于使用了垂直汇流线的双读出,使之呈现了独特的性能。在这节......
本文从沟道反型载流子浓度均匀分布的模型出发,引入沟道区非均匀分布杂质浓度的等效因于α_1和α_2,并推导出因子α_1、α_2的表达......
本文提出了一种直接由C-t瞬态参数确定未知掺杂样品少子产生寿命的方法.本方法的简单性使它特别适于在工艺在线监控中应用.
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CMOS工艺将成为VLSI电路的主流.本文所介绍的我们研制成功的3微米硅栅高速CMOS逻辑电路工艺;是在八十年代初国外刚开发成功推出的......
本文报道了一种能同时确定半导体体内少子复合寿命和半导体表层空间电荷区少子产生寿命的实验技术。在处于强反型的MOS电容器上加......
本文从理论上分析了利用SiO_2/Si 界面电荷造成Si表面耗尽和反型的性质,制成紫外光响应灵敏的表面型硅光电探测器的可行性,并在实......
一、引言在C—V测试法广泛应用于工艺监控和理论研究的当今,如何全面了解C—V特性的不稳定因素并加以有效控制,从而掌握最佳测试......
本文讨论了亚阈值区域的电子输运特性和实验研究方法.首先描述一个用于亚阈值区域电荷输运的由分布参数表示的MOSFET普遍形式的四......
