外延沉积相关论文
2.5 MELO(合并外延横向过度生长法) 标准的外延沉积将在单晶和非单晶的两种衬底上形成一层硅膜。附加的沉积气体HCl对沉积生长的......
新的NMOS(N型金属氧化物半导体)外延沉积工艺对下一代移动处理器芯片内更快的晶体管至关重要应用材料公司在Applied Centura RP Ep......
阐述了一种外延沉积化合物半导体的新方法———电化学原子层外延（ＥＣＡＬＥ），并对其基础欠电势沉积（ＵＰＤ）进行了讨论．着重研究了Ⅱ、Ⅳ族元素Ｃｄ、Ｔｅ的电......
在分子动力学研究的基础上建立了载能原子的沉积动力学物理模型 ,并根据在局域环境下的表面原子扩散模型 ,通过运动学MonteCarlo方......
20030401 化学气相沉积Ti-Si-C-N新型涂层——Kao D H.TheSolid Film,2002,419(11):11(英文) 探讨了常压下TiCl_4,SiCl_4,C_2H_2,......
本文描述了在多至8个衬底上同时沉积外延层的系统。在外延层中物理和电学特性均具有高度的均匀性。片内层厚的变化低于10％,而每炉片......
用 AsCl_3—Ga—H_2开管流动系统外延生长 GaAs 晶体获得了以下各种电性能:(i)当 AsCl_3温度从20℃变到0℃时,在掺 Cr 半绝缘衬底......
兰宝石绝缘衬底上外延沉积单晶硅层,制作互补金属—氧化物—半导体(CMOS)集成电路,抗核辐照器件等,是研制大规模(LSI)和超大规模(......
本文从气体流量与流速的关系,大流速有利于改善外延层均匀性,大流速外延沉积的机理,沉积速度、气体速度与基座长度的关系,反应气体......
二氯二氢硅(Sicl_2H_2)是一种新型的外延沉积源,比Sicl_4外延沉积温度低,外延层质量高,是目前国内半导体器件科研和生产单位急需......
希腊克里特研究中心和克里特大学的科学家报导了用激光退火法使非晶GaAs在硅片上再结晶。该小组首先用分子束外延沉积GaAs和封装......
在分析微弧火花沉积工艺产生的单熔体快速凝固过程的基础上，提出将微弧火花沉积用于制备具有定向凝固特征的防护涂层。结果表明：采用......
