锗锡合金相关论文
为了研究高质量镍锗锡薄膜的制备方法,在不同微波退火温度下进行了锗锡合金与镍的固相反应.借助四探针方块电阻测试、原子力显微镜......
锗锡(GeSn)合金由于带隙属性和大小可调以及高迁移率的特性,已经成为拓展当前硅基光电器件应用领域的潜力材料.锗本身是一种不利于......
GeSn合金材料作为一种新型的Ⅳ族半导体材料,其能带结构能在Sn组分大于～6.5％-11％转变为直接带隙,从而有望实现与现有CMOS工艺兼容的Si......
Ge1-xSnx是一种新型IV族合金材料,在光子学和微电子学器件研制中具有重要应用前景.本文使用低温分子束外延(MBE)法,在Ge(001)衬底......
本文研究了1 nm钛作为插入层的条件下,镍与锗锡合金在不同退火温度下的固相反应,比较了微波退火和快速热退火对镍锗锡化物形成的影......
本文详细研究了高锡含量锗锡合金(Ge_(0.92)Sn_(0.08))与镍在退火条件下的反应。通过表层电阻测试、原子力显微镜和透射电镜等表征......
在新型光电子、光通信等技术迅猛发展的今天，硅基光电集成采用成熟且价廉的微电子加工工艺，将光学器件与多种功能的微电子电路集成，是......
GeX(X=Sn，Pb)合金是目前硅基光电集成领域的热点材料，但由于其发光效率不高，并且很难获得高组分且高质量的单晶，因此在材料生长和器件......
针对源漏诱生应变Ge沟道p-MOSFET的发展趋势,开发了一种基于离子注入与快速热退火的GeSn合金生长新技术,并进行了二次离子质谱、X......
红外上转换器由于在红外成像领域的巨大发展前景而备受人们关注,近红外光电探测材料的制备是实现高性能上转换器件的关键。近年来,......
