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给出了横向高压器件ＬＤＭＯＳ、ＬＩＧＢＴ以及具有阳极短路结构的ＬＩＧＢＴ的输出特性、开关特性及耐压特性等模拟曲线，并对这三种器件的结构和性能进行了较系统......
提出了一种具有阳极短路结构的局域寿命控制IGBT器件。仿真结果表明，该结构器件具有比阳极短路IGBT和局域寿命控制IGBT更优的正向压......
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