溅射率相关论文
介绍了辉光放电发射光谱中一种新的表面分析校正方法-层模式，该方法可以利用已知含量和厚度的涂层样品来建立一个表面分析工作曲线，......
面向等离子体材料的工作环境十分苛刻,其材料的选择决定着聚变堆装置的成功与否。碳基材料由于其高温承受能力好、不熔化只升华、......
本文报道了采用GDOES法测定彩涂板涂镀层厚度的方法.利用M(强度)=f(C×q),通过溅射率校正,使多基体标样回归在同一条分析曲线上,解......
通过对溅射原子角分布的测量，研究分子离子束轰击固体表面时引起表面原子溅射的非线性效应。分子离子(FeCl和CuCl)以及相应的组分原......
该课题考察了不同的操作条件(放电电流,电压)对阴极溅射坑的形状的影响.校正了不同基体样品之间的溅射率,建立了辉光光谱法深度轮......
采用分子动力学方法模拟不同能量的C+离子与聚变材料钨的相互作用.模拟结果表明:当C+离子入射剂量为3.11×1016 cm-2,入射能量为50......
采用分子动力学方法模拟了不同能量的CH粒子与聚变材料Be的相互作用。根据托卡马克中的环境,入射粒子CH的模拟入射能量分别设定为......
为了研究Al和V掺杂对TiN薄膜微结构的影响，用磁控溅射法在AISI M2高速钢上沉积TiN、TiAlN和TiAlVN薄膜。采用XRD、SEM和TEM对薄膜的......
利用多道可见光谱探测系统测量了Hα、CⅢ(464.7 nm)和OⅡ(441.5n nm)谱线的时间行为，得出了碳、氢和氧元素的入射通量。在简化模型......
利用多道可见光谱探测系统测量了Hα、CⅢ（464.7nm)和OⅡ（441.5nm)谱线的时间行为，得出了碳、氢和氧元素的入射通量。在简化模型下算......
为了研究Al和V掺杂对TiN薄膜微结构的影响,用磁控溅射法在AISI M2高速钢上沉积TiN、TiAlN和TiAlVN薄膜。采用XRD、SEM和TEM对薄膜......
在恒定气压和电压条件下,用测量溅射减量的方法,系统研究了Cr—Fe,Bi-Sb,Cu—Zn,Ag—Cu,Al-Zn和Cd—Sn六个系统的25个试样在辉光放......
利用自行研制的实验装置深入研究了不同工艺条件下制备的MgO薄膜的抗溅射性能,为优化用于PDP的MgO膜的制备工艺提供了科学依据.......
将74μm（200目）的W和Mo粉按重量比2：8均匀混合，经过成型、烧结、轧制，制成尺寸为300mm×60mm×8．5mm的板状源极，利用双层辉光离子......
镀锌钢板镀层中残留的有害元素容易因镀层腐蚀而影响产品的质量从而影响产品的使用寿命。本文利用辉光放电光谱仪分别对自制和工业......
电网电压波动〉400±5％V时，溅射源输出电压将产生波动，影响膜层均匀度。采用有载自动调压变压器可有效地解决电网电压波动问题；溅......
依据钨材料表面溅射的实验现象，建立钨材料表面粗糙模型，模拟了高能H^＋、He^＋粒子辐照下的钨材料表面的溅射行为过程，并与基于离子输运......
采用分子动力学方法模拟了不同能量的CH＋离子与聚变材料钨的相互作用。模拟结果表明：在入射过程中,能量分别为50、100和150eV的入射......
采用分子动力学方法模拟200eV的CH3粒子轰击到不同基底温度的钨样品上，分析了C、H原子在钨表面的沉积、散射及溅射情况，结果表明C、H......
聚变装置中面向等离子体材料处在严苛的工作条件下,承受着高温、高热负荷、14 MeV的高能中子辐照和逃逸离子轰击等。钨(W)具有高熔......
学位
探讨氩氧比对采用ZnO陶瓷靶材磁控溅射制备薄膜的影响。研究发现，不同氩氧比对薄膜的溅射率和电学性能影响较大，而对薄膜的晶体结构......
钨由于其高熔点、高热导率、低氚滞留、低溅射率、不与H发生化学反应、使用寿命长等出色的性能成为核聚变堆中面向等离子体材料。......
分析表明,晶圆的电弧放电现象在高密度等离子体钝化层制程中时常发生,随着半导体关键尺寸的减小,电弧放电的概率明显增加,尤其表现......
随着现代广泛应用于航空航天领域的燃气涡轮发动机推重比不断提高的趋势,转子速度和工作温度也不断提高。目前,喷嘴直接喷射润滑和......
本文对低能Ar~+轰击硅表面引起的非晶化过程以及低能离子束(He~+，Ar~+，Xe~+)与SiC表面的相互作用分别进行了计算机模拟。首先，运用分......
近年来磁控溅射技术的应用日趋广泛,在工业生产和科学研究领域发挥巨大作用。随着对具有各种新型功能的薄膜需求的增加,相应的磁控......
期刊
近年来磁控溅射技术的应用日趋广泛,在工业生产和科学研究领域发挥巨大作用。随着对具有各种新型功能的薄膜需求的增加,相应的磁控......
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