终端结构相关论文
碳化硅(Si C)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为宽禁带半导体单极型功率器件,具有频率高、耐压高、效率高等优势,在高压应用领域......
垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)器件是一种以多子为载流子的器件,具有开关速度快、开关损耗小、输入阻抗高、工......
以氮化镓(GaN)为代表的第三代宽带隙半导体材料正在逐渐兴起。与传统的半导体材料相比,GaN具有良好的化学稳定性,高击穿电压,低导通......
作为能量变换和传输的重要器件,大功率晶闸管在诸如高压直流输电等领域得到广泛应用.随着电网对输电功率容量的要求越来越高,提高......
现代化企业尤其是石油石化企业的安全消防预警系统信息化的建立,对安全生产和紧急情况下的处理有着非常重要的作用,因此需要建立安......
本文主要通过对场板和场限环终端结构的理论分析,介绍器件终端结构击穿电压随环间距、环宽度、场板长度等参数的变化规律。利用二维......
为了提高功率芯片的可靠性和耐压能力,结合VLD(横向变掺杂)、JTE(结终端扩展)与SIPOS(半绝缘多晶硅)技术,设计了一种高压深结复合......
氧化镓(Ga_2O_3)是一种新型超宽禁带半导体材料,相比于第三代半导体氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)材料,具有能带更宽、临界击穿电场更......
近年来,半导体分立器件的设计技术、加工工艺、材料等不断取得新的突破,作为第三代电力电子半导体代表产品,IGBT(绝缘栅双极晶体管......
为使3 300 V及以上电压等级绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的工作结温达到150℃以上,设计了一种具有高结终端效率、结构简单且工艺可实......
零售终端建设是当前烟草行业的重要战略任务,各单位、各部门正全力推动终端建设上水平.本文首先从终端结构与分布、零售户素质等方......
为了能够获得性能良好、击穿稳定的高压功率超快恢复二极管,本文对场板和场限环两种终端保护结构进行了充分的理论分析和仿真研......
本文介绍了目前功率器件终端保护结构的最新发展和自主研发的500V/18A、并带有ESD防护结构的VDMOS器件终端结构的理论设计、仿......
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对于基于GPS的车载导航系统,车载终端起着举足轻重的枢纽作用.本文对车载终端的组成结构做了系统性的阐述,并对终端中主要模块承载......
本文比较了SiC高压肖特基热垒二极管与Si基肖特基二极管导通电阻与击穿电压的矛盾关系.通过修正二维数值模拟器MEDICI中关于SiC的......
功率MOSFET是应用最为广泛的功率半导体器件,其价格低廉,技术成熟,开关速度快,驱动简单等诸多优点使它被广泛的应用在便携电子设备、汽......
VDMOS器件以其高耐压、低导通电阻等特性常用于功率集成系统中。功率集成系统在核辐照和空间辐照环境中的大量应用,对VDMOS器件辐照......
在电力电子系统中,功率器件一直扮演着极其重要的角色,既要有较高的击穿电压,又要有较低的通态压降,而以应用最为广泛的MOSFET为例,两者......
VDMOS是微电子技术和电力电子技术融和起来的新一代功率半导体器件。它具有开关速度快、输入阻抗高和负温度系数等一系列优点,广泛......
IGBT是将微电子技术和电力电子技术结合起来的新一代功率半导体器件,是当前半导体分立器件的高端产品,应用范围广,市场需求大,发展前景......
目前,世界性能源危机十分严重,因此,节约能源对整个人类社会的生存和发展具有重大的意义。节能灯由于节能效果十分显著而逐渐成为......
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是现如今主流的功率半导体器件之一,具有高耐压,大电流,低损耗等优点,在电力电子领域内有广泛应用。目前,......
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)是在功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)基......
学位
每一项电力电子新技术的出现和新装置的诞生都是以新型电力半导体器件的问世为契机。因此,电力半导体器件是电力电子技术的基础和......
超3G的移动通信系统是一种全IP的系统,它融合了因特网和移动通信的优点。BRAIN(基于IP的宽带无线接入网)的发展就是要把基于HIPERL......
设计了一个500V纯场限环终端结构。在保证击穿电压的前提下,为了尽可能减小终端结构所占的芯片面积,适当调整场限环终端的结构参数......
针对轨道交通绝缘栅双极晶体管(IGBT)的应用特点,利用计算机仿真技术对终端结构进行优化,提高耐压特性;采用台面栅结构,提高开关速......
对一款700 V功率场效应管失效芯片进行亮点分析,并通过TCAD软件进行数值仿真验证失效原因。最后对失效管的终端进行了改进设计,在2......
采用MIS模型进行VDMOS器件多级场板终端结构的设计并通过二维数值计算对MIS模型进行了修正,在工艺上首次引入了聚酰亚胺/SiO2复合介质层进行多层布线......
基于B.J.Baliga的击穿电压理论,通过求解双边突变圆柱结的泊松方程,提出了单个浮置场限环终端结构的击穿电压解析模型。该模型计算结果......
目前研究的多模终端大多是在硬件上使用两套收发装置,来满足多模的需要.这给终端的灵活性带来了很大的不方便.本文基于改进型软件......
Interference with the C-terminal structure of MARF1 causes defective oocyte meiotic division and fem
(MARF1 ) 成熟分裂拘捕女性 1 在鼠标是为女富饶和染色体完整的维护的最近识别的关键 oogenic 管理者必需品。然而,详细功能和 MARF......
本文主要描述了H.323协议的系统组成、基本协议以及终端的结构,阐述了H.323的四个系统组成部分的功能以及它们之间的关系。H.323是ITU-......
动态雪崩问题是影响高压硅功率二极管如高压快恢复二极管(FRD)坚固性的一个主要因素.文中通过仿真计算,比较了高压FRD两种不同终端结......
使用轴向寿命控制(CAL-controlled axial lifetime)技术,SEMIKRON将他的第4代续流二极管从1200V扩展到了650V和1700V电压等级。一种创......
水利防汛电子会商系统可以实现跨区域、异地、同步、集中召开水利防汛会议,简要从逻辑结构、终端结构、组网结构等方面介绍系统如......
对击穿电压为60 V,导通电阻为10 mΩVDMOSFET进行了优化设计.给出了外延层电阻率,外延层厚度,单胞尺寸等的优化设计方法和具体值.......
针对轨道交通绝缘栅双极晶体管(IGBT)的应用特点,利用计算机仿真技术对终端结构进行优化,提高耐压特性;采用台面栅结构,提高开关速度;通过......
为提高二极管雪崩击穿电流耐量,从斜角终端入手进行分析研究,利用Silvaco TCAD仿真软件对正、负斜角终端P+PNN+结构二极管雪崩击穿......
本文介绍了MOS型硅功率器件在平面工艺条件下常用的电场限制环以及场板终端结构的基本设计理论和设计方法,讨论了这两种结构的优化......
为了提高功率半导体器件的耐压,常常在其结构终端上设置浮空场限环,而环宽、环间距以 及环数的确定是玚限环设计的难点.本文利用Ba......
本文主要通过对场板和场限环终端结构的理论分析,介绍器件终端结构击穿电压随环间距、环宽度、场板长度等参数的变化规律。利用二......