硅膜厚度相关论文
本文研究了不同硅膜厚度对栅接地SOI NMOS器件ESD(静电放电)特性的影响,结果发现硅膜厚度越大,ESD二次击穿电流I12越大;其原因可能与......
基于电荷分享原理,推导了双栅和环栅MOSFET短沟效应造成的阈值电压下降,分析了栅氧经层厚度、衬底掺杂浓度及硅膜厚度等因素对短沟效......
通过改进CVD的工艺条件,采用氢气抛光和有效地控制衬底自掺杂,采用硅烷低温热分解法,在2″蓝宝石衬底上实现了硅外延层的均匀淀积,制备了高......
研究了硅膜掺杂浓度、厚度和硅化物厚度等工艺条件对SOI MOSFET寄生双极晶体管增益的影响.提高体区掺杂浓度、增加硅膜和硅化物厚......
本文分析了SOI(SilicononInsulator)栅控混合管(GCHT)中硅膜厚度对器件短沟效应,阈值电压,亚阈斜率,零栅压电流的影响,讨论了结构参数,工艺参数对硅膜厚度作用的影响,研......
本文报道了薄膜SIMOX/SOI材料上全耗尽MOSFET的制备情况,并对不同硅膜厚度和不同背面栅压下的器件特性进行了分析和比较。实验结果表......
对UTB器件的各结构参数进行了优化,给出了UTB器件设计的指导方向.在UTB器件的设计中,有三个重要参数,即器件的源漏提升高度、锗硅栅(Ge......
随着各种新纳米CMOS器件技术的出现,在等比例缩小原则的限制下,硅膜厚度逐渐减薄,这对通过电容-电压法进行物理参数提取带来了挑战......