ETSOI器件相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

ETSOI器件相关论文

Silicon-on-Nothing(SON)MOSFET及其制造方法

随着体硅CMOS技术的发展,需要从材料选用、器件结构以及加工技术等各个方面进行创新,其中以应变硅为代表的沟道高迁移率增强技术,......

学位

ETSOI器件浮体效应自加热效应准SOI器件应变Si

14/16 nm ETSOI器件仿真与研制

全耗尽超薄绝缘体上硅技术可作为MOSFET 22nm及其以下技术节点主要可选技术中的一种。但该层极薄薄膜对传统的注入工艺来说,具有极......

学位

ETSOI器件注入掺杂轻掺杂区原位掺杂背栅偏压

看过本文同时还关注