漂移区相关论文
基于STI(Shallow Trench Isolation)的LDMOS(Laterally Diffused Metal-OxideSemiconductor Field-Effect Transistor)器件由于耐压高......
借助ISE软件,以调试后各参数性能优良的图形化SOI LDMOS器件为仿真平台,研究并分析了栅氧化层厚度,漂移区浓度,沟道浓度,SOI层厚度......
本文介绍了功率器件的发展过程,重点阐述了近年来出现的可关断晶闸管的结构,工作机理,及它们各自的特点。
This article describes t......
本文提出一种新型横向绝缘栅双极晶体管/横向扩散MOS混合晶体管(LIGBT/LDMOS),在有非平衡电子抽出下截止瞬态响应的电荷控制模型,由考虑非准静态效应的......
天光一号MOPA系统由前端、电子束泵浦的KrF准分子激光预放大器和主放大器及光学角多路传输系统组成。本文介绍预放级电子束引出系......
从RMOS器件的导通电阻模型出发,通过分析导通电阻与栅氧化层厚度和槽深间的定量关系,得出:减薄栅氧化层厚度或增加槽的深度,可以降低器件的......
讨论了内场限环结构对LDMOST耐压的影响,采用直接积分的方法推导出内场限环表面掺杂浓度的精确优化公式。同时,分析了内场限环LDMOST的优化结构的......
首次建立了RESURF二极管的低温优化模型,推导出77K~300K范围内击穿电压和漂移区长度的优化公式,给出了一定耐压下最小漂移区长度随温度的变化曲线。......
文章讨论了内场限环结构LDMOST的参数优化和器件耐压问题,采用直接积分的方法推导出内场限环表面掺杂浓度的精确优化公式.同时,对LDMOST的优化结构......
借助双极传输理论导出了高速绝缘栅双极晶体管(IGBT)传输特性的物理模型。稳态时,其工作原理与普通IGBT完全相同,但瞬态时,由于N+阳极对基区非平衡......
在PSPICE电路模拟软件中,采用简单易行的等效电路模拟法,建立了改进型等效电路模型,实现了对功率开关器件特性的模拟。通过与实验结果比较,证......
提出了一种新型的MOS栅控晶体管——MOSGCT。该结构在DMOS的一侧引入一个NPN 晶体管,使之在正向时具有DMOS与NPN 双极晶体管的混合特性,在关断时具有与DMOS相似的......
从理论和实验两方面对静电感应晶体管(BSIT)的开关时间进行了分析和测量,提出了简单的分析方法,将影响BSIT开关时间的各个因素归结为结构因子和......
本文给出了充等离子体微波管漂移区电子运动的空间轨迹方程,据电子运动特性沿径向将空间划分为三个区域.利用数值方法分别求解非相对......
提出了空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管( C I L I G B T),它可以有效地控制高压下阳极区空穴注入,提高器件的闭锁电压。通过对阳极区反......
在常温下测量了ITO/8-羟基喹啉铝/Mg/Ag结构的有机结型器件的电容-电压和伏安特性.它与常见的半导体结型器件特性有很大不同.在小偏压下,界面附近的......
提出了一种MOS栅晶闸管的新的关闭栅结构——耗尽型MOS关闭栅,有效地改善了多元胞器件元胞关断的非均匀性.
A new closed gate structure ......
采用数值模拟分析了双降场层SOI-LIGBT击穿电压与SOI层厚度和隔离SiO2层厚度的关系,分析了阳极短路面积比对器件正向压降、关断时......
围绕传统型横向高压器件LIGBT存在的关断时间较长和闩锁电流密度较小等缺点,本文对近年来提出的一系列新型结构的LIGBT作了较系统的分析与对比......
提出了 TFSOI RESURF功率器件的表面电场分布和优化设计的新解析模型 .根据二维泊松方程的求解 ,得到了表面电场和电势分布的相关......
报道了 4H- Si C混合 PN / Schottky二极管的设计、制备和特性 .该器件用镍作为肖特基接触金属 ,使用了结终端扩展 (JTE)技术 .在......
引入了一种SITH仿真模型。结合实验数据,利用PSPICE模拟软件,从等效电路的角度对静电感应晶闸管(SITH)进行了正向导通,类三极管正向......
通过在SOI LIGBT中引入电阻场板和一个p MOSFET结构 ,IGBT的性能得以大幅提高 .p MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到 .在IGBT关断......
利用动态控制阳极短路的基本原理 ,提出了一种实现高速 IGBT的新思路 .该结构的关键是引入了一个常开型 p- MOSFET,在 IGBT导通时......
研制了两种薄膜 SOI高压 MOSFET,一种是一般结构 ,另一种是新的双漂移区结构 .两者的栅宽均为76 0μm,有源区面积为 8.5 8× 10 - ......
采用薄穿通(LPT)垂直结构的载流子贮存挖槽栅双极型晶体管(CSTBT)是一种新型的功率器件。与IGBT相比,其结构得到了改进,具有功耗更......
设计出一种能与体硅标准低压 CMOS工艺完全兼容的新型凹源 HV-NMOS( High voltage NMOS)结构 ,在 TSUPREM-4工艺模拟的基础上提出......
研究了场板终端技术对改善 MOSFET栅下电场分布和碰撞电离率的作用 ,结果表明 ,MOSFET在高压应用时 ,漏极靠近表面的 PN结处电场最......
最近由于降低了导通和开关损耗,PT IGBT的性能已在200~300V的额定范围超越了功率MOS管。本文比较了300V的IGBT和300V的功率MOS的所......
前言CoolMOSCS系列“超级结”MOSFET器件高压设备的成功是基于1998年英飞凌公司推出的CoolMOS技术。这些器件的优越性能实现了区域......
随着SOI层厚度的变化,当SOI层的厚度为2μm时,SOILDMOS器件具有一个最佳的击穿电压.如果漂移区纵向的杂质浓度为线性分布,那么它的......
0引言最近20年来,功率器件及其封装技术的迅猛发展,导致了电力电子技术领域的巨大变化。当今的市场要求电力电子装置要具有宽广的......
建立了高压RESURF LDMOS的开态击穿模型.该模型考虑了载流子的速度饱和现象和寄生双极性晶体管的影响,获得了开态下 LDMOS 漂移区......
提出了体硅LDMOS漂移区杂质浓度分布的一种二维理论模型,根据该模型,如果要使带有场极板的LD MOS得到最佳的性能,那么LDMOS漂移区......
本文分析了电子束焊接装置用电子光学系统束斑形成的物理因素,通过分析及大量计算得到了电子束会聚半角、光路尺寸和透镜参量的选......
提出了一种具有n+浮空层的横向super junction结构,此结构通过磷或砷离子注入在高阻衬底上形成n+浮空层来消除传统横向super junct......
提出非均匀厚度漂移区SOI高压器件新结构及其优化设计方法.非均匀厚度漂移区调制SOI层的电场并增强埋层电场,从而提高器件击穿电压......
建立了PDP驱动芯片用高压LDMOS的SPICE子电路模型,该模型集成了LDMOS固有特性:准饱和特性、电压控漂移区电阻、自热效应、密勒电容......
提出了双面阶梯埋氧层部分绝缘硅(silicon oninsulator,SIO)高压器件新结构.双面阶梯埋氧层的附加电场对表面电场的调制作用使表面......
三、钓组和调钓因素风、浪和对流层对浮标乃至整个钓组施力是外力,影响走标,外因通过内因起作用,浮标和以浮标为核心组成的钓组自......