铜单晶相关论文
在结构和功能器件小型化趋势的驱使下,有关微、纳米尺度材料的研究变得尤为重要。由于微、纳尺度材料的力学性能往往不同于块体材......
关于层错能(SFE)对面心立方(FCC)金属晶体疲劳位错结构的影响已经取得了较为系统的研究结果，但其对疲劳位错结构热稳定性影响的研究......
本文探讨铜单晶制备及O.C.C.连续铸造技术，用加热铸型的方法,形成凸向液相的凝固界面,并在铸锭轴向一维传导热流,实现定向单晶连续......
随着微电机系统及微系统技术的发展，对材料疲劳性能尺寸效应的研究引起了材料研究者极大的关注。大多数研究者所研究的对象多为多晶......
锂电池在首次充放电过程中,电解液在电极表面发生反应,生成一层固体电解质界面膜(Solid Electrolyte Interface,SEI).SEI膜对......
通过离散位错动力学模拟了铜单晶柱在单轴压缩条件下的应力应变关系.结果显示该应力应变关系曲线可以根据单晶柱尺寸由小到大分为......
采用离散的位错动力学方法，计算机模拟循环形变单滑移取向铜单晶中疲劳早期自组织位错花并的形成和演化过程，并与利用SEM-ECC技术所......
该文在对已有研究成果综合分析的基础上,通过改造原有铝单晶连铸装置,使其可用于铜单晶连铸,在国内首次对纯铜的单晶连铸工艺进行......
该论文选择高纯度铜单晶,经循环疲劳以后进行高密度脉冲电流处理,研究脉冲电流处理对疲劳铜单晶位错结构的影响.对典型单滑移取向......
该文研究采用的铜单晶体取向为[1 2 3]和[1 4 9],均为单滑移取向.经恒塑性应变幅控制的对称拉—压疲劳实验后,形成PSB梯状结构.对......
该文研究采用的铜单晶体取向为[5 48],为单滑移取向.经恒塑性应变幅控制的对称拉—压疲劳实验后,试样内部形成PSB梯状结构.随之,对......
单晶连铸技术将定向凝固技术与连铸技术相结合,是一种新型的近净成形加工技术.利用单晶连铸技术可制备优质的深加工坯料、生产复杂......
为了准确地控制工艺参数 ,获得表面光洁、高质量的连铸铜单晶 ,采用数值分析方法研究铜单晶连铸时固液界面的位置和形状 .发现铸型......
本文采用自制单晶连铸设备和Ｘ射线衍射方法研究连铸铜单晶的晶体取向与竞争生长。结果表明，在晶体演化过程中逐渐淘汰的晶面为（３１１）、（２００）和（１１１），最......
以铜单晶为模型材料，采用扫描电镜电子通道村度术（SEM－ECC）和透射电子显微技术，在不同尺度上研究了单次和两次等通道转角挤压（equalchann......
在塑性分切应变幅（γｐｌ）为１０<sup>－４</sup>─１０<sup>－２</sup>的范围，研究了双滑移取向（［０３４］，［１１７］）和单滑移取向（［１２５］）Ｃｕ单晶的循环硬化及饱和行为．［０３４］晶体的初始循环硬化......
为了准确地控制工艺参数，获得表面光洁、高质量的连铸铜单晶，采用数值分析方法研究铜单晶连接时固液界面的位置和形状。发现铸型温度......
本发明公开了一种低维电荷密度波导体钼氧化物青铜系列单晶样品的制备方法，将碱金属碳酸盐或Tl2CO3与MoO3按1：3．1～6．15的摩尔比例混合，研......
在自制的单晶连铸设备上，通过各工艺参数合理匹配，成功地制备出了表面光洁、直径８ｍｍ、长８－１０ｍ的铜单晶铸棒。通过理论分析和实验验证发现铜单......
采用自制水平单昌连铸设备制备铜单晶，并对铜单晶的力学性能和电阻率进行了测试分析。结果表明，铜单晶与多日铸棒比，抗拉强度低２０．８５％，屈服强......
以铜单晶为模型材料，采用扫描电镜电子通道衬度术（ＳＥＭ－ＥＣＣ）和透射电子显微技术，在不同民度上研究了单次和两次等通道转角挤压过程珠剪切形变特......
利用扫描电镜电子通道衬度（SEM—ECC）技术观察和分析了[2^-23]和[1^-12]共轭双滑移取向铜单晶体的循环饱和位错结构．结果表明，驻留滑移......
Saturation Dislocation Microstructures of Double-slip-oriented Copper Single Crystal during the Corr
Copper single crystal specimens with the longitudinal axis parallel to the [013] double-slip-orientation were grown thro......
用光学显微镜和扫描电镜研究了双滑移取向（［０３４］，［１１７］）Ｃｕ单晶循环饱和后的表面形貌，塑性分切应变幅（γｐｌ）低于１０<sup>－３</sup>时，［０３４］晶体表面上要为主滑移系的......
采用离散的位错动力学方法。用计算机模拟循环形变单滑移取向Ｃｕ单晶中疲劳早期位错花样的形成和演化过程，并利用扫描电镜电子通道衬度......
采用分离式Hopkinson压杆装置（SHPB）和扫描电镜电子通道衬度（SEM—ECC）技术研究了不同取向疲劳态铜单晶高应变率压缩下形成的绝热剪切......
研究了同纯度的连铸单晶铜和连铸多晶铜的力学性能及断裂特征,并分析了二者范性变形特点的异同及原因.结果表明,连铸单晶铜与连铸......
Cu单晶在中子单色器、激光核聚变和音频信号传输等方面有着广泛的应用前景。根据对Cu晶体的差热分析结果，设计并制作了硅钼棒加热单......
对工业铜单晶线材用不同浸蚀剂，浸蚀时间，材料晶体取向等方面进行了浸蚀试验．结果表明，在氯化铁盐酸溶液中仅当配比为20g（FeCl3）：5ml（HCl）：10......
为了获得制备确定初始取向铜单晶的最优工艺参数，采用不同的抽拉速度、坩埚材料以及单晶体生长通道参数值制备出铜单晶体试棒．并应用......
Cuprous oxide single crystal has been synthesized by sonochemical method through the thermal decomposition of copper ace......
对铜单晶循环形变的研究过程中发现了几种典型的位错组态:脉络、驻留滑移带(PSB)中的梯状位错结构、迷宫位错结构、宏观形变带(DB)......
为了更细致地揭示面心立方金属单晶体的循环变形机制，利用扫描电镜电子通道衬度（SEM—ECC）技术观察研究了Schmid因子为0．5的[41841]单......
对疲劳后的[123]铜单晶体进行高电流密度脉冲处理可以形成多边形与椭圆形两种再结晶晶粒,晶粒尺寸分别为7.2-8.8μm和5.3-8.0μm.......
大塑性变形法可制备致密度很高的纳米纯金属、金属间化合物等材料，但人们对这种方法导致的纳米晶粒细化过程和细化机理还缺乏深刻的......
本文采用自制单晶连续设备和Ｘ射线衍射方法研究连铸铜单晶的晶体取向与竞争生长，结果表明，在晶体演化过程中逐渐淘汰的晶面为（３１１）、（２００）和（１１１），最后......
采用提拉法生长出大尺寸（111）铜单晶,晶体尺寸为Ф （12~19）mm×85 mm。通过XRD、金相显微分析讨论了铜单晶的晶体结构与生长缺陷,......
采用改进的垂直布里奇曼法生长出外观完整、表面光滑、尺寸为15 mm×35 mm的Cu单晶体,报道了一种铜单晶定向的新方法。将生......
利用单晶连铸技术制备了铜单晶棒材,并对棒材的拉伸性能和变形特性进行研究.通过对铜单晶的加工硬化特征、滑移特征及断裂模式的分......
采用建立在晶体塑性理论基础上的晶体塑性有限变形计算方法,针对铜单晶试样单轴拉伸过程中晶体滑移在试样表面留下的滑移带痕迹进......
采用分子动力学模拟了绝对零度时三种不同边界条件下纳米铜单晶的拉伸力学性能.计算结果发现:不同边界约束对铜单晶的内在原子运动......
铜以其良好的导电性、导热性、延展性、耐腐蚀性，被广泛用于电子信息、电力传输、国防装备、机械制造等领域，特别的具有单晶结构的铜......
