接触孔相关论文
随着半导体制造技术的发展,器件尺寸越来越小,以满足人们对器件高性能和低功耗的要求。尺寸缩小对制造技术提出了巨大挑战,缺陷成......
为了拓展KrF光刻在小于180nm的SIA设计规则技术阶段的制造能力,需要一种最大0.7NA透镜的远紫外步进扫描曝光系统来提供足够的工艺......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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介绍了原子力显微镜在碲镉汞材料器件工艺测试方面的应用。应用其可以进行磨抛后材料表面的粗糙度测试,接触孔形貌,以及外延后衬底......
在重庆空调圈子里，经常有同行提到合创机电总经理孔健。而（（中央空调市场》作为1份市场类杂志，却一直没有机会近距离接触孔总，实为遗憾......
本文介绍了在在线电压比较检测中可采用未接地链测试结构对诱发通孔和接触孔开路缺陷的机制进行监控和调试。它为如何利用在线电压......
本文根据钨（W）的相关特性,对其与工艺的影响和关系进行了研究,通过实验并分析证实了钨（W）在接触孔或通孔的填充能力与相关工艺条件存在......
在亚微米ＩＣ器件的铝金属化工艺中，采用了阻挡层和硅化物后，发现随着铝淀积温度的升高，铝的阶梯覆盖率有所提高，为克服高温淀积带来的问题......
随着集成电路集成度的不断提高，晶体管的速度要求越来越快。器件关键尺寸不断缩小，导致互连延迟已大于集成电路器件开关的延迟成为影......
随着集成电路工艺进入深亚微米阶段,后端的金属互连大多采用铜互连技术。但由于铜的扩散问题,接触孔工艺还是采用钨填充技术。随着......
本文主要论述了根据B公司6英寸双极产品遇到的P+链电阻参数异常情况,以理论为依据,通过一系列实验所得到的数据,提出针对接触孔刻......
讨论在标准0.18μmCMOS逻辑平台上加入一次性编程单元(OTPCell)后,工艺所面临的问题。由于OTPCell的设计尺寸远小于0.18μm技术代......
