高压器件相关论文
在新能源革命的背景下,功率半导体器件电压等级不断提高。由于现阶段封装设计缺乏系统的理论指导,功率半导体更高的耐压水平使器件......
GaN因具有宽禁带、高饱和电子速度和良好的热导率等优点而被视为制作高压高重频超快光电导开关（photoconductive semiconductor swi......
近年来,驱动类、音响类、接口类电路产品系列是CMOS集成电路发展的一个重要方向,这些电路中特有的高低压兼容结构是其重要的特点，相......
采用PN结隔离的标准双极工艺，成功地设计了一种输出达40伏的高压微型化跳频控制电路。在电路设计、版图设计、工艺设计中运用了可靠......
针对现行Ｐ型杂质扩散工艺的不足，开展了受主双质掺杂新技术的研究．经对比实验和工艺论证，首先研究成功开管铝镓一步扩散法．应用证明，该项......
对平面型电力电子器件场环终端进行了优化设计与试验研究．提出了用混合因子Ｍｘ（载流子密度与固定电荷密度之比）作为判断理想耗尽区近似是......
本文利用计及表面电荷的柱面结电场分布表达式，并根据场限环优化条件，首次建立了单场限环表面电荷效应优化模型，得到了考虑表面电荷效......
根据目前国内半导体工艺水平的现状，提出了一种制作ＩＧＢＴ的工艺方法──三重扩散法，并着重用器件模拟的方法，从理论上分析和证实了三重扩散......
提出了一种无须进行电离积分的用于高压结终端模拟的边界元素法，分析了下ＦＰ－ＪＴＥ终端结构中扩展区注入剂量对击穿电压的影响，结果表明击穿电......
围绕传统型横向高压器件ＬＩＧＢＴ存在的关断时间较长和闩锁电流密度较小等缺点，本文对近年来提出的一系列新型结构的ＬＩＧＢＴ作了较系统的分析与对比......
给出了横向高压器件ＬＤＭＯＳ、ＬＩＧＢＴ以及具有阳极短路结构的ＬＩＧＢＴ的输出特性、开关特性及耐压特性等模拟曲线，并对这三种器件的结构和性能进行了较系统......
对最基本的场板结构 ,通过理论推导 ,深入讨论了场板下氧化层厚度与击穿电压、氧化层玷污所带正电荷电量之间的关系 ;又给出了场板......
ADI公司在慕尼黑近期举办的Elec-tronica展览会上宣布的iCMOS模块化工艺,引起了人们的重视。它标志着模拟技术在整个微电子技术中......
随着SOI层厚度的变化,当SOI层的厚度为2μm时,SOILDMOS器件具有一个最佳的击穿电压.如果漂移区纵向的杂质浓度为线性分布,那么它的......
提出了一个均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI高压器件的统一击穿模型 .基于分区求解二维Poisson方程 ,得到了不同漂移区杂质分布的横......
提出非均匀厚度漂移区SOI高压器件新结构及其优化设计方法.非均匀厚度漂移区调制SOI层的电场并增强埋层电场,从而提高器件击穿电压......
研究了高压LDMOS(lateral double-diffused MOS)晶体管中一种特殊的电流饱和现象——准饱和效应.借助于TCAD模拟工具,澄清了准饱和......
SOI LDMOS是SOI高压集成电路的核心器件,而纵向击穿电压是制约其性能的关键。本文首先指出了常规SOI LDMOS纵向耐压低的原因;然后......
为了提高基于绝缘体上的硅(SOI)技术实现的横向扩散金属氧化物半导体器件(SOI LDMOS)的击穿电压,提出了斜埋氧SOI LDMOS(S SOI LDM......
提出一种可以表征STI型LDMOS器件各个区域界面陷阱密度分布的测试方法——MR-DCIV,利用该方法得到包括LDMOS器件的沟道区、积累区......
氮化镓技术因其在低功耗、小尺寸等特性设计上的独特优势和成熟规模化的生产能力,近年来在功率器件市场大受欢迎。在前不久举办的E......
利用0.15μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30V的双扩散漏端MOS晶体管(double diffused drain MOS,DDDMOS).观察到DDDMOS的衬底电......
前言日本国营铁道公司的研究室在十五年前就开始进行在隧道掘进方面应用水射流的基础研究、切割岩石的试验和配有水射流的掘进机......
本文报导了用镓代替硼铝在高反压管中的应用。产品合格率,优品率均明显高于现行生产工艺。主要电参数已达日本BU208管的水平。实验......
本文简要介绍玻璃钝化技术的基本原理和优越性。重点介绍采用熔凝玻璃作为高频高压硅堆的钝化层和兼作外形封装材料的工艺过程,工......
集成电路工艺研究 期 页离子注入在铝～硅接触中的应用……………………………………·…………………”l(1)一种新的V形槽腐蚀方法......
SEBISIT器件充分利用了SIT器件的栅的电场屏蔽作用,一方面有效地抑制了高反压下耗尽层向基区内的扩展,实现了高压薄基区;另一方面......
由于SIMOX SOI(氧离子注入隔离绝缘体上硅膜材料)能很好地满足当今的集成电路要求,并能同传统的集成电路制造兼容,它越来越广泛地......
本文介绍一种新颖的由八个PMOS高压器件组成的高压PMOSIC,描述了高压PMOS的器件设计和工艺设计,高压PMOS器件的物理模型,并给出了......
本文采用了一种新型结构器件—SEBISIT（Serial Bipolar Static Induction Transistot）,成功地改善了高压晶体管的抗核辐射能力。常规......
对高压/功率器件,根据其独特的特性,本文提出并论证了一种新型的、适用于通用SPICE物理模型的模拟方法。模拟过程是在没有调整模拟......
本文介绍电导调制型功率器件(CMD)的结构、工作原理和器件特性。在向高压器件发展的过程中,CMD器件相对于MOSFET的优势越益明显。......
本文简要介绍了电子电路红外检测原理和实验。并对实验结果进行了初步分析。
This article briefly introduces the electronic c......
一、前言环氧树脂固化物具有优异的机械性能、电器绝缘性能和化学稳定性。同时,浇注料配制简便,易于操作,便于成型,这是其它绝缘......
本文讨论了用作高速开关和放大的平面型垂直DMOS FET的优化设计,出了能用于亚ns(毫微秒)开关的高压器件的设计考虑,并讨论了这种器......
一、工作原理场限环(Field Limiting Ring)是改善硅功率器件电压性能的一项新技术。场限环结在高压器件的主结扩散过程中形成,具......
在双极和BiMOS工艺中,用三层缓变外延层代替单层恒定浓度的厚外延层,使高压器件缩小了15～40％。由于结隔离热周期的缩短和表面耗尽扩......
本文采用N阱硅栅CMOS工艺和自绝缘偏移栅高压MOS器件结构。研制出500V高压集成电路LCH1016。重点讨论了高压器件结构对击穿电压的......
单晶Si衬底上沉积一层非晶绝缘的SiO_2膜,再在SiO_2膜上沉积一多晶硅层,经区熔再结晶处理后,形成单晶硅膜。这种结构的材料称为SO......
在外延气氛中对SIMOX/SOI样品作了不同条件的烘烤.RBS分析表明,高温外延气氛对SIMOX/SOI结构有严重的损伤,主要表现为H_2对表层硅......
