导纳谱相关论文
铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4(CZTS))太阳能电池由于其材料来源丰富、理论效率高、无毒等优点，已渐渐成为人们研究的热点。而CZTS 缺陷的研究......
利用变频导纳谱研究了r辐照前后Hgl-xCdxTe（x=0.6)n-on-p结中的深能级缺陷。辐照前其缺陷能级位置在价带上0.15eV俘获截面O＝2.9×10-......
对高层建筑、桥梁、海工结构及特殊建筑结构，都需采用深桩基础，即使普通建筑结构，在基础状态比较差的情况下，亦需使用桩基来提高结构的......
该文研究了GeSi双层量子点的耦合效应,从理论和实验上对用分子束外延(MBE)自组织方式生长的Si基Ge双层量子点的深能级瞬态谱(DLTS)......
本文内容包括： 1.用导纳谱的方法研究了GeSi双层量子点的耦合效应对库仑荷电作用的影响。由于双层量子点间的耦合效应和间隔层厚......
本文重点研究如何利用导纳谱测量半导体中的浅能级。
第一部分主要研究与分析利用导纳谱测量半导体中浅能级的理论模拟计算。......
在室温至 16 0℃范围内测量了掺钇钨酸铅 (PWO∶Y)晶体的直流电导率 ,证明此时的载流子为极化子 .观察到极化子由能带导电到跳跃导......
导纳谱方法(阻抗谱方法)是电化学测试技术中一类十分重要的方法,现有的商用仪器无法实现快速动态测试,且价格昂贵,体积庞大。文中......
阐述了ＺｎＯ压敏陶瓷材料导纳谱测试的原理和方法，重点介绍了作者组建的自动测试系统以及由该系统测得的某些ＺｎＯ压敏陶瓷试样的Ｄ￣ｆ、Ｇ￣Ｔ和Ｃ￣Ｃ’曲线。......
该文用导纳谱方法探讨ＺｎＯ２压敏陶瓷中电子陷阱的种类和起因，研究某些微量添加剂对它们的影响。结果本征缺陷二次电离填隙锌Ｚｎ＾２＋能探测到不但......
利用变频导纳谱研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．６）ｎ＾＋－ｏｎ－ｐ结中的深能级缺陷，得到其缺陷能级位置在价带上０．１５ｅＶ，同时给出了其俘获截面和缺陷密度，初步认为是Ｈｇ空位或与其相关的复......
本文利用三个高阶重力场模型LP150Q、GLGM-3和SGM150j以及嫦娥地形模型CLTM-s01,在频率域内使用固定窗口的方法,研究了不同重力场......
采用导纳谱对SiGe双层量子点进行测试，通过对测试数据分别进行多频和单频处理，发现两者获得的激活能存在差别，原因主要来自衬底肖特基......
提出变偏压的导纳蚵用来研究量子点的能级结构以及其中载流子的库仑相互作用，对Ｇｅ／Ｓｉ量子点结构进行了变偏压的导纳谱测试，探测到了５个空穴......
摘要：简述了不停电检测CT及其二次回路故障隐患的必要性，介绍了传统主流的导纳故障分析方法，提出基于导纳谱值响应分析测试方法，并研究......
利用振动工程中的模态分析技术，对桩基系统的振动特性进行研究。根据桩基系统的集中质量参数振动模型，对完整桩和各种缺损桩模型的导......
常规粒子群算法PSO对低敏感参数较难进行最优估计,本文提出联合自适应惯性权重和变异的混合粒子群算法ADPSO.结果表明：最佳拟合效果......
将导纳谱应用于半导体ＧｅＳｉ量子点的研究，观察到了典型直径为１３ｎｍ的Ｇｅ量子点的库仑荷电效应及其分立能级结构。......
利用导纳谱研究了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ单量子阱光调制器的电学行为，观察到了量子阱中电子或空穴子能带的“场致去局域化”的物理现象。......
导纳谱作为一种强有力的电学测试手段,在研究限制体系的能级结构,激活能,以及不同材料间的带阶等方面起着重要的作用。但是,对于导......
重金属铱配合物磷光染料掺杂荧光主体体系是各种磷光发光和荧磷共混发光OLED常用的载流子传输层和发光层。通过对荧磷主客体掺杂体......
有机半导体材料凭借成本低、工艺简单、可实现大面积加工以及与柔性基底兼容等优点，在发光二极管、有机薄膜晶体管以及有机太阳能电......
集成电路器件特征尺寸急剧缩小对源漏材料与衬底的接触势垒提出了新的挑战。各种新型的低势垒材料和新型硅化物制备方式不断涌现。......
导纳谱法是在不同边界条件下,根据空间电荷限制电流理论,推导并建立的描述有机半导体传输机制的理论模型。本文用导纳谱法来研究结......
有机电子学已经成为一个新兴的前沿领域,本论文将导纳谱方法应用于有机半导体的载流子输运研究中。本论文结合具体的有机半导体材......
