非晶态薄膜相关论文
采用反应射频磁控溅射在Si(100)基片上制备了不同微结构的铝掺杂氧化锆薄膜和铝钛共掺杂氧化锆薄膜.利用高分辨透射电子显微镜(HRT......
采用磁控溅射法制备了非晶态Mg和MgNix(x=0.03-0.30)薄膜,并在常温下对非晶薄膜进行了吸、放氢实验,测量了薄膜在吸、放氢过程中光......
用离子束溅射方法制成了非晶态软磁薄膜,具有良好的软磁特征。本文研究了离子能量、氩气压强、沉积速率和入射角对磁膜性能的影响......
本文报道在25℃的丙酮气相诱导下BPAPC的结晶行为和形态.采用溶液浇注法制备3、10或30μm厚度的BPAPC非晶态薄膜.DSC曲线呈熔融双......
WO_3电致变色薄膜因具有着色效率高、可逆性好、响应时间短、寿命长、成本低等优点,使其在许多领域有着广阔的应用前景,因此引起了......
覆盖Pd保护层的Mg和Mg基合金薄膜可随着吸收氢原子数量的变化在高反射金属态和透明半导体态之间可逆地转变,利用这一特性可以研制......
本论文以常规晶化(CFA)和快速晶化(RTA)为方法来研究非晶态薄膜的晶化过程,通过改变晶化处理温度、时间以及不同的升温速率等工艺......
快离子导体（有时又称固体电解质）是指离子电导率接近有时甚至超过盐溶液和电解质溶液的一类固态材料。用作电致变色器件的快离子导体......
和晶态InSb材料相比，非晶a-InSb材料具有成本低，制备工艺简单等优点。但是目前国内外还缺乏非晶态半导体材料全面和详尽的研究。本文......
采用射频反应磁控溅射工艺,以纯钽、锆为靶材,在WO3/ITO/玻璃基材上制备TaOx:Zr薄膜。研究锆掺入量、掺杂方式、溅射功率等制备工......
<正> 本文介绍的是文献[1]的第二轮研制工作,包括:①用射频溅射非晶态NiSiB薄膜应变片的制备新工艺;②敏感弹性元件的设计;③薄膜......
采用直流反应磁控溅射工艺,以纯钨靶为靶材在ITO玻璃上制备电致变色WOx薄膜,运用XRD衍射方法和扫描隧道显微镜(STM)测试手段对薄膜......
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The Cu25Nb75 and Ni45Nb55 amorphous films with about 500nm thickness were prepared by ion beam assisted deposition (IBAD......
利用电子束热蒸发镀膜的方式，以高纯度的ZnO和TiO2颗粒为原料，以Si为基底在有氧的气氛中制备ZnO/TiO2复合薄膜。研究制备温度对ZnO/T......
研究了超声波对化学镀Ｎｉ－Ｃｒ－Ｐ非昌态薄膜的金刚石性能的影响，结果表明，超声波可使金刚石非晶态薄膜更加均匀和致密，从而提高了抗压强度，氧化温......
采用直流反应磁控溅射工艺,以纯钨靶为靶材在铟锡氧化物玻璃上制备电致变色WOx薄膜,研究了氧含量、溅射功率及溅射环境温度等工艺......
采用射频反应磁控溅射工艺,以纯钽为靶材,在WO3/ITO/Glass基材上制备TaOx薄膜,研究氧含量、溅射功率等制备工艺参数对TaOx薄膜性能......
采用反应磁控溅射工艺,以纯钨和纯钼为靶材在ITO玻璃上制备Mo掺杂WOx电致变色薄膜,用薄膜的透射光谱和XRD衍射方法对掺杂后薄膜的......
用直流共溅射方法制备了富稀土－过渡族金属非晶态合金薄膜，用数值计算的方法计算了激光照射下多层膜结构盘片的温度场分布，分析了盘片......
采用射频反应磁控溅射工艺，以纯钽、锆为靶材，在WO3/ITO/玻璃基材上制备TaOx：Zr薄膜。研究锆掺入量、掺杂方式、溅射功率等制备工艺参......
＂DLC＂是英文＂DIAMOND-LIKE CARBON＂一次的缩写。DLC是一种由碳元素构成、在性质上和钻石类似,同时又具有石墨原子组成结构的物质。类金......
在单晶Si和多晶Cu基底表面上使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积了SiC薄膜.通过高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线光......
期刊
目前,基于CMOS工艺的传统存储技术逐渐接近其物理极限,处理器和存储器之间速度差造成的计算机存储墙问题也变得越来越严重,这些都......
