鳍式场效应晶体管相关论文
阐述CMOS技术进入深纳米工艺节点,鳍式场效应晶体管以其优异的电学性能成为目前的主流器件。当工艺发展到Fin周期小于40nm时,开展自......
随着半导体产业的发展,对半导体材料的要求也在提高,作为第三代半导体的GaN材料展现出了很多独特的优势,而基于GaN材料制备的AlGaN......
在后摩尔时代,为了满足成本、技术等方面的需求,人们对MOSFET在尺寸方面的要求不断提高,短沟道效应的影响日益显著,为了回避短沟道......
集成电路技术的发展方向仍旧是不断提高集成度和降低制造成本。三维鳍式场效应晶体管(FinFET)器件和平面超薄沟道与埋氧层(Ultra-T......
随着特征尺寸的不断微缩,传统体硅平面器件在20nm节点几乎达到了技术极限。具有更好微缩特性的体硅FinFET多栅器件成为近年来学术界......
提出了一种基于保角映射方法的14nm鳍式场效应晶体管(FinFET)器件栅围寄生电容建模的方法。对FinFET器件按三维几何结构划分寄生电......
金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件建模是半导体技术研究的重要课题,它在半导体器件设计和参数优化中发挥着重要作用。......
在摩尔定律的推动下,场效应晶体管的特征尺寸不断缩小,以Fin FET为代表的新型立体沟道器件不断涌现。这些三维短沟道新器件在射频......
单壁碳纳米管具有优异的电学、力学和光学特性,依据其不同的手性可以呈现出金属性或者半导体性,为碳纳米管在电子器件中的应用提供......
FET的全名是场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET),先从大家较耳熟能详的MOS来说明。MOS的全名是金属-氧化物-半导体场效晶......
中国集成电路技术和产业经过了最新一轮十年的攻关,已经形成了较为系统的布局。分析了国内外集成电路制造技术和产业发展趋势以及......
为了解FinFET在辐射环境下的可靠性,对22 nm体硅N型FinFET热载流子注入效应及电离总剂量效应进行了研究。试验结果表明,本批次nFin......
集成电路是将电子元件依照电路互连",集成"在晶片上,实现特定功能的电路系统。在当代,集成电路已渗透到社会发展的各个领域,是信息......