A-SI相关论文
a-Si:H/c-Si异质结太阳电池（HAC）因高效、工艺简单、温度系数低等优势,在光伏电力领域前景广阔。氧化铟锡（ITO）薄膜作为HAC太阳电池的......
用对撞锁模Nd:YAG激光器产生的超短光脉冲对非晶硒化镉和辉光放电非晶硅的瞬态响应进行研究,并用多重俘获传导模型分析光生载流子......
文章从低成本a-Si肖特基电池材料着眼,研究了Au和Ni与辉光放电法制备的非晶态硅所形成的肖特基结特性,即接触势垒的高度?n;二极管......
一种新的掺稀土元素钇(Y)的a-Si:H 材料已被研制出来。该材料的电导率随掺 Y浓度而改变,当掺 Y 浓度约10~(2)时,a-Si:H(Y)的室温......
对a-Si:HTFT有源矩阵的一些关键制造工艺进行了研究。研究了Ta2O5／a－SiNx双绝缘层的制备技术，提出了一种新的双有源层结构a－Si:HTFT来......
本文发展了一种研究a－Si：HTFT电流一电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型，提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念，......
介绍了测定a－Si：HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a－SiNx：H薄膜淀积时反应气体NH3／SiH4流速比以及a－SiNx:H膜厚对a－Si：HTFT阈值电压......
用ＸｅＣｌ准分子激光器对ａ－Ｓｉ∶Ｈ薄膜进行了低能量密度下的辐照处理，测量了激光辐照区内薄膜的电导率随能量密度与脉冲数的变化．研究表明，能量密度......
测量了缝电极和梳形电极a-Si:H样品的光伏安特性和光电灵敏度,提出了由光电灵敏度计算电荷放大增益的方法。由此法测出的a-Si:H的......
在分析了非晶硅（ａ－Ｓｉ）材料的模型后，提出了一种能够反映ａ－Ｓｉ材料结构特点的无规网络模型。以此模型为基础，用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法模拟计算了能量为０．５～２．５ＭｅＶ的电子束与ａ－Ｓｉ的......
研究Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮＸ双层绝缘栅对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ性能的影响，介绍Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮＸ双层绝缘栅的制作方法．双层绝缘栅结构有效地抑制了单层绝缘栅的针孔效应，改善了短接现象，提高了有......
为了定量地得到磁场梯度对a Si∶H薄膜沉积速率的影响 ,对单磁场线圈分散场MWECRCVD系统等离子体室和沉积室中用三种方法得到的磁......
为提高a-Si/μc-Si叠层太阳电池的效率,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,制备了系列n型掺磷硅氧(SiOx:H)薄膜作为......
利用等离子体增强化学气相沉积技术制备了a-Si:H/SiO2多量子阱结构材料.对a-Si:H/SiO2多量子阱样品分别进行了3种不同的热处理,其......
采用等离子体增强化学气相沉积法制备了不同硼掺杂比的P型a-Si:H系列薄膜。研究了硼掺杂比对P型a-Si:H薄膜微结构和光/电学性能的......
本文分析了集成电路掩膜材料的发展过程,特别是彩色版的发展及其应用,从而提出以a-Si:H合金薄膜作为一种新的掩模材料的可能性.我......
本工作研究了二种不同衬底温度的直流辉光放电沉积非晶态硅氢薄膜(a-Si:H_x)热处理后的结构、氢含量及光电异性能的变化。热处理......
本文由实验给出了曝光强度,多层膜的层数和内应力对 a-Si∶H/a-SiN_x∶H 多层膜持久光电导(PPC)效应的影响及结果分析。
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本文报道了用电调制反射(ER)谱技术测量a-Si太阳电池中非晶硅膜的禁带宽度E_g和厚度均匀性的结果。该技术简单,测量灵敏度和分辨率......
本文主要研究了等离子体压力对射频辉光放电法沉积的非晶硅氢合金(a-Si∶H)膜的组成、结构及性能的影响.它们包括 a-Si∶H 膜的氢......
近年来,对非晶硅a-Si薄膜进行了广泛研究。a-Si薄膜的光学带隙是判断材料性能优劣的一个关键参数。通常,光学带隙是由(αhω)~(1/......
本文用红外(IR)和拉曼(Raman)谱研究了反应溅射 a-Si∶H/a-Ge∶H 超晶格的界面特性.定量分析发现,界面处没有因应力释放引起的 H ......
本文着重对微波等离子体化学气相沉积法高速沉积的 a-Si∶H 膜的物理性能进行评价研究.测量了沉积膜的光电性能、暗电导激活能、光......
用等离子体化学气相沉积（PCVD）法制备：a－Si：N薄膜材料（衬底温度20O℃～350℃），用固相晶化法（SPC）获得多晶硅薄膜（退火温度500℃～650℃）,用X射线衍......
分别研究了磁场线圈电流为 115 2和 137 7A以及 137 7A并在加热台下加放SmCo永磁体的方法 ,来改变单磁场线圈分散场MWECRCVD系统......
在 a—Si∶H 薄膜中,H 严重地影响了 a—Si∶H 薄膜的光电性能.我们用自洽场分子轨道理论和 CNDO/2近似方法.计算了[Si_8H_(18)]和......
以SiH4,PH3,CH4为源气体,采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,通过改变CH4流量制备了磷、碳二元掺杂非晶硅薄膜,研究了......
采用等离子体增强化学气相沉积法制备了不同PH3/SiH4气流量比条件下的N型a-Si:H系列薄膜,研究了PH3/SiH4气流量比对N型a-Si:H薄膜......
期刊
对于含氢量较高的 a-Si :H,H原子间相互作用尽管比Si-Si,Si-H键作用小一个量级,但不容忽视.在此前提下,本文采用 CBLM方法(即 Clus......
本文介绍一种研究a-Si:H/a-SiN:H界面层电子积累特性的新方法,所用样品为Cr/a-SiN:H/a-Si:H/(n+)a-Si:H/AI.测试表明,a-Si:H/a-SiN......
本文对在不同B2H6浓度下制备的a-Si1-xCx:H薄膜进行热退火处理,利用四探针法分析了退火时间和掺杂浓度对薄膜电导特性的影响。结果......
利用 Mg Ka X射线作为激发源,对 a-Si:(Cl,H)薄膜进行了 PESIS研究.样品是采用辉光放电方法在SiCl_4-SiH_4-H_2混合气体中,当石墨......
本文对某些a-Si:H材料,在外电场作用下,电导随时间漂移的现象进行了测量和分析.实验发现,该效应与所施加的电场强度有明显关系.场......
本文研究了用氦和氢作为硅烷的稀释气体对GD淀积的a-Si:H膜的光电性质的影响.测量了用两种稀释气体GD淀积的a-Si:H膜的光电导、光......
本文用场效应法测量了不同退火温度时的 I_D—V_G 关系,示出了 a-Si:H 场效应管的特性。在 Ar 气保护下,经500℃退火的样品的场效......
晶态 Ga·P·As 化合物发光二极管已广泛用于电子工业,但成本较高,最近我们已用廉价的非晶态材料研制出一种新的 P~+μc-Si∶H/pn......
This paper demonstrates the technological approach to the high performance a-Si:H thin film transistor (TFT) fabricated ......
a-Si:H films were prepared by the mercury sensitized photo-CVD with SiH4 flow. The maximum deposition rate of 142A/min h......
氢化非晶态硅具有优异的光电导特性,作为摄象管靶面是其应用的一个重要方面,有关的基本情况可参见。本文将介绍我们实验室用射频......
1.引言人们在进行高性能摄象器件的研究中,将氢化无定形硅(α—Si:H)膜用作摄象管的靶正在引人注目。其原因是α—Si:H靶具有灵敏......
本文介绍了一种新的p~+μc-Si:H/pn~-in a-Si_(1-x)C_x:H/n~+μc-Si:H多层结构电注入发光器件.首次在室温下用肉眼直接观察到了蓝......
