GAN基HEMT相关论文
随着5G通讯及轻型紧凑类消费电子产品市场的迅速发展,氮化镓（Ga N）功率器件凭借高功率密度、高开关速度响应等优势,在半导体器件中展......
GaN基微波功率器件在高电场影响下产生了界面缺陷和陷阱效应,加剧了器件有源区材料的损伤,是造成其在高频、大功率应用下电学参数......
氮化镓（GaN）是第三代半导体材料的典型代表,也是近年来研究的热点。与传统的Si材料相比,其饱和漂移速度高、禁带宽度大、临界击穿场......
该文开展不同温度下GaN基HEMT器件氢气效应的试验研究。通过对比不同氢浓度和不同温度条件下器件变化情况,试验发现常温下不同浓度......
首先分别利用直流电学法、脉冲电学法和微区拉曼光谱法测量了晶格匹配InAlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的沟道温度,然后评估了各......
Ⅲ-Ⅴ族半导体材料在电子与光电子器件领域具有广阔的应用前景，在国防、商业、科学等诸多领域发挥了重要作用。Ⅲ族氮化物无疑是其......
由于GaN优异的材料特性使GaN基HEMT走向实用化阶段。然而要将此技术推向更高耐压的的应用领域,以及更为恶劣的高温工作环境,器件的......
工作在毫米波、亚毫米波频段的固态功率放大器可广泛应用于无线通信、汽车雷达等电子系统。氮化物材料具备禁带宽度大、电子速度高......
为满足新一代电子器件和光电子器件的大功率、高效率应用,以GaN为主的第三代半导体在近二十年内取得了长足的发展,已逐步取代Si、G......
由于GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)具有高击穿电压、高载流子密度、高载流子饱和速度等优势,目前已在高频大功率器件应用领域取得......
制作了带有栅终端场板结构的GaN基HEMT，研究了击穿电压与场板长度的关系，提取了最佳场板长度为0．4，0．5，0．6μm时所对应的栅漏击穿电压最大......
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)作为第三代半导体的典型器件,在微波大功率方面表现出了优异的性能。已经初步在第四代移动通讯和雷......
GaN所具有的独特的半导体特性和GaN HEMTs器件所展现出的巨大的应用前景使得毫米波GaN HEMT器件成为当下研究的热点。对于分析GaN ......
