在衬底加热条件下利用磁控溅射法制备Ge2Sb2Te5薄膜,利用X射线衍射仪表征各种沉积温度下薄膜的结构,差示扫描量热法(DSC)确定的薄......

本工作采用飞秒激光脉冲辐照、飞秒激光泵浦.探测和飞秒激光四波混频等技术，研究了飞秒激光作用下Ge2Sb2Te5薄膜相变特性、辐照点形......

相变信息存储材料己成功应用于可擦重写相交光盘及非易失性相变随机存储器。相变存储的特点在于其相转变的高速度和高稳定性的共存......

研究了溅射功率对 Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５ 薄膜的光学常数与波长关系的影响，结果表明，在波长小于 ５００ｎｍ的情况下，随溅射功率的增加非晶态薄膜的折射率ｎ先增加然后......

提高存储密度和存取速率一直是光存储发展的方向 ,这对目前用于可擦重写存储的相变材料提出了越来越多的要求 :它们既要对短波长有......

研究了溅射参数对 Ge2 Sb2 Te5 薄膜的光学常数随波长变化关系的影响 ,结果表明 :(1)当溅射功率一定时 ,随溅射氩气气压的增加 Ge2......

实验研究了氩气气压对溅射制备的Ge2Sb2Te5薄膜的光学常数随波长变化的影响，结果表明：随薄膜制备时氩气气压的增加，Ge2Sb2Te5薄膜的折......

超分辨技术是一种无需减小记录波长或增大数值孔径而提高存储密度的方法。Ge Sb Te是一种良好的相变光存储材料 ,在超分辨光盘中可......

在衬底加热条件下利用磁控溅射法制备GezSbzTes薄膜，利用x射线衍射仪表征各种沉积温度下薄膜的结构，差示扫描量热法（IgSC）确定的薄膜晶......

研究了溅射功率对Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的光学常数与波长关系的影响。结果表明，在波长小于５００ｎｍ的情况下，随溅射功率的增加非晶态薄膜的折射率ｎ先增加然后减......

The amorphous Ge2Sb2Te5 film with stoichiometric compositions was deposited by co-sputtering of separate Ge,Sb, and Te t......

采用射频磁控溅射方法，在石英玻璃基片上制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜．X射线衍射分析表明：室温沉积的薄膜为非晶态；170℃真空退火后，薄膜转......

研究了溅射参数对Ge2Sb2Te5薄膜的光学常数随波长变化关系的影响。结果表明：（1）当浅射功率一定时，随溅射氩气气压的增加Ge2Sb2Te5薄膜......

利用直流磁控溅射制备了单层Ge2Sb2Te5薄膜,研究了薄膜在400～800 nm区域的反射、透过光谱,计算了它的吸收系数,发现薄膜在400～800 nm......

研究了激光辐照引起Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化,当激光功率为580mW时薄膜的方块电阻有四个数量级（10^7～10^3Ω/□）的突变;对......

采用脉冲激光沉积法在Si衬底制备了Ge2Sb2Te5合金薄膜,利用双端夹持音频簧振动技术在kHz范围内研究其由相变所引起的内耗谱,并通过......

本文采用射频磁控溅射方法,分别在玻璃和具有本征氧化层的Si(100)基片上制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜.利用X射线衍射仪、扫描电镜(SEM)......

利用XRD研究了激光致溅射沉积Ge2Sb2Te5薄膜的结晶行为，研究发现，与热致相变不同的是，激光致相变只发生从非晶态到FCC晶态结构的转变，......

采用聚焦脉冲激光研究了Ge2Sb2Te5薄膜在沉积和激光淬火两种非晶态下反射率与激光脉冲宽度变化的关系,发现沉积态的Ge2Sb2Te5薄膜......