GaAs光电阴极相关论文
时间分辨特性是GaAs光电阴极应用于泵浦探测等领域的一种极为重要的性能参量。采用矩阵差分求解光电子扩散模型的方式计算了光电子......
随着微纳技术和微纳制造工艺的飞速发展,表面微纳结构在各种固体和真空光电器件领域得到了广泛的应用,有望成为提升电子源领域GaAs......
GaAs光电阴极因发射电子角度集中、自旋极化率高和量子效率高等优点,被应用于微光夜视和高能物理等领域。GaAs光电阴极的稳定性是......
研制了一套基于计算机控制的GaAs光电阴极智能激活测试系统，该系统可在计算机控制下严格按照标准工艺对GaAs光电阴极进行智能激活，并......
通过MBE和MOCVD生长了宽光谱响应指数掺杂GaAs光电阴极材料,并制备成具有玻璃/Si3N4/Ga1-xAlxAs/GaAs结构的透射式组件。采用......
基于(Cs,O)层如何在GaAs光电阴极激活过程对其形成负电子亲和势起作用这一问题,本文构建了GaAs(100)面富砷(2×4)重构表面模型......
发射层电子扩散长度作为NEA光电阴极中的一个重要性能参量，与阴极材料生长质量和外延生长方式密切相关，由于入射光位置不同，反射......
透射式变组分变掺杂GaAs光电阴极在蓝绿光波段具有较高的响应能力，这在海洋探测、高能物理以及天文观测等领域具有很好的应用前景。......
GαAS NEA光电阴极是目前为止在微光夜视领域使用最广泛的光电阴极,它具有量子效率高,暗发射小,发射电子的能量分布及角分布集中,......
用四极质谱仪研究了GaAs基片高温加热清洗过程中常见气体及氧化物的脱附规律。研究结果表明：常见气体(H2、H2O、N2、CO、CO2、A......
获得高量子效率且稳定性良好的阴极一直是近年来发展GaAs光电阴极的重要方向。对晶面为(100),掺杂Be,厚度为1μm分子束外延生长的......
GaAs光电阴极量子效率公式中用到的表面电子逸出概率,在阴极工作波段范围内通常视为与入射光子波长无关的常数.应用该结论对反射式......
利用多信息量测试系统分别测试了反射式GaAs光电阴极激活后在0(无光照),33和100 lx白光照射情况下阴极的光电流衰减变化曲线,计算......
为了将变掺杂GaAs材料应用于微光像增强器,开展了透射式变掺杂GaAs光电阴极实验研究,制备了2种反转结构透射式变掺杂GaAs光电阴极.......
为了监控GaAs光电阴极的制备过程,设计了一套应用CAN总线的GaAs光电阴极制备测控系统,系统由USB-CAN转换器、多信息量测控设备和计......
为了优化GaAs光电阴极制备工艺，设计了一个用于GaAs光电阴极制备过程监控的多信息量测试系统。系统采用了先进的现场总线技术，可在线......
设计了具有e指数内建电场的透射式GaAs负电子亲和势阴极,利用数值计算方法研究了它的时间响应特性和量子效率特性。结果表明,当吸......
研究了高温Cs激活过程中,GaAs光电阴极表面势垒的变化机理。在考虑GaAs材料体内负电性p型掺杂杂质与材料表面正电性Cs＋所形成的偶极......
本文首次利用分子束外延(MBE)生长了多种由体内到表面掺杂浓度由高到低的梯度掺杂反射式GaAs光电阴极材料,并进行了激活实验,结果......
利用自行研制的GaAs光电阴极多信息量测试与评估系统,比较了不同Cs、O激活方式下GaAs光电阴极的激活过程、光谱响应特性以及稳定性......
通过求解扩散方程，推导了含有后界面复合速率的反射式GaAs光电阴极量子效率公式，并利用MBE在GaAS（100）衬底上外延生长了发射层厚度分别......
The temporal characteristics of GaAs NEA and alkali metal photocathodes are studied using Monte Carlo simulation method.......
BXERL is a proposal for a test facility(Beijing X-ray Energy Recovery Linac),which requires its injector to provide an e......
测量了透射式GaAs光电阴极四层、二层结构组件和三代像增强器光电阴极的荧光谱。激发光的波长分别为514．5nm和785nm。测量结果表明，G......
针对GaN基光电阴极激活过程中Cs—O交替存在的光电流的增幅问题，本文主要比较了GaN和GaAs材料性质、表面结构以及激活过程中光电阴......
GaAs光电阴极具有量子效率高,暗发射小,发射电子的能量分布及角分布集中,长波阈可调,长波响应扩展潜力大等优点,在高性能微光像增......
利用光谱响应测试仪对激活后的反射式GaAs(Cs,O)光电阴极进行了稳定性测试,获得了阴极随时间变化的光谱响应曲线,并表征了阴极在衰......
基于超高真空光电阴极制备与表面分析互联装置开展了反射式GaAs光电阴极激活实验,并利用扫描聚焦X射线光电子能谱对化学清洗后及Cs......
进行单晶基片和分子束外延（MBE）片两种GaAs（100）光电阴极材料高、低温激活实验，高温处理温度为600℃，低温处理温度分别为580℃、450℃和4......
研制了一套基于计算机控制的GaAs光电阴极智能激活系统,该系统可在计算机控制下严格按照标准工艺对GaAs光电阴极进行智能激活,并可......
为了获得高量子效率的GaAs光电阴极,要求GaAs材料的电子扩散长度足够长,且电子表面逸出几率大,这对p型掺杂浓度提出了两个矛盾的要......
通过求解一维稳态少数载流子扩散方程,推导了指数掺杂和均匀掺杂的透射式GaAs光电阴极表面光电压谱理论方程。利用金属有机化学气......
确定阴极材料的光子吸收系数,是开展变掺杂GaAs光电阴极光电发射性能理论研究的重要条件之一。分析了变掺杂阴极的结构特点,提出了......
采用分子束外延技术制备了具有相同的均匀掺杂或指数掺杂的反射式(r-mode)和透射式(t-mode)GaAs光电阴极样品。利用在线光谱响应测......
负电子亲和势GaAs光电阴极经过40多年的长足发展之后,已经在阴极理论、工艺、模型与表征技术等方面取得了显著的成绩,GaAs光电阴极......
为了将变掺杂GaAs材料应用于微光像增强器,开展了透射式变掺杂GaAs光电阴极实验研究,制备了2种反转结构透射式变掺杂GaAs光电阴极......
研制了一套基于现场总线技术的GaAs光电阴极多信息量测试系统,该系统可在线测试和保存阴极制备过程中的大部分信息量,如激活系统的......
为定量研究变掺杂结构对阴极量子效率的作用效果,设计生长了两种不同掺杂方式的反射式梯度掺杂GaAs光电阴极,激活后测量了两者的光......
利用自行研制的光谱响应测试仪工程化样机,对透射式GaAs光电阴极在高温激活结束、低温激活结束以及铟封成管后的光谱响应特性进行......
研制了一套基于计算机控制的GaAs光电阴极智能激活系统,该系统可在计算机控制下严格按照标准工艺对GaAs光电阴极进行智能激活,并可......
负电子亲和势砷化镓(GaAs)光电阴极具有量子效率高,暗发射小,发射电子能量分布及角分布集中,长波阈可调,长波响应扩展潜力大等优点......
像增强器是一种能把微弱的光学图像增强、转换成适合人眼观察的光学图像的真空成像器件,在夜视领域发挥着举足轻重的作用。光电阴......
负电子亲和势砷化镓(GaAs)光电阴极具有量子效率高,暗发射小,发射电子能量分布及角分布集中,长波阈可调,长波响应扩展潜力大等优点......
负电子亲和势GaAs光电阴极由于其优越的性能,在近几十年中取得了迅猛的发展。目前通过几个典型的激活工艺已经能获得较好的GaAs光......
负电子亲和势砷化镓(GaAs)光电阴极具有量子效率高,暗发射小,发射电子能量分布及角分布集中,长波阈可调,长波响应扩展潜力大等优点......
利用分子束外延生长了三种结构的反射式GaAs光电阴极,其中一种为传统结构的反射式GaAs光电阴极,另外两种为具有GaAlAs缓冲层的均匀......
