势垒层相关论文
完整的LDD GaN HEMT器件制作过程主要分为GaN材料生长和器件制作两个主要部分,由于自然界中没有天然的GaN材料,目前大多数GaN材料......
研究了低温、平行磁场下两种GaAs/AlGaAs双量子阱的量子干涉特性.两种样品的阱宽均为60,但挚垒层厚度不同,分别为120和20.实验结果表明,样品的电导随磁场呈......
以MocvD材料试制了AlAs/GaAs双势垒量子共振隧穿二极管,其室温伏安特性为非线性。讨论了材料质量、器件结构、制作工艺等对器件性能的影响。首次报......
本文叙述一种新型的基于InGaAs/AlAS双势垒RTD单片高速逻辑集成电路的设计和制造技术。由该技术产主的Schot-tky/RTD集成双稳开关已工作到3GHZ的振荡频率。
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由电子在一维三势阱、三势垒体系中能量状态的数值结果,说明了超晶格和多量子阱属性的区别。
The numerical results of the energ......
报道了在光照下具有高跨导值(高达64mS/mm)的1μm栅 Al_(0.15)Ga_(0.85)N/GaN 异质结构场效应晶体管(HFET),解释了光照下器件跨导......
在室温下测量了GaAs/AlGaAs多量子阱结构的红外吸收,观察到在706、770、1046、1282和1653cm-1处的几个吸收峰.认为这些吸收峰与处于势垒以上电子干涉有关,理论计算的吸收......
从全量子理论出发,比较深入地分析了在Ⅱ类半导体量子阱中实现无反转增益过程的物理机制,量子阱层导带Γ-能谷和势垒层导带X-能谷混合形......
研究了具有不同阱宽的GaAs/AlGaAs和InGaAs/AlGaAs窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系,发现在低温范围内,声学声子的线性散射系数随着阱宽的减小而增加,对实验......
用纳米硅薄膜制成了共振隧穿量子点二极管,在77K温度下对其I-V特性进行了测量,得到了具有共振隧穿特征的实验结果。对实验结果分析表......
在MOS结构的窄沟器件、倒比器件中,鸟咀区下的势垒层所构成的非本征电容Cgb0对集成电路的高频特性有较大影响,但由于它与本征电容并联,且有杂......
在调制掺杂GaAs/AlGaAs多量子阱结构的光致发光谱中,靠近强发光峰的低能端存在几个弱峰,且发光强度随温度的增加而变化.这些弱峰是由于掺硅AlGaAs中DX中心......
设计了一种新的InP/In0.75Ga0.25As/InP器件结构,其特点在于采用InP衬底,高x值的InxGa1-xAs沟道,选用InP作为势垒层,从而避免了用含Al势垒层有可能引起的DX中心对器件性能的不利影响......
用纳米硅(ncSi∶H)薄膜制成了隧道二极管,并在其IV曲线上发现了不连续的量子化台阶.二极管的IV曲线可分成二部分:(1)0—7V,电流随外加电压增大而增......
给出了HEMT和PHEMT的数学-物理模型。系统地描述了材料的隔离层、平面调制掺杂层、势垒耗尽层等材料结构尺寸和异质结界面二维电子气浓度及器......
制备了基于调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结的Pt/Al0 2 2 Ga0 78N/GaN肖特基二极管。由于Al0 2 2Ga0 78N势垒层中的极化......
美国得克萨斯大学和伊利诺斯大学联合开发出一种高性能δ掺杂 AlGaN/AIN/GaNHFET,其外延异质结构用低压 MOCVD 方法生长。这种性......
美国Cree公司与美海军研究院合作,研制出一种用MBE生长的AlGaN/GaN HEMT 结构,其室温霍尔迁移率达到了最高水平,为1920 cm2/Vs。上......
采用RFMBE技术,在蓝宝石衬底上生长了高Al组分势垒层AlGaN/GaNHEMT结构.用三晶X射线衍射分析得到AlGaN势垒层的Al组分约为43%,异质......
薄膜隧道型约瑟夫逊结在精密测量,微波及计算机等方面有着广泛的应用,这种结的制作关键是形成一个厚度合适、质量好的氧化层作势垒......
加里福尼亚大学圣巴巴拉分校的研究人员制造出初级m面增强型AlGaN/GaN FETs。这些常断型FET的阈值电压为2V,这就使得该器件将成为......
首先通过一维自洽求解薛定谔/泊松方程,研究了AlGaN/GaN双异质结构中AlGaN背势垒层Al组分和厚度对载流子分布特性的影响.其次利用......
理论研究了铁磁/有机半导体肖特基接触时的电流自旋极化注入,并讨论了电流自旋极化率随界面处肖特基势垒高度、有机半导体层中特殊......
深入研究了两种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)高温退火前后的直流特性变化.槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT在500℃N2中退火5......
研究了GaN基HEMT器件表面电荷和体陷阱的变化对输出特性的影响.通过分析表面电荷与体陷阱对电流坍塌效应、饱和电流和膝点电压的影......
完成了对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的结构设计及器件物理特性的验证等工作。使用TCAD软件完成了该器件直流特性及微波特......
选取三量子阱模型,采用变分法讨论GaAs/AlxGa1-xAs有限深量子阱中势垒厚度对激子行为的影响,主要计算激子结合能随阱宽和垒厚的变......
对具有不同的栅极场板结构的p-GaN栅高迁移率晶体管(HEMT)器件的性能进行了比较,利用半导体器件仿真工具Synopsys TCAD对器件电学......
通过利用低压金属有机物化学气相沉积技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了GaAsP/GaInP量子阱外延层结构。通过对样品室温光致发光......
利用正向肖特基结结电压与温度的线性关系,对AlGaN/GaN HEMT器件有源区瞬态温升进行了测量,其热阻为19.6℃/W。比较了不同测温方法......
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN隔离层厚度的AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究......
法国研究者近日称在III-氮化物半导体结构中实现了二维电子气的最佳性能。来自电子、微电子和纳米技术研究院(IEMN)和Thales Resea......
日本松下公司在栅注入晶体管结构中嵌入混合漏极,对常关态氮化镓晶体管的电流崩塌进行抑制达800V。混合漏极由一个普通漏极和一个......
本文针对 InAlAs/InGaAs InP基高电子迁移率晶体管(High electron mobility transistors, HEMTs)提出了一种结合高选择性湿法腐蚀......
3瞬态电流谱和瞬态电阻谱中两种电子气的动态电流峰为了深入研究器件射频工作中的电流崩塌,许多作者测量了栅漏偏置电压改变时沟道......
介绍了一种毫米波GaN基HEMT器件大信号等效电路模型。该模型采用SDD的建模方法。提出了I-V及C-V表达式,完成了直流及S参数的拟合,......
用超导隧道结进行声子研究,是六十年代以来逐步深入发展的研究课题。本文介绍了为这项研究所开展的工作:在真空室内采用机械转换掩......
提出ρ和(Ze—Z_h)耦合试探波函数,计算了 GaAs/Ga_(I-x)Al_xAs量子阱中基态激子的结合能随阱宽和阱深的变化关系,并对所得结果进......
利用等离子体增强化学气相沉积法制备了富硅氮化硅/富氮氮化硅多层膜,并以此氮化硅基多层膜作为有源层构建电致发光器件,在室温下......