设计了一种锗源环栅线隧穿晶体管（GAA-LTFET），并采用TCAD工具对其工作原理进行了分析，通过双栅功函数技术抑制寄生点隧穿机制，消除了转......

论述了单片５１２×５１２像素的ＧｅＳｉ／Ｓｉ异质结红外摄像器。它的工作原理和ＰｔＳｉ／Ｓｉ肖特基势垒红外摄像器一样。制造ＧｅＳｉ／Ｓｉ异质结采用分子束外延法，在Ｓｉ片上生长ＧｅＳｉ膜。......

采用快速加热，超低压化学气相淀积方法，在－Ｇｅ衬底上外延生长－ＧｅＳｉ－Ｓｉ薄层，首次研制成功了１．３－１．５５μｍ波段的ＧｅＳｉ异质结红外探测器，其主要参数性能优于该波段的同......