砷掺杂相关论文
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,在具有GaAs夹层的衬底上成功的制备出As掺杂p型ZnO薄膜。室温Hall测试结果显示,空穴浓度......
报道了利用As4作为掺杂源获得原位As掺杂MBEHgCdTe材料的研究结果.利用高温退火技术激活As使其占据Te位形成受主.对原位As掺杂MBEH......
本文采用有机金属化合物气相沉积(MOCVD)技术制备了可见光透过率>90％(厚度为10~2-10~4)、薄层方块电阻值为38-56Ω/□的SO_2·A,多......
报道了利用As4 作为掺杂源获得原位As掺杂MBEHgCdTe材料的研究结果.利用高温退火技术激活As使其占据Te位形成受主.对原位As掺杂MBE......
近年来,随着碲镉汞(HgCdTe或MCT)红外焦平面(IRFPAs)技术的快速发展,器件对材料的电学性质、面积和均匀性等参数的要求迅速提高.要......
窄禁带碲镉汞(Hg1-xzCdxTe)半导体，特别是中长波P型HgCdTe半导体，在中远红外光电器件和焦平面阵列方面具有十分重要的应用价值。目前......
碲镉汞(HgCdTe)作为我国战略性高技术——红外光电技术的重要基础材料，其优越性充分体现在军事、航天等高端红外探测应用领域。随着......
进入21世纪以来，红外探测得到飞速发展，与新探测技术相应的红外焦平面技术称为第三代碲镉汞红外焦平面技术，其主要技术特征包括：超大规......
采用As掺杂和激活技术制备的p+-on-n异质结材料是获得高性能长波碲镉汞红外焦平面器件的关键技术之一,得到了广泛关注.采用变温IV......
本文利用自行研制的垂直开管富汞热处理设备,研究了碲镉汞(HgCdTe)富汞热处理技术。经富汞条件下300℃热处理和后续的常规N型热处......
利用离子注入工艺实现长波碲镉汞材料的As掺杂,As作为掺杂介质表现出两性掺杂行为,而As只有占据Te位成为受主才能形成P型碲镉汞材......
利用同步辐射Ｘ光微区分析和全反射Ｘ射线荧光分析技术测定了硅中掺杂元素砷浓度的三维分布，其中深度剖面分布的测定结果与二次离子质谱......
采用As掺杂和激活技术制备的p＋-on-n异质结材料是获得高性能长波碲镉汞红外焦平面器件的关键技术之一,得到了广泛关注.采用变温IV拟......
本文采用有机金属化合物气相沉积（MOCVD）技术制备了可见光透过率】90％（厚度为10<sup>2</sup>-10<sup>4</sup>）、薄层方块电阻值为38-56......
报道了砷掺杂基区n-on-p长波碲镉汞平面结器件的电流电压特性、光谱响应特性,并同p型汞空位n-on-p长波碲镉汞平面结器件进行对比分......
对原位 As4掺杂 MBE HgCdTe 材料退火前后的电学性质进行了研究。原生样品以及 N 型退火样品的测试结果显示,随着 As 掺杂进入 HgC......
报道了用二次离子质谱分析(SIMS)方法对As在碲镉汞分子束外延中的掺入行为的研究结果.发现As在CdTe、HgCdTe表面的粘附系数很低,并......
