In this paper, the 2DEG (or 2DHG) density-electric field expression is introduced based on the analysis in energy-band d......

ＡｌＩｎＡｓ／ＧａＩｎＡｓ异质结构隔离栅场效应晶体管（ＨＩＧＦＥＴ）中的栅电流＝ＧａｔｅｃｕｒｒｅｎｔｉｎＡｌＩｎＡｓ／ＧａＩｎＡｓｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｉｎｓｕｌａｔｅｄ－ｇａｔｅｆｉｅｌｄ－ｅｆｆｅｃｔｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ（ＨＩＧＦＥＴ... Gate Current in AlInAs / GaInAs Heterojunction Isolation Gate Field Effect Tran......

发展了WN/W难熔栅自对准工艺。WN/W栅在850oC下退火，保持了较好的形貌。在此工艺基础上研制出了适用于互补逻辑电路的增强型n沟道异......

在ＩｎＰ衬底上用通常用晶格匹配（ｙ＝０．５３）和晶格失配（ｙ〉０．５３）Ｉｎ０．５３Ａｌ０．４６Ａｓ／ＩｎｙＧａ（１－ｙ）Ａｓ层结构同时制作ｐ－沟和ｎ－沟增强型异质结绝缘栅场效应晶体管（ＨＩＧＦＥＴ）。获得１μｍ栅长ｅ型ｐ－沟ＨＩＧＦＥＴ，其阈值电压约０．６６Ｖ，夹断尖......

发展了ＷＮ／Ｗ难熔栅自对准工艺。ＷＮ／Ｗ栅在８５０℃下退火，保持了较好的形貌。在此工艺基础上研制出了适用于互补逻辑电路的增强型ｎ沟道异质结场效应晶......