IMPATT相关论文
本文介绍在研制X波段输出功率为2瓦的GaAs P-N结高-低分布IMPATT器件时,根据水银探针法测得的击穿电压V_B来挑选外延材料的实验结......
根据高-低结雪崩二极管的基本原理提出了器件对材料参数的要求,并且用LPE的方法生长了符合器件要求的高一低结外廷片。这种材料具......
研制了一种X波段IMPATT(雪崩碰撞渡越时间)振荡器,具有半瓦以上的稳定输出功率。振荡器由主腔和一个起稳定作用的直接偶合反射腔构......
研制了高稳定度的毫米波IMPATT振荡器。IMPATT二极管安装在解调开路位置的同轴—波导电路里,并在设计频率上自谐振。在80GHz上获得......
本文概述了频率范围30至250GHz毫米波段的硅连续波IMPATT二极管和振荡器的目前水平。并论述了设计程序,制造和封装技术及二极管振......
本文讨论了热阻测试的基本理论;并讨论了如何利用海兹(Hatzi)法选择适当的测试频率测量IMPATT二极管的热阻.利用测试信号频率与热......
本文简述了脉冲IMPATT器件的设计考虑和制造工艺以及振荡器的微波电路结构和脉冲调制器的原理。对脉冲偏置期间产生的频啁效应作了......
本文提出了双调谐回路是实现宽带微波和毫米波IMPATT功率放大的有效方法,在对放大器的小信号和大信号特性分别进行了详细的理论分......
Low noise wide bandgap SiC based IMPATT diodes at sub-millimeter wave frequencies and at high temper
We have presented a comparative account of the high frequency prospective as well as noise behaviors of wide-bandgap 4H-......
Ionization rate coefficients and saturation drift velocities for electrons and holes are the vital material parameters i......
本文利用氮化镓半导体,设计了传统的高-低结构的碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管,并利用漂移-扩散输运模型和流体动力学输运模......
ＳｉｌｉｃｏｎＥｐｉｔａｘｉａｌＷａｆｅｒｆｏｒＸＢａｎｄＤｏｕｂｌｅＲｅａｄ－ｔｙｐｅＤＤＲＩＭＰＡＴＴＤｉｏｄｅｓｂｙＡｔｍｏｓｐｈｅｒｅ／ＬｏｗＰｒｅｓｓｕｒｅＧｒｏｗｔｈＴｅｃｈｎｉｑｔＷａｎｇＸｉａｎｇｗｕａｎｄＬｕＣｈｕｎｙｉ王向武，陆春.........
叙述8毫米硅连续波崩越二极管的设计和制造,在频率35 GHz附近,金集成热沉的双漂移崩越管获得400～800mW连续输出功率,效率5％～10％,结温20......
碰撞电离雪崩渡越时间二极管是高频通信领域最具潜力的功率电子学器件,硅和砷化镓材料广泛用于该器件的制造中,但材料较小的禁带宽......
Influence of self-heating on the millimeter-wave and terahertz performance of MBE grown silicon IMPA
The influence of self-heating on the millimeter-wave(mm-wave)and terahertz(THz)performance of double-drift region(DDR)im......
本文从IMPATT二极管的工作机理,导出了IMPATT器件设计的判据W=Vd/2f。并以提高器件的微波输出功率和效率为着限点。计算了X波段连......
本文在均匀雪崩区的条件下,对电子空穴离化率不等的实际情况给出了IMPATT模式大信号阻抗的理论分析.其结果应用于四毫米频段,对中......
已研究出一种高性能的雪崩渡越二极管测试电路,它对减小寄生振荡非常有效。用此电路,测得一个6000兆赫的锗二极管有12.1％的连续波效......
毫米波技术是当今微波技术界最为热门的课题之一,并且已经在军事和民用中得到了广泛的应用。在W波段中,由于单片功率放大器尚属于......
基于宽禁带半导体氮化镓材料，设计了传统的高一低结构的碰撞电离雪崩渡越时间（IMPATT）二极管，并对其直流特性和高频特性进行了模拟研究......
